- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الدائرة المتكاملة (ICs)(10403)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F2G08ABBFAH4: ف | - |  | 1309 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 63-ففبجا | MT29F2G08 | فلاش - ناند | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 63-VFBGA (9x11) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1,260 | غير متطايرة | 2 جيجابت | فلاش | 256 م × 8 | أبعادي | - | |||||
 | MT40A512M8SA-062E:F تر | 8.3250 | | 7717 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | سدرام - DDR4 | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت | 78-إف باي جي إيه (7.5x11) | تحميل | 557-MT40A512M8SA-062E: تقارير المعاملات المالية | 2000 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 19 نانو ثانية | دير | 512 م × 8 | جراب | 15ns | |||||||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 | - | | 1216 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | يموت | MT29F2G08 | فلاش - ناند | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | يموت | - | متوافق مع ROHS3 | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | غير متطايرة | 2 جيجابت | فلاش | 256 م × 8 | أبعادي | - | |||||
| MT62F768M32D2DS-026 بالوزن:B TR | 17.6400 | | 5455 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT:BTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
 | MT47H32M16HW-25E: جي | - | | 3579 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 84-تبجا | MT47H32M16 | سدرام - DDR2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 84-إف باي جي إيه (8x12.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | إير99 | 8542.32.0028 | 1000 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 400 لار | دير | 32 م × 16 | أبعادي | 15ns | |||
| MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR | 3.1665 | | 6983 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT:GTR | 2500 | |||||||||||||||||||||
| MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C | - | | 9768 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -30 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | - | - | MT53B256 | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.1 فولت | - | - | 1 (غير محدود) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1,540 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | دير | 256 م × 32 | - | - | |||||
 | MT29E384G08EBHBBJ4-3:B تر | - | | 5109 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 132-فبغا | MT29E384G08 | فلاش - ناند | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | 132-فغا (12x18) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 ميجا هرتز | غير متطايرة | 384 جيجابت | فلاش | 48 جرامًا × 8 | أبعادي | - | |||
| MT29TZZZ7D7DKLAH-107 ث ES.9B7 | - | | 6264 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | - | 1 (غير محدود) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||||
 | PC28F00AP33EF0 | - | | 9285 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | أكسل™ | سايا | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 64-TBGA | PC28F00A | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 64-إيزي بغا (8x10) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 ميجا هرتز | غير متطايرة | 1 جيجابت | 95 نانو ثانية | فلاش | 64 م × 16 | أبعادي | 95ns | ||
 | MT53E2G32D4DT-046 بالوزن: أ | 96.1650 | | 4720 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | نشيط | -30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | MT53E2G32 | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.1 فولت | - | الوصول إلى غير متأثر | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:أ | 136 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 64 جيجابت | دير | 2 جيجا × 32 | - | - | |||||||||
 | MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR | - | | 4200 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | جبل السطح | 121-WFBGA | 121-VFBGA (8x7.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | ||||||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 أت:أ تر | 122.8500 | | 1909 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 556-LFBGA | SDRAM - LPDDR4X المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: أتر | 2000 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 128 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 2 جيجا × 64 | أبعادي | 18 نانو | |||||||
| MT28HL64GRBA6EBL-0GCT | - | | 8251 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | MT28HL64 | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||||
| MT53B384M64D4EZ-062 بالوزن: ب | - | | 5330 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | - | - | MT53B384 | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.1 فولت | - | - | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0036 | 1,120 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 24 جيجابت | دير | 384 م × 64 | - | - | ||||
| MT53D4DHSB-DC تر | - | | 6412 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | توقف في SIC | MT53D4 | - | الوصول إلى غير متأثر | 0000.00.0000 | 2000 | |||||||||||||||||||
