SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT29F256G08CECABH6-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-10: أ -
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 557-MT29F256G08CECABH6-10: أ عى الله 1000
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT -
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 130-VFBGA MT29C1G56 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 130-VFBGA (8x9) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 1GBIT (NAND) ، 256 MMIجABT (LPDRAM) فlaش ، رام 64M × 16 (NAND) ، 16M × 16 (LPDRAM) مويزي -
M95080-RMC6TG STMicroelectronics M95080-RMC6TG 0.4200
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 stmicroelectronics - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-ufdfn lloحة mكشoفة M95080 eeprom 1.8v ~ 5.5v 8-UFDFPN (2x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 5000 20 myiغaiheartز غyer mtقlbة 8kbit eeprom 1K × 8 spi 5 مللي
IS46TR16128B-125KBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA25-TR -
RFQ
ECAD 4762 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 115 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS46TR16128B-125KBLA25-TR ear99 8542.32.0036 1500 800 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 128 م × 16 مويزي 15ns
MT62F2G64D8EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT: C TR 90.4650
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT: CTR 2000 4.266 جyجa hertز ماضلب 128 جyجabt دريم 2G × 64 مويزي -
IS25LP128F-RMLA3-TY Johanson Dielectrics Inc. IS25LP128F-RMLA3-TY 2.8022
RFQ
ECAD 1179 0.00000000 Johanson Dielectrics Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 16-ددا تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS25LP128F-RMLA3-TY 176 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit 6.5 ns فlaش 16M × 8 spi - رباكي i/o ، qpi ، dtr 40µs ، 800µs
4ZC7A08744-C ProLabs 4ZC7A08744-C 745.0000
RFQ
ECAD 3247 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-4ZC7A08744-C ear99 8473.30.5100 1
7133LA15PFI Renesas Electronics America Inc 7133LA15PFI -
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة مرر -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 رحل Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 100-TQFP (14x14) - 800-7133LA15PFI 1 ماضلب 32 كyelo -baiatt 15 نانو Sram 2K × 16 مويزي 15ns
JS28F320J3F75A Micron Technology Inc. JS28F320J3F75A -
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F320J3 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 576 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 75 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 75ns
CY7C172A-45DMB Cypress Semiconductor Corp CY7C172A-45DMB 13.7100
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - حجm -pier نوز -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويوي (تا) CY7C172 Sram - غyer mtزamn 4.5v ~ 5.5v تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الوشق 3A001A2C 8542.32.0041 1 ماضلب 16kbit 45 ns Sram 4K × 4 مويزي 45ns
AT24C64B-10TU-2.7 Microchip Technology AT24C64B-10TU-2.7 0.8800
RFQ
ECAD 3134 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) AT24C64 eeprom 2.7v ~ 5.5v 8-TSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال AT24C64B10TU27 ear99 8542.32.0051 100 400 كylot Zertز غyer mtقlbة 64kbit 900 ns eeprom 8K × 8 i²c 5 مللي
71024S12TYGI8 Renesas Electronics America Inc 71024S12Tygi8 2.9225
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32-BSOJ (0.300 "، Zerض 7.62 موم) 71024S Sram - غyer mtزamn 4.5v ~ 5.5v 32-soj تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 1000 ماضلب 1Mbit 12 ns Sram 128k × 8 مويزي 12ns
IS61NLP25672-200B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1LI-TR -
RFQ
ECAD 2711 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 209-BGA IS61NLP25672 Sram - mtزamn ، sdr 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 3.1 ns Sram 256k × 72 مويزي -
W632GU8NB11I Winbond Electronics W632GU8NB11I 5.3796
RFQ
ECAD 7890 0.00000000 وينبوند الإله - صyniة نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 78-VFBGA W632GU8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 242 933 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 256m × 8 مويزي 15ns
M3004316045NX0PBCR Renesas Electronics America Inc M3004316045NX0PBCR 10.5203
RFQ
