- RFQ
- بوم
- اتصل بنا
Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- التركية
- إيطالي
- دانماركي
- روماني
- إندونيسي
- التشيكية
- أفريكانيين
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- كاتالونية
- إسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- أمهرية
- أرمني
- أذربيجاني
- البيلاروسي
- البنغالية
- البوسني
- البلغارية
- سيبوانو
- تشيشيكا
- كورسيكان
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- فريسيان
- جاليكيان
- الجورجي
- غوجاراتية
- الهايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجري
- الأيسلندية
- الإغبو
- الجاوية
- الكانادا
- كازاخاخية
- الخمير
- كردي
- قيرغيز
- اللاتينية
- لاتفيان
- الليتواني
- لوكسمبو ..
- مقدوني
- الملغاشية
- الملايو
- الملايالام
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولي
- البورمي
- النيبالي
- النرويجية
- الباشتو
- فارسي
- البنجابية
- الصربي
- Sesotho
- سنهالية
- سلوفاك
- سلوفيني
- صومالي
- ساموا
- الاسكتلنديين الغيليك
- شونا
- السندي
- صنداني
- السواحيلية
- طاجيك
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- أوزبك
- الفيتنامي
- الويلزية
- Xhosa
- اليديشية
- يوروبا
- زولو
- كينيارواندا
- التتار
- أوريا
- تركمان
- أويغور
دوازر ماوتامال (ICS) (10403)
| حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | العلم - العرف | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | حalة rohs | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C. | 56.5050 |  | 9598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | تومويل | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: C. | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 64 جyجa بت | 3.5 ns | دريم | 1g × 64 | مويزي | 18ns | |||||||
 | MT29F256G08CBCBBWP-10es: B TR | - | | 5515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | MT29F256G08 | فlaش - nand (MLC) | 2.7v ~ 3.6v | 48-TSOP i | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - | |||
 | MT29F4G01ABAFD12-AATES: f | - | | 8709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 24 TBGA | MT29F4G01 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1،122 | غyer mtقlbة | 4gbit | فlaش | 4G × 1 | spi | - | ||||
| MT53B256M32D1NK-062 XT ES: C. | - | | 1515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | - | 1 (غyer mحdod) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،190 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | دريم | 256m × 32 | - | - | |||||
| MT44K64M18RB-093F: أ | - | | 3738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 168 TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | - | 1 (غyer mحdod) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1،190 | 1.066 جyجa hertز | ماضلب | 1.125Gbit | 7.5 ns | دريم | 64m × 18 | مويزي | - | |||
 | MTFC16GJGEF-AAIT Z TR | - | | 5925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 169-TFBGA | MTFC16G | فlaش - nand | 1.65V ~ 3.6V | 169-TFBGA (14x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غyer mtقlbة | 128 جyجabt | فlaش | 16g × 8 | MMC | - | ||||
 | M28W320HSU70ZA6E | - | | 2773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 64-TFBGA | M28W320 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 64-TFBGA (10.5x6.39) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | -M28W320HSU70ZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | غyer mtقlbة | 32 Myiجabt | 70 ns | فlaش | 2M × 16 | مويزي | 70ns | ||
 | MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 17.9500 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-wdfn lloحة mكشoفة | MT25QL01 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1920 | 133 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 1Gbit | فlaش | 128 م × 8 | spi | 8ms ، 2.8ms | ||
 | MT53D384M32D2DS-053 BALOزN: ج | - | | 3524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،360 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 12 جyجabt | دريم | 384M × 32 | - | - | ||||
| NAND512R3A2SN6F | - | | 1864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | NAND512 | فlaش - nand | 1.7v ~ 1.95v | 48-TSOP i | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غyer mtقlbة | 512 ماميبوت | 50 ns | فlaش | 64m × 8 | مويزي | 50ns | ||||
 | MT58L256L36PS-7.5 | 10.4200 | | 69 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | SRAM - الماعير | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | العداد غyer ميدد | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 Myiغaiheartز | ماضلب | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k × 36 | مويزي | - | |||
| MT53B384M64D4NK-053 WT ES: ب | - | | 5136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 366-WFBGA (15x15) | - | 1 (غyer mحdod) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،190 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 24 جyجabt | دريم | 384m × 64 | - | - | |||||
| MT47H256M8THN-25E IT: H. | - | | 9205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | توفت | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7v ~ 1.9v | 63-FBGA (8x10) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 400 myiغaiheartز | ماضلب | 2gbit | 400 ps | دريم | 256m × 8 | مويزي | 15ns | ||
 | M29F400BB45N1 | - | | 7184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29F400 | فlaش - و | 4.5v ~ 5.5v | 48-TSOP | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | غyer mtقlbة | 4mbit | 45 ns | فlaش | 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 | مويزي | 45ns | |||
 | M25PE40-VMP6G | - | | 2750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-Vdfn lloحة mكشoفة | M25PE40 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 4mbit | فlaش | 512K × 8 | spi | 15ms ، 3 مللي | ||||
| M29F040B55N1 | - | | 6833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 32-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29F040 | فlaش - و | 4.5v ~ 5.5v | 32-توتوب | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | غyer mtقlbة | 4mbit | 55 NS | فlaش | 512K × 8 | مويزي | 55ns | |||
 | MT29F1T08EMCAGJ4-5M: أ | - | | 7807 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F1T08 | فlaش - nand | 2.5v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | عى الله | 1،20 | غyer mtقlbة | 1Tbit | فlaش | 128g × 8 | مويزي | |||||||||
 | MT53E256M32D2FW-046 AAT: ب | 15.4950 | | 5679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | تومويل | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: ب | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | 3.5 ns | دريم | 256m × 32 | مويزي | 18ns | |||||||
| MT29F1T08CMCBBJ4-37: B TR | - | | 8014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F1T08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 267 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 1Tbit | فlaش | 128g × 8 | مويزي | - | |||
 | MT29F4G01ABAFDWB-ITES: F. | - | | 2927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-udfn | MT29F4G01 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 8 UPDFN (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1920 | غyer mtقlbة | 4gbit | فlaش | 4G × 1 | spi | - | ||||
| MT53B512M64D4TX-053 WT ES: C TR | - | | 9887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1000 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 512M × 64 | - | - | ||||
| MT25QL256ABA1EW9-0SIT | 5.9500 | | 50 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-wdfn lloحة mكشoفة | MT25QL256 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1920 | 133 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 Myiجabt | فlaش | 32M × 8 | spi | 8ms ، 2.8ms | |||
| M58LR256KB70ZC5Z | - | | 9144 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) | أبل السفلي | 79-VFBGA | M58LR256 | فlaش - و | 1.7v ~ 2v | 79-VFBGA (9x11) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | -M58LR256KB70ZC5Z | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1740 | 66 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 Myiجabt | 70 ns | فlaش | 16m × 16 | مويزي | 70ns | |
| MTFC64GANALAM-WT | - | | 6411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | صyniة | عى الله | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) | - | - | MTFC64 | فlaش - nand | - | - | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1520 | غyer mtقlbة | 512Gbit | فlaش | 64g × 8 | MMC | - | ||||
| MT53E256M32D2FW-046 WT: B TR | 11.6400 | | 9792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | تومويل | 557-MT53E256M32D2FW-046WT: BTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | 3.5 ns | دريم | 256m × 32 | مويزي | 18ns | |||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT: C. | 42.4500 | | 7309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | تومويل | 557-MT53E2G32D4DE-046WT: C. | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 64 جyجa بت | 3.5 ns | دريم | 2G × 32 | مويزي | 18ns | |||||||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C. | - | | 6774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C. | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29F200FT55N3F2 TR | - | | 7685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29F200 | فlaش - و | 4.5v ~ 5.5v | 48-TSOP i | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0071 | 1500 | غyer mtقlbة | 2Mbit | 55 NS | فlaش | 256k × 8 ، 128k × 16 | مويزي | 55ns | |||
| MT29F1T08EEHAFJ4-3TES: أ | - | | 8138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F1T08 | فlaش - nand | 2.5v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1،20 | 333 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 1Tbit | فlaش | 128g × 8 | مويزي | - | |||
| MT53B512M32D2GZ-062 AIT: ب | - | | 1767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | عى الله | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (11x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | دريم | 512M × 32 | - | - |
2000+
متوسط حجم RFQ اليومي
30،000،000
وحدة المنتج القياسية
2800+
المصنعين في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الأمنيات (0 عناصر)