 | N25Q128A13BSFH0F | - | | 1124 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 16-سويك (0.295 بوصة، عرض 7.50 ملم) | N25Q128A13 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 16-سو | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | عفا عليه الزمن | 0000.00.0000 | 1000 | 108 ميجا هرتز | غير متطايرة | 128 ميجابت | فلاش | 32 م × 4 | SPI | 8 مللي ثانية، 5 مللي ثانية | ||||
 | MTFC4GMWDQ-3M آي تي آر | - | | 8064 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | e•MMC™ | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-إل بي جي ايه | MTFC4 | فلاش - ناند | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 100-إل بي جي ايه (14×18) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غير متطايرة | 32 جيجابت | فلاش | 4 جيجا × 8 | إم إم سي | - | ||||
 | MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR | 5.5648 | | 6756 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 56-TFSOP (0.724 بوصة، عرض 18.40 ملم) | MT28EW128 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 56-تسوب | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1600 | غير متطايرة | 128 ميجابت | 95 نانو ثانية | فلاش | 16 م × 8، 8 م × 16 | أبعادي | 60ns | |||
| MT25QL128ABA1EW7-0M02IT | - | | 2178 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-WDFN لوحة مائية | MT25QL128 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 557-MT25QL128ABA1EW7-0M02IT | عفا عليه الزمن | 2,940 | 133 ميجا هرتز | غير متطايرة | 128 ميجابت | فلاش | 16 م × 8 | SPI | 1.8 مللي ثانية | ||||
 | M25PE80-VMP6TG تي آر | - | | 5781 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-لوحة VDFN الاشتراكية | M25PE80 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0071 | 4000 | 75 ميجا هرتز | غير متطايرة | 8 ميغا | فلاش | 1 م × 8 | SPI | 15 مللي ثانية، 3 مللي ثانية | |||
 | MT29C1G12MAACVAMD-5 تكنولوجيا المعلومات TR | - | | 8326 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 130-ففبجا | MT29C1G12 | فلاش - ناند، LPDRAM للموبايل | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 130-VFBGA (8x9) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 200 ميجا هرتز | غير متقلبة، متقلبة | 1 جيجابت (ناند)، 512 ميجابايت (LPDRAM) | فلاش، ذاكرة الوصول العشوائي | 128 م × 8 (ناند)، 32 م × 16 (LPDRAM) | أبعادي | - | ||||
| MT53E2G32D4DE-046 أوت:C | 64.9800 | | 2649 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | صندوق | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-تبجا | SDRAM - LPDDR4X المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT:C | 1 | 2.133 جيجا هرتز | متقلب | 64 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 2 جيجا × 32 | أبعادي | 18 نانو | |||||||
| MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR | - | | 7203 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-ففبجا | MT53B768 | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.1 فولت | 200-VFBGA (10x14.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 24 جيجابت | دير | 768 م × 32 | - | - | |||
 | MT46V32M8P-6T IT:G TR | - | | 9051 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16 مم) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 66-تسوب | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 700 ريال | دير | 32 م × 8 | أبعادي | 15ns | ||
 | MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | - | | 4842 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-ففبجا | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-VFBGA (10x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1000 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | 15ns | ||
 | RC28F160C3TD70A | - | | 1049 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 64-TBGA | RC28F160 | فلاش - كتلة المحتوى | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 64-إيزي بغا (10x13) | تحميل | RoHS غير متوافق | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0071 | 144 | غير متطايرة | 16 ميغا | 70 نانو ثانية | فلاش | 1 م × 16 | أبعادي | 70 نانو | |||
| MT41K2G4TRF-125:E TR | - | | 8379 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | MT41K2G4 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف باي جي إيه (9.5x11.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 13.5 نانو ثانية | دير | 2 جيجا × 4 | أبعادي | - | ||
 | EDB1332BDBH-1DIT-FD | - | | 7953 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 134-ففبجا | EDB1332 | SDRAM-LPDDR2 المحمول | 1.14 فولت ~ 1.95 فولت | 134-VFBGA (10x11.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 1,680 | 533 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | دير | 32 م × 32 | أبعادي | - | |||
| MT41K1G4RH-125:E | - | | 3649 | 0.00000000 | شركة ميكرون قوية | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | MT41K1G4 | سدرام - DDR3 | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف باي جي إيه (9x10.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 13.75 نانو ثانية | دير | 1 جرام × 4 | أبعادي | - |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 العناصر)