SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة كذAABLة للبرم
1787 TR Micron Technology Inc. 1787 TR 59.8650
RFQ
ECAD 8903 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-1787TR 2000
C-2400D4DR8S/16G ProLabs C-2400D4DR8S/16G 58.5000
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-C-2400D4DR8S/16G ear99 8473.30.5100 1
MT53B384M64D4NK-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 BALOزN: ب -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 366-WFBGA (15x15) - الإلهال ear99 8542.32.0036 1،190 1.866 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 384m × 64 - -
CY7C1470V33-167BZXI Infineon Technologies CY7C1470V33-167BZXI -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 Infineon Technologies NOBL ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 165 رحل CY7C1470 Sram - mtزamn ، sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 Myiغaiheartز ماضلب 72 Myiجabt 3.4 ns Sram 2M × 36 مويزي -
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Micron Technology Inc. MT66R7072A10AB5ZW.ZCA -
RFQ
ECAD 5424 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 121-WFBGA MT66R7072 PCM - LPDDR2 ، MCP - LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 121-VFBGA (11x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0024 1000 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1GBIT (PCM) ، 512 MMYجABT (MCP) أب 128m × 8 (PCM) ، 64 م × 8 (MCP) مويزي -
GD25F64FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FWIGR 0.9688
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 أشباه الموصلات (HK) مداودا GD25F الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة فlaش - alla 2.7v ~ 3.6v 8-وسن (5x6) - 1970-GD25F64FWIGRTR 3000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt فlaش 8m × 8 spi - رباكي i/o ، dtr -
00D5048-C ProLabs 00d5048-c 48.5000
RFQ
ECAD 9025 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-00D5048-C ear99 8473.30.5100 1
NDL26PFI-9MET TR Insignis Technology Corporation NDL26PFI-9MET TR 6.6986
RFQ
ECAD 4501 0.00000000 مؤسسة تقنية شارة آركة - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-VFBGA NDL26 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13) تومويل Rohs3 mtoaفق الإلهال 1982-NDL26PFI-9METTR ear99 8542.32.0036 1500 933 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 128 م × 16 مويزي 15ns
CY7C1018DV33-10VXI Infineon Technologies CY7C1018DV33-10VXI 3.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32-BSOJ (0.300 "، Zerض 7.62 موم) CY7C1018 Sram - غyer mtزamn 3V ~ 3.6V 32-soj تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 23 ماضلب 1Mbit 10 ns Sram 128k × 8 مويزي 10ns
03X6657-C ProLabs 03x6657-C 24.5000
RFQ
ECAD 3318 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-03x6657-C ear99 8473.30.5100 1
W25Q80EWSNBG Winbond Electronics W25Q80EWSNBG -
RFQ
ECAD 9472 0.00000000 وينبوند الإله Spiflash® أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) W25Q80 فlaش - و 1.65V ~ 1.95V 8 جda - 3 (168 سعع) الإلهال 256-W25Q80EWSNBG عى الله 1 104 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 8mbit 6 ns فlaش 1M × 8 spi - رباكي i/o 30µs ، 800µs
MX25U16356ZNI02 Macronix MX25U16356ZNI02 0.5327
RFQ
ECAD 2457 0.00000000 Macronix - صyniة نوز - 3 (168 سعع) 1092-MX25U16356ZNI02 570
IS43LR16160H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160H-6BL 4.8239
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 60-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 60-TFBGA (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS43LR16160H-6BL 300 166 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 5.5 ns دريم 16m × 16 مويزي 15ns
H2P65ET-C ProLabs H2P65ET-C 24.5000
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-H2P65ET-C ear99 8473.30.5100 1
S34ML02G200GHI000 SkyHigh Memory Limited S34ML02G200GHI000 -
RFQ
ECAD 9075 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - صyniة توفت S34ML02 - Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) 2120-S34ML02G200GHI000 3A991B1A 8542.32.0071 260 يا يتام الها من منها
MR25H256AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDFR 8.5386
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 شRكة Everspin Technologies Inc. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة MR25H256 MRAM (رام مينايسي) 2.7v ~ 3.6v 8-dfn-ep ، العلم (5x6) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 819-MR25H256AMDFRTR ear99 8542.32.0071 4000 40 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256kbit 9 ns أب 32k × 8 spi -
7130SA20J8 Renesas Electronics America Inc 7130SA20J8 -
RFQ
ECAD 9546 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 52 LCC (J-Lead) 7130SA Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 52-PLCC (19.13x19.13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 400 ماضلب 8kbit 20 ns Sram 1K × 8 مويزي 20ns
S25FS256SDSMFI000 Cypress Semiconductor Corp S25FS256SDSMFI000 -
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) S25FS256 فlaش - و 1.7v ~ 2v 16-ددا تومويل Rohs غyer amtoaفق العداد غyer ميدد 1 80 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt فlaش 32M × 8 spi - رباكي i/o ، qpi - يا يتام الها من منها
24LC64T-I/MNY Microchip Technology 24LC64T-I/MNY 0.5700
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wfdfn lloحة mكشoفة 24LC64 eeprom 2.5v ~ 5.5v 8-TDFN (2x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 3300 400 كylot Zertز غyer mtقlbة 64kbit 900 ns eeprom 8K × 8 i²c 5 مللي
W632GU8NB-15 Winbond Electronics W632GU8NB-15 4.6611
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 وينبوند الإله - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-VFBGA W632GU8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 242 667 Myiغaihiertز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 256m × 8 مويزي 15ns
605313-071-C ProLabs 605313-071-C 62.5000
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-605313-071-C ear99 8473.30.5100 1
71V124HSA10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124HSA10PH -
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 IDT ، Integrated Device Technology Inc - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 32-Voice (0.400 "، ، ، 10.16 ملم) 71V124 Sram - غyer mtزamn 3.15V ~ 3.6V 32-TSOP II تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الوشق 3A991B2B 8542.32.0041 1 ماضلب 1Mbit 10 ns Sram 128k × 8 مويزي 10ns
IS49NLS18160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 144-TFBGA Rldram 2 1.7v ~ 1.9v 144-TWBGA (11x18.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS49NLS18160A-25WBLI 104 400 myiغaiheartز ماضلب 288mbit 20 ns دريم 16m × 18 HSTL -
MT53D1024M32D4BD-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-046 WT: D TR -
RFQ
ECAD 9130 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT53D1024M32D4BD-046WT: DTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 - -
A8547957-C ProLabs A8547957-C 81.7500
RFQ
ECAD 6331 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-A8547957-C ear99 8473.30.5100 1
AS4C512M16D3LC-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-10BCN 21.8600
RFQ
ECAD 190 0.00000000 تحالف ذاكرة ، Inc. - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 1450-AS4C512M16D3LC-10BCN 190 933 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit 20 ns دريم 512M × 16 مويزي 15ns
M3032316045NX0PTBY Renesas Electronics America Inc M3032316045NX0PTBY 108.8828
RFQ
ECAD 5623 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MRAM (رام مينايسي) 2.7v ~ 3.6v 54-توتوب - Rohs3 mtoaفق 800-M3032316045NX0PTBY 96 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 45 ns أب 2M × 16 مويزي 45ns
S25FS128SAGBHI300 Nexperia USA Inc. S25FS128SAGBHI300 2.5900
RFQ
ECAD 465 0.00000000 Nexperia USA Inc. - حجm -pier عى الله - 2156-S25FS128SAGBHI300 116
70261S12PF Renesas Electronics America Inc 70261S12PF -
RFQ
ECAD 8498 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة مرر 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 100-TQFP (14x14) - 800-70261S12PF 1 ماضلب 256kbit 12 ns Sram 16k × 16 مويزي 12ns
MT53E128M16D1DS-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-046 BALOزN: أ -
RFQ
ECAD 3795 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT53E128M16D1DS-046WT: أ ear99 8542.32.0036 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 2gbit دريم 128 م × 16 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون