SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT55L64L36P1T-10 Micron Technology Inc. MT55L64L36P1T-10 5.5100
RFQ
ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 myiغaiheartز ماضلب 2Mbit 5 ns Sram 64k × 36 مويزي -
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AAT: A TR 8.7450
RFQ
ECAD 3095 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: ATR 2000
MT62F1G32D2DS-023 AIT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AIT: C. 29.0250
RFQ
ECAD 8414 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز - أبل السفلي 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AIT: ج 1 4.266 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 مويزي -
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR 13.2750
RFQ
ECAD 2178 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt 3.5 ns دريم 512M × 32 مويزي 18ns
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AUT: E. -
RFQ
ECAD 3305 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT53E384M32D2DS-053AUT: E. ear99 8542.32.0036 1،360 1.866 جyجa hertز ماضلب 12 جyجabt دريم 384M × 32 - -
MT40A512M16LY-062E AT:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E فy: E TR -
RFQ
ECAD 8981 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 - 96-FBGA (7.5x13.5) - 557-MT40A512M16LY-062EAT: ETR عى الله 8542.32.0071 2000 1.6 جyجa hertز غyer mtقlbة 8gbit دريم 512M × 16 - -
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC-IT: E TR 4.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F2G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 مويزي -
MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.209 "، ، ، 5.30 ملم) MT25QU128 فlaش - و 1.7v ~ 2v 8-so - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 1500 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 16M × 8 spi 1.8 مللي
MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR -
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله MT29VZZZ7 - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1000
MT40A512M16TD-062E AIT:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AIT: R TR -
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 96-TFBGA 96-FBGA (7.5x13) - الإلهال 557-MT40A512M16TD-062EAIT: RTR 1
MT29F256G08CECABH6-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-10: أ -
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 557-MT29F256G08CECABH6-10: أ عى الله 1000
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT -
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 130-VFBGA MT29C1G56 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 130-VFBGA (8x9) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 1GBIT (NAND) ، 256 MMIجABT (LPDRAM) فlaش ، رام 64M × 16 (NAND) ، 16M × 16 (LPDRAM) مويزي -
MT62F2G64D8EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT: C TR 90.4650
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT: CTR 2000 4.266 جyجa hertز ماضلب 128 جyجabt دريم 2G × 64 مويزي -
JS28F320J3F75A Micron Technology Inc. JS28F320J3F75A -
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F320J3 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 576 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 75 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 75ns
MT48LC8M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2F4-75: G TR -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 5.4 ns دريم 8m × 16 مويزي 15ns
MT29F2T08EELCHD4-QC:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ELCHD4-QC: C. 41.9550
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F2T08EELCHD4-QC: C. 1
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله M36L0R7050 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1560
MT55V512V36PT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V36PT-10 17.3600
RFQ
ECAD 285 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل MT55V512V Sram - غyer mtزakmn ، zbt 2.375V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 5 ns Sram 512K × 36 مويزي -
M29W800DT70N1 Micron Technology Inc. M29W800DT70N1 -
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W800 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 8mbit 70 ns فlaش 1M × 8 ، 512 كyelo × 16 مويزي 70ns
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES: B TR -
RFQ
ECAD 9922 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 272-VFBGA MT29F1T208 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 272-VBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1.125Tbit فlaش 144g × 8 مويزي -
MT40A2G8NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E: R TR 21.7650
RFQ
ECAD 4628 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT40A2G8NEA-062E: RTR 2000 1.6 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt 13.75 NS دريم 2G × 8 مويزي 15ns
MT40A1G16KH-062E AUT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AUT: E TR 24.0300
RFQ
ECAD 8754 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) تومويل 557-MT40A1G16KH-062EAUT: ETR 3000 1.6 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt 19 NS دريم 1g × 16 تراب 15ns
M25P20-VMN6PBA Micron Technology Inc. M25P20-VMN6PBA -
RFQ
ECAD 7898 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) M25P20 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 8-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0071 2000 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 2Mbit فlaش 256k × 8 spi 15ms ، 5 مللي
MT62F512M128D8TE-031 XT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M128D8TE-031 XT: B TR 68.0400
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT62F512M128D8TE-031XT: BTR 2000
MTFC128GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC128GBCAVTC-AAT ES 60.4800
RFQ
ECAD 1573 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MTFC128GBCAVTC-AATES 1
MT58L32L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L32L32FT-10 6.4500
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل MT58L32L32 SRAM - MTزAMN 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2B 8542.32.0041 1 66 Myiغaiheartز ماضلب 1Mbit 10 ns Sram 32k × 32 مويزي -
MT40A1G16RC-062E:B Micron Technology Inc. MT40A1G16RC-062E: ب -
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1،360 1.6 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt 19 NS دريم 1g × 16 مويزي 15ns
NAND512W3A2DZA6E Micron Technology Inc. nand512w3a2dza6e -
RFQ
ECAD 2127 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-TFBGA NAND512 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -nand512w3a2dza6e 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 512 ماميبوت 50 ns فlaش 64m × 8 مويزي 50ns
M29DW256G7ANF6E Micron Technology Inc. M29DW256G7ANF6E -
RFQ
ECAD 9211 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29DW256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 70 ns فlaش 16m × 16 مويزي 70ns
MT29F4T08EULCEM4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULCEM4-QJ: C TR 121.0800
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ: CTR 2000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون