- RFQ
- بوم
- اتصل بنا
Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- التركية
- إيطالي
- دانماركي
- روماني
- إندونيسي
- التشيكية
- أفريكانيين
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- كاتالونية
- إسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- أمهرية
- أرمني
- أذربيجاني
- البيلاروسي
- البنغالية
- البوسني
- البلغارية
- سيبوانو
- تشيشيكا
- كورسيكان
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- فريسيان
- جاليكيان
- الجورجي
- غوجاراتية
- الهايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجري
- الأيسلندية
- الإغبو
- الجاوية
- الكانادا
- كازاخاخية
- الخمير
- كردي
- قيرغيز
- اللاتينية
- لاتفيان
- الليتواني
- لوكسمبو ..
- مقدوني
- الملغاشية
- الملايو
- الملايالام
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولي
- البورمي
- النيبالي
- النرويجية
- الباشتو
- فارسي
- البنجابية
- الصربي
- Sesotho
- سنهالية
- سلوفاك
- سلوفيني
- صومالي
- ساموا
- الاسكتلنديين الغيليك
- شونا
- السندي
- صنداني
- السواحيلية
- طاجيك
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- أوزبك
- الفيتنامي
- الويلزية
- Xhosa
- اليديشية
- يوروبا
- زولو
- كينيارواندا
- التتار
- أوريا
- تركمان
- أويغور
دوازر ماوتامال (ICS) (10403)
| حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | العلم - العرف | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | شهاء روهس | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29DW256G7ANF6E | - |  | 9211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29DW256 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 56-توتوب | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | غyer mtقlbة | 256 Myiجabt | 70 ns | فlaش | 16m × 16 | مويزي | 70ns | |||
| MT40A1G16RC-062E: ب | - | | 8406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10x13) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 19 NS | دريم | 1g × 16 | مويزي | 15ns | |||
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR | 13.2750 | | 2178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 3.5 ns | دريم | 512M × 32 | مويزي | 18ns | |||
| MTFC128GASAONS-AAIN | 67.0200 | | 5169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q104 | صnadoق | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 153-TFBGA | فlaش - nand (SLC) | 2.7v ~ 3.6v | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GASAONS-AAIT | 1 | 52 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 1Tbit | فlaش | 128g × 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT62F2G64D8EK-023 AUT: C. | 145.4250 | | 8853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AUT: C. | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M28W320FCT70ZB6E | - | | 1031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 47-TFBGA | M28W320 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 47-TFBGA (6.39x6.37) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1،380 | غyer mtقlbة | 32 Myiجabt | 70 ns | فlaش | 2M × 16 | مويزي | 70ns | |||
| MTFC256GAVATTC-AAIT TR | 82.2150 | | 2803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MTFC256GAVATTC-AITTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A2G8NEA-062E: J TR | - | | 1208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR | عى الله | 2000 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 19 NS | دريم | 2G × 8 | مويزي | 15ns | |||
| 1787 TR | 59.8650 | | 8903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-1787TR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-053 BALOزN: ب | - | | 5939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 366-WFBGA (15x15) | - | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1،190 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 24 جyجabt | دريم | 384m × 64 | - | - | |||||
| MT66R7072A10AB5ZW.ZCA | - | | 5424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | عى الله | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) | أبل السفلي | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM - LPDDR2 ، MCP - LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 121-VFBGA (11x10) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 166 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 1GBIT (PCM) ، 512 MMYجABT (MCP) | أب | 128m × 8 (PCM) ، 64 م × 8 (MCP) | مويزي | - | ||||
| MT53D1024M32D4BD-046 WT: D TR | - | | 9130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT53D1024M32D4BD-046WT: DTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | - | - | ||||
| MT42L16M32D1HE-18 AUT: E TR | 7.6800 | | 6201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT42L16M32D1HE-18AUT: ETR | 2500 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-046 BALOزN: أ | - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | MT53E128M16D1DS-046WT: أ | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 2gbit | دريم | 128 م × 16 | - | - | ||||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: C TR | 25.1400 | | 2118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT62F1G32D2DS-023it: CTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F4G32D8DV-023 IT: B TR | 99.5250 | | 6240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -40 دكر مويزي ~ 95 دري مويزي | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023it: BTR | 2000 | 4.266 جyجa hertز | ماضلب | 128 جyجabt | دريم | 4G × 32 | مويزي | - | ||||||||
| MT53E4DADT-DC TR | 22.5000 | | 4253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | MT53E4 | - | Rohs3 mtoaفق | الإلهال | 557-MT53E4DADT-DCTR | 2000 | ||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT ES: C TR | 22.8450 | | 3297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: CTR | 2000 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | مويزي | - | ||||||||
 | MT29F64G08AECABJ1-10Z: أ | - | | 8239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F64G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 64 جyجa بت | فlaش | 8g × 8 | مويزي | - | ||||
| MT46H256M32R4JV-5 IT: ب | - | | 1512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7v ~ 1.95v | 168-VFBGA (12x12) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 myiغaiheartز | ماضلب | 8gbit | 5 ns | دريم | 256m × 32 | مويزي | 15ns | |||
 | MT53E128M32D2FW-046 WT: A TR | 7.9200 | | 9758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 557-MT53E128M32D2FW-046WT: ATR | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 4gbit | 3.5 ns | دريم | 128 م × 32 | مويزي | 18ns | ||||||
 | MTFC256GASAONS-IT | 111.7200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | صyniة | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 153-TFBGA | MTFC256 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | -791-MTFC256GASAONS-IT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1520 | 52 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 2Tbit | فlaش | 256g × 8 | UFS2.1 | - | ||
| MT52L256M32D1PU-107 WT: B TR | - | | 6952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2v | - | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 933 Myiغaiheartز | ماضلب | 8gbit | دريم | 256m × 32 | - | - | |||||||
| MT62F768M64D4EK-023 AAT: ب | 47.8950 | | 5053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | - | أبل السفلي | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: ب | 1 | 4.266 جyجa hertز | ماضلب | 48Gbit | دريم | 768M × 64 | مويزي | - | |||||||
| MT61M512M32KPA-14 N: C TR | 42.1050 | | 8544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT61M512M32KPA-14N: CTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D6DABE-DC | - | | 2172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | توفت | - | الإلهال | 0000.00.0000 | 1،360 | ||||||||||||||||||||
 | MT29AZ5A3CHWD-18AAT.84F | - | | 5765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | عى الله | -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) | أبل السفلي | 162-VFBGA | MT29AZ5A3 | Flash - NAND ، Mobile LPDRAM | 1.7v ~ 1.9v | 162-VFBGA (10.5x8) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1440 | 533 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة ، mtقlbة | 4GBIT (NAND) ، 8gbit (LPDDR2) | فlaش ، رام | 512M × 8 (NAND) ، 512M × 16 (LPDDR2) | مويزي | - | |||
| MT40A4G4JC-062E: E TR | - | | 2678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11) | تومويل | 557-MT40A4G4JC-062E: ETR | عى الله | 2000 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 19 NS | دريم | 4G × 4 | تراب | 15ns | ||||||
| EDF8132A3PB-GD-FD | - | | 9321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | - | EDF8132 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،680 | 800 myiغaiheartز | ماضلب | 8gbit | دريم | 256m × 32 | مويزي | - | ||||
 | MT29F256G08CEEABH6-12it: A TR | - | | 1802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 152-VBGA | MT29F256G08 | فlaش - nand (MLC) | 2.5v ~ 3.6v | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1000 | 83 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - |
2000+
متوسط حجم RFQ اليومي
30،000،000
وحدة المنتج القياسية
2800+
المصنعين في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الأمنيات (0 عناصر)