ECAD 3983 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي 484-BGA MRAM (رام مينايسي) 2.7v ~ 3.6v 484-CABGA (23x23) - Rohs3 mtoaفق 800-M3004316045NX0PBCRTR 1 غyer mtقlbة 4mbit 45 ns أب 256k × 16 مويزي 45ns
7025S35JG Renesas Electronics America Inc 7025S35JG -
RFQ
ECAD 6692 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 84 LCC (J-Lead) 7025S35 Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 84-PLCC (29.31x29.31) - 800-7025S35JG عى الله 1 ماضلب 128kbit 35 NS Sram 8k × 16 مويزي 35ns
MT48LC8M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2F4-75: G TR -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 5.4 ns دريم 8m × 16 مويزي 15ns
MT29F2T08EELCHD4-QC:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ELCHD4-QC: C. 41.9550
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F2T08EELCHD4-QC: C. 1
AT24C128BW-SH-T Microchip Technology AT24C128BW-SH-T -
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) AT24C128 eeprom 1.8v ~ 5.5v 8 جda - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 2000 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 128kbit 550 نانو انهاني eeprom 16k × 8 i²c 5 مللي
MEM-DR480L-HL01-UN24-C ProLabs MEM-DR480L-HL01-UN24-C 41.0000
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-MEM-DR480L-HL01-UN24-C ear99 8473.30.5100 1
GD25LF128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128EQIGR 1.4109
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 أشباه الموصلات (HK) مداودا GD25LF الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-xdfn lloحة mكشoفة فlaش - alla 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x4) تومويل 1970-GD25LF128EQIGRTR 3000 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 16M × 8 spi - رباكي i/o ، qpi ، dtr -
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله M36L0R7050 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1560
70V28L15PFGI8 Renesas Electronics America Inc 70V28L15PFGI8 -
RFQ
ECAD 8733 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 رحل 70V28 Sram - Mnفذ Mamزdoج 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 800-70V28L15PFGI8TR عى الله 750 ماضلب 1Mbit 15 نانو Sram 64k × 16 LVTTL 15ns
IDT70T633S10DD Renesas Electronics America Inc IDT70T633S10DD -
RFQ
ECAD 5263 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 144-lqfp loحة mكشoفة IDT70T633 Sram - Mnفذ Mamزdoج 2.4v ~ 2.6v 144-TQFP (20x20) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 70T633S10DD 3A991B2A 8542.32.0041 6 ماضلب 9mbit 10 ns Sram 512k × 18 مويزي 10ns
MT55V512V36PT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V36PT-10 17.3600
RFQ
ECAD 285 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل MT55V512V Sram - غyer mtزakmn ، zbt 2.375V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 5 ns Sram 512K × 36 مويزي -
CY7C006A-20AXCT Infineon Technologies CY7C006A-20AXCTCTCT -
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 Infineon Technologies - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 64-LQFP CY7C006 Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 64-TQFP (14x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 1500 ماضلب 128kbit 20 ns Sram 16k × 8 مويزي 20ns
IS42S16800D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETLI -
RFQ
ECAD 6290 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) IS42S16800 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 108 133 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 6.5 ns دريم 8m × 16 مويزي -
IS25LX064-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLA3-TR 2.2957
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA IS25LX064 فlaش 2.7v ~ 3.6v 24-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS25LX064-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt فlaش 8m × 8 SPI - Octal I/O -
93C46-I/J Microchip Technology 93C46-I/J. 1.1800
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) 93C46 eeprom 4.5v ~ 5.5v تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الوشق ear99 8542.32.0051 1 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 1kbit eeprom 64 × 16 myizeRoyad 2ms
25LC640AT-E/MS Microchip Technology 25lc640at-e/ms 0.9200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP ، 8-MSOP (0.118 "، عبرة 3.00 ملم) 25LC640 eeprom 2.5v ~ 5.5v 8-msop تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 2500 10 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64kbit eeprom 8K × 8 spi 5 مللي
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون