- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيتشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الدائرة المتكاملة (ICs)(10403)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 | - |  | 3687 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | يموت | MT29F1G08 | فلاش - ناند | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | يموت | - | متوافق مع ROHS3 | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1 | غير متطايرة | 1 جيجابت | فلاش | 128 م × 8 | أبعادي | - | ||||
| MT29F512G08CKCABH7-10: أ | - | | 9323 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 557-MT29F512G08CKCABH7-10:أ | عفا عليه الزمن | 980 | ||||||||||||||||||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES | - | | 9497 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | يموت | MT29F256G08 | فلاش - ناند (TLC) | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | يموت | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1 | 333 ميجا هرتز | غير متطايرة | 256 جيجابت | فلاش | 32 جرام × 8 | أبعادي | - | ||||
 | MT29C4G48MAZBAAKS-5 بالوزن TR | - | | 5923 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -25 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 137-ففبجا | MT29C4G48 | فلاش - ناند، LPDRAM للموبايل | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 137-VFBGA (13x10.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 200 ميجا هرتز | غير متقلبة، متقلبة | 4 جيجابت (ناند)، 2 جيجابت (LPDRAM) | فلاش، ذاكرة الوصول العشوائي | 256 ميجا × 16 (ناند)، 128 ميجا × 16 (LPDRAM) | أبعادي | - | ||||
 | MT46V64M8BN-6 IT:F TR | - | | 9394 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 60-تبجا | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 60-إف بي جي (10x12.5) | تحميل | RoHS غير متوافق | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 700 ريال | دير | 64 م × 8 | أبعادي | 15ns | ||
| MT46V32M16BN-75 معلومات تقنية:C | - | | 4018 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 60-تبجا | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 60-إف بي جي (10x12.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 5 (48 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 750 ملاحظة | دير | 32 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR | 8.4150 | | 1181 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 48-TFSOP (0.724 بوصة، عرض 18.40 ملم) | MT29F8G08 | فلاش - ناند (SLC) | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 48-TSOP I | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | MT29F8G08ADAFAWP-AIT:FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غير متطايرة | 8 جيجابت | فلاش | 1 جرام × 8 | أبعادي | - | |||
 | MT47H64M16HR-3 أت:ح تر | - | | 8765 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 84-تبجا | MT47H64M16 | سدرام - DDR2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 84-إف باي جي إيه (8x12.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 1000 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 450 ريال | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
| MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M | - | | 3431 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | يموت | MT29F64G08 | فلاش - ناند (MLC) | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | يموت | - | متوافق مع ROHS3 | البائع غير محدد | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1 | غير متطايرة | 64 جيجابت | فلاش | 8 جيجا × 8 | أبعادي | - | |||||
 | MT40A512M8SA-062E آيت:F | 14.0850 | | 5201 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | MT40A512M8 | سدرام - DDR4 | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت | 78-إف باي جي إيه (7.5x11) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | MT40A512M8SA-062EAIT:F | إير99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 19 نانو ثانية | دير | 512 م × 8 | أبعادي | 15ns | |
| MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 | 3.5200 | | 5166 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | يموت | MT29F4G08 | فلاش - ناند (SLC) | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | يموت | - | متوافق مع ROHS3 | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | 8542.32.0071 | 1 | غير متطايرة | 4 جيجابت | فلاش | 512 م × 8 | أبعادي | - | |||||
 | MT53E768M64D4HJ-046 أت:C تر | 64.0350 | | 3574 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 556-تبجا | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | متوافق مع ROHS3 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: نسبة الضغط إلى أزياء | 2000 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 48 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 768 م × 64 | أبعادي | 18 نانو | ||||||
| MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 18.3750 | | 8592 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | صندوق | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 149-ففبجا | فلاش - ناند (SLC)، درام - LPDDR4 | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 149-VFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 1 | غير متقلبة، متقلبة | 8 جيجابت | 25 نانو ثانية | فلاش، ذاكرة الوصول العشوائي | 1 جرام × 8 | ONFI | 30ns | ||||||||
 | MTFC32GASAQHD-AIT TR | 17.4000 | | 2096 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 153-ففبجا | MTFC32G | فلاش - ناند | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 153-VFBGA (11.5x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 557-MTFC32GASAQHD-AITTR | 2000 | 200 ميجا هرتز | غير متطايرة | 256 جيجابت | فلاش | 32 جرام × 8 | eMMC | - | ||||
| MT53B256M32D1GZ-062 بالوزن: ب | - | | 1302 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.1 فولت | 200-WFBGA (11x14.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | دير | 256 م × 32 | - | - | ||||
| MT53D2G32D8QD-046 بالوزن ES:E TR | - | | 5019 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | MT53D2G32 | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.1 فولت | - | 1 (غير محدود) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 2000 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 64 جيجابت | دير | 2 جيجا × 32 | - | - | ||||||||
 | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R: ب | - | | 5211 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 132-فبغا | MT29F1HT08 | فلاش - ناند | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | 132-فغا (12x18) | - | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 ميجا هرتز | غير متطايرة | 1.5 تيرا بايت | فلاش | 192 جرام × 8 | أبعادي | - | |||||
| M29F040B70K6 | - | | 4341 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 32-LCC (ي-الرصاص) | M29F040 | فلاش - ولا | 4.5 فولت ~ 5.5 فولت | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0071 | 32 | غير متطايرة | 4 ميجابت | 70 نانو ثانية | فلاش | 512 كيلو × 8 | أبعادي | 70 نانو | |||
 | MT25QU512ABB8ESF-0SIT | - | | 3017 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 16-سويك (0.295 بوصة، عرض 7.50 ملم) | MT25QU512 | فلاش - ولا | 1.7 فولت ~ 2 فولت | 16-سو | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 ميجا هرتز | غير متطايرة | 512 ميجابت | فلاش | 64 م × 8 | SPI | 8 مللي ثانية ، 2.8 مللي ثانية | |||
| M25PX32-VMF6E | - | | 2423 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 16-سويك (0.295 بوصة، عرض 7.50 ملم) | M25PX32 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 16-سو | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 75 ميجا هرتز | غير متطايرة | 32 ميجابت | فلاش | 4 م × 8 | SPI | 15 مللي ثانية، 5 مللي ثانية | |||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 تر | 20.2200 | | 2110 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 149-ففبجا | فلاش - ناند (SLC)، درام - LPDDR4 | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 149-VFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR | 2000 | غير متقلبة، متقلبة | 8 جيجابت | 25 نانو ثانية | فلاش، ذاكرة الوصول العشوائي | 1 جرام × 8 | ONFI | 30ns | ||||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 آيت:ب | 14.7000 | | 5366 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | صندوق | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-تبجا | SDRAM - LPDDR4X المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT:ب | 1 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 16 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 512 م × 32 | أبعادي | 18 نانو | |||||||
 | MT48H16M32LFCM-75:B تر | - | | 3073 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-ففبجا | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-VFBGA (10x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 2 (1 سنة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | 15ns | ||
| MT41K512M16VRP-107 أت:ص | 18.4350 | | 3457 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | صندوق | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 96-إف باي جي ايه (8 × 14) | تحميل | 557-MT41K512M16VRP-107AAT:ص | 1 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 512 م × 16 | أبعادي | 15ns | |||||||
| MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F | 5.3900 | | 564 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 48-TFSOP (0.724 بوصة، عرض 18.40 ملم) | MT29F4G08 | فلاش - ناند (SLC) | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 48-TSOP I | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | غير متطايرة | 4 جيجابت | فلاش | 512 م × 8 | أبعادي | - | |||
| MT53E4D1BHJ-DC | 22.5000 | | 8794 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | نشيط | MT53E4 | - | الوصول إلى غير متأثر | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT53E256M16D1FW-046 بالوزن: B TR | 7.4850 | | 5256 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-تبجا | SDRAM - LPDDR4X المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت | 200-TFBGA (10x14.5) | تحميل | 557-MT53E256M16D1FW-046WT:BTR | 2000 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 256 م × 16 | أبعادي | 18 نانو | |||||||
 | N25Q128A21BF840E | - | | 6945 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-لوحة VDFN الاشتراكية | N25Q128A21 | فلاش - ولا | 1.7 فولت ~ 2 فولت | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 ميجا هرتز | غير متطايرة | 128 ميجابت | فلاش | 32 م × 4 | SPI | 8 مللي ثانية، 5 مللي ثانية | ||||
| MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E | 26.4750 | | 2373 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | صندوق | نشيط | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29DW323DB5AN6F تي آر | - | | 6350 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 48-TFSOP (0.724 بوصة، عرض 18.40 ملم) | M29DW323 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 48-TSOP I | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1500 | غير متطايرة | 256 ميجابت | 55 نانو ثانية | فلاش | 16 م × 16 | أبعادي | 55 نانو |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 العناصر)