SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AEEBBH6-12: ب -
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152-VBGA MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 152-VBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،20 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
MT53E2G64D8EG-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT: C. -
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT53E2G64D8EG-046WT: C. 1،260
N25Q128A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFE -
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - - N25Q128A13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 32M × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT: E TR -
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - عى الله 0000.00.0000 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
MT29F16T08GSLCEG4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GSLCEG4-QB: C. 312.5850
RFQ
ECAD 3687 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C. 1
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-IT: أ -
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
M29W640GL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZS6E -
RFQ
ECAD 4792 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 160 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
JS28F640J3F75D TR Micron Technology Inc. JS28F640J3F75D TR -
RFQ
ECAD 2039 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F640J3 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1600 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 75 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 75ns
MT62F3G32D8DV-026 AAT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AAT ES: B TR 163.3950
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AATES: BTR 2000 3.2 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 3G × 32 مويزي -
NAND512R3A2SZA6E Micron Technology Inc. nand512r3a2sza6e -
RFQ
ECAD 2091 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-TFBGA NAND512 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 290 غyer mtقlbة 512 ماميبوت 50 ns فlaش 64m × 8 مويزي 50ns
JS28F640P30BF75A Micron Technology Inc. JS28F640P30BF75A -
RFQ
ECAD 2729 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F640P30 فlaش - و 1.7v ~ 2v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt 75 ns فlaش 4M × 16 مويزي 75ns
MT48LC32M8A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A IT: G. -
RFQ
ECAD 4454 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC32M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1،080 167 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 5.4 ns دريم 32M × 8 مويزي 12ns
MT60B1G16HC-52B IT:G Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-52B IT: G. 18.2400
RFQ
ECAD 7376 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT60B1G16HC-52BIT: G. 1
MT53E384M32D2FW-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 WT: E TR 10.4600
RFQ
ECAD 2491 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 557-MT53E384M32D2FW-046WT: ETR 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 12 جyجabt 3.5 ns دريم 384M × 32 مويزي 18ns
MTFC128GASAQJP-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GASAQJP-AAIT 51.9900
RFQ
ECAD 4865 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-VFBGA MTFC128 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 1520 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 EMMC -
MT29F32G08AECBBH1-12:B Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12: ب -
RFQ
ECAD 7716 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100-VBGA MT29F32G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 مويزي -
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L 2.8800
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي ليموت MT29F1G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v ليموت - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L 1 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 - -
EDFM432A1PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PF-JD-FD -
RFQ
ECAD 6980 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) أبل السفلي - EDFM432 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،680 933 Myiغaiheartز ماضلب 12 جyجabt دريم 384M × 32 مويزي -
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CKCCBH2-12Z: C. -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 tbga MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100 TBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
MT55V512V36PT-7.5 Micron Technology Inc. MT55V512V36PT-7.5 17.3600
RFQ
ECAD 495 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - ZBT 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 Myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 4.2 ns Sram 512K × 36 مويزي -
N25Q00AA13GSF40G Micron Technology Inc. N25Q00AA13GSF40G -
RFQ
ECAD 5717 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) N25Q00AA13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 16 -o تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-1571-5 3A991B1A 8542.32.0071 1،225 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 256m × 4 spi 8ms ، 5 مللي
PC48F4400P0VB02F TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB02F TR -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 64 رحل PC48F4400 فlaش - و 1.7v ~ 2v 64-adybga (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2000 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت 85 ns فlaش 32M × 16 مويزي 85ns
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT: ب -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،360 1.6 جyجa hertز ماضلب 12 جyجabt دريم 384M × 32 - -
M29W640GB70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB70ZA6E -
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -M29W640GB70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
M29W040B70N6E Micron Technology Inc. M29W040B70N6E -
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W040 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 32-توتوب - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 156 غyer mtقlbة 4mbit 70 ns فlaش 512K × 8 مويزي 70ns
MT28EW128ABA1LPN-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1LPN-6SIT TR -
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-VFBGA MT28EW128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-VFBGA (7x9) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 128mbit 95 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 60ns
M29W400DB55N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DB55N6F TR -
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W400 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 1500 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
MT62F3G32D8DV-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AIT: B TR 86.2050
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT62F3G32D8DV-023AIT: BTR 2000
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A TR -
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) MT53E1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT53E1G64D4SQ-046AAT: ATR عى الله 0000.00.0000 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 1g × 64 - -
MT53D4DDSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DDSB-DC -
RFQ
ECAD 1852 0.00000000 Micron Technology Inc. * حجm -pier نوز MT53D4 - الإلهال 0000.00.0000 1،190
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون