SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة كذAABLة للبرم
872969-001-C ProLabs 872969-001-C 145.0000
RFQ
ECAD 3549 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-872969-001-C ear99 8473.30.5100 1
04184ARLAD-6N IBM 04184ARLAD-6N 41.6000
RFQ
ECAD 25 0.00000000 IBM - حجm -pier نوز أبل السفلي تومويل لا 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 4mbit Sram 256k × 18
W25Q40EWWA Winbond Electronics W25Q40ewwa -
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 وينبوند الإله Spiflash® أnabob عى الله -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) - - W25Q40 فlaش - و 1.65V ~ 1.95V - - 3 (168 سعع) الإلهال 256-W25Q40EWWA عى الله 1 104 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 4mbit 7 ns فlaش 512K × 8 spi - رباكي i/o ، qpi 50µs ، 3 مللي
IS46TR81024B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-125KBLA1 24.4162
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع المسار ، AEC-Q100 حجm -pier نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (10x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS46TR81024B-125KBLA1 136 800 myiغaiheartز ماضلب 8gbit 20 ns دريم 1g × 8 مويزي 15ns
669239-081-C ProLabs 669239-081-C 68.7500
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-669239-081-C ear99 8473.30.5100 1
S80KS2563GABHM023 Infineon Technologies S80KS2563GABHM023 13.6850
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram ™ الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24-VBGA PSRAM (Pseudo SRAM) 1.7v ~ 2v 24-FBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3A991B2A 8542.32.0041 2500 200 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 35 NS psram 32M × 8 SPI - Octal I/O 35ns
IS43TR16640ED-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI-TR 5.2459
RFQ
ECAD 7553 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS43TR16640ED-15HBLI-TR 1500 667 Myiغaihiertز ماضلب 1Gbit 20 ns دريم 64m × 16 SSTL_15 15ns
A8217683-C ProLabs A8217683-C 110.0000
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-A8217683-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1041CV33-20ZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1041CV33-20ZXI 3.5400
RFQ
ECAD 554 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) CY7C1041 Sram - غyer mtزamn 3V ~ 3.6V 44-TSOP II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 ماضلب 4mbit 20 ns Sram 256k × 16 مويزي 20ns
IS43LQ32256AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32256AL-062BLI 21.8535
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - حجm -pier نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V ، 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS43LQ32256AL-062BLI 136 1.6 جyجa hertز ماضلب 8gbit 3.5 ns دريم 256m × 32 LVSTL 18ns
MT62F1536M64D8EK-026 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: ب 102.0600
RFQ
ECAD 1696 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: ب 1 3.2 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 1.5g × 64 - -
IS43TR16128B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBL-TR -
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS43TR16128B-093NBL-TR ear99 8542.32.0036 1500 1.066 جyجa hertز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 128 م × 16 مويزي 15ns
MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 BALOزN: ب -
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53E256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT53E256M32D2DS-053WT: ب ear99 8542.32.0036 1،360 1.866 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 - -
4X70G78061-C ProLabs 4x70G78061-C 145.0000
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-4x70g78061-C ear99 8473.30.5100 1
CAT24C32YGI onsemi CAT24C32YGI 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onsemi - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP ، 8-MSOP (0.118 "، عبرة 3.00 ملم) CAT24C32 eeprom 1.7v ~ 5.5v 8-msop - Rohs غyer amtoaفق العداد غyer ميدد 2156-CAT24C32YGI-488 ear99 8542.32.0071 1 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 كyelo -baiatt 400 نانو eeprom 4K × 8 i²c 5 مللي
CY7C1381B-100BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1381B-100BZI 23.4400
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 رحل CY7C1381 Sram - mtزamn ، sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الوشق 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 8.5 ns Sram 512K × 36 مويزي -
IS43TR81024BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBLI 22.8583
RFQ
ECAD 4644 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - حجm -pier نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS43TR81024BL-107MBLI 136 933 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit 20 ns دريم 1g × 8 مويزي 15ns
N01L83W2AT25IT onsemi n01l83w2at25it -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 onsemi - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32-LFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) N01L83 Sram - غyer mtزamn 2.3v ~ 3.6v 32-Tsop i تومويل 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 1000 ماضلب 1Mbit 55 NS Sram 128k × 8 مويزي 55ns
707288L15PFI Renesas Electronics America Inc 707288L15PFI -
RFQ
ECAD 3661 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة مرر -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 رحل Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 100-TQFP (14x14) - 800-707288L15PFI 1 ماضلب 1Mbit 15 نانو Sram 64k × 16 مويزي 15ns
S25FL064LABBHM020 Infineon Technologies S25FL064LABBHM020 3.4300
RFQ
ECAD 1377 0.00000000 Infineon Technologies المسار ، AEC-Q100 ، fl-l صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA فlaش - alla 2.7v ~ 3.6v 24-BGA (8x6) تومويل 3A991B1A 8542.32.0071 3،380 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt 6 ns فlaش 8m × 8 spi - رباكي i/o ، qpi 90µs ، 1.35ms
IS29GL256-70DLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLET-TR 4.8235
RFQ
ECAD 4919 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 64 رحل فlaش - alla 3V ~ 3.6V 64-LFBGA (9x9) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS29GL256-70DLET-TR 2500 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 70 ns فlaش 32M × 8 CFI 70ns ، 200µs
M25P16-VMN6P Micron Technology Inc. M25P16-VMN6P -
RFQ
ECAD 3255 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) M25P16 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 2000 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 16 Myiجabt فlaش 2M × 8 spi 15ms ، 5 مللي
S29PL127J60TFI130 Nexperia USA Inc. S29PL127J60TFI130 -
RFQ
ECAD 5058 0.00000000 Nexperia USA Inc. - حجm -pier نوز - 2156-S29PL127J60TFI130 1
CY14B104N-BA25XI Cypress Semiconductor Corp CY14B104N-BA25XI -
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA CY14B104 NVSRAM (Sram غyer tlmtقlbة) 2.7v ~ 3.6v 48-FBGA (6x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3A991B2B 8542.32.0041 23 غyer mtقlbة 4mbit 25 ns nvsram 256k × 16 مويزي 25ns يا يتام الها من منها
IDT71V547XS100PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V547XS100PF8 -
RFQ
ECAD 5908 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل IDT71V547 Sram - Mtزaamn ، SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 71V547XS100PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 ماضلب 4.5mbit 10 ns Sram 128k × 36 مويزي -
C-3200D4DR8RN/16G-TAA ProLabs C-3200D4DR8RN/16G-TAA 203.2500
RFQ
ECAD 9792 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-C-3200D4DR8RN/16G-TAA ear99 8473.30.5100 1
GD25LQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESIGR 1.0100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 أشباه الموصلات (HK) مداودا - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.209 "، ، ، 5.30 ملم) GD25LQ32 فlaش - و 1.65V ~ 2V 8 تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt 7 ns فlaش 4M × 8 spi - رباكي i/o ، qpi 60µs ، 2.4 مللي
S27KL0643DPBHA023 Infineon Technologies S27KL0643DPBHA023 4.7775
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram ™ KL الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24-VBGA PSRAM (Pseudo SRAM) 2.7v ~ 3.6v 24-FBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3A991B2 8542.32.0041 2500 166 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 36 ns psram 8m × 8 SPI - Octal I/O 36ns
AS4C64M16MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-5BIN -
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 تحالف ذاكرة ، Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 60-TFBGA AS4C64 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 60-FBGA (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 300 200 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 5 ns دريم 64m × 16 مويزي 15ns
IS26KS128S-DPBLA200-TR Infineon Technologies IS26KS128S-DPBLA200-TR -
RFQ
ECAD 9116 0.00000000 Infineon Technologies - حجm -pier مرر - 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون