SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT40A2G4SA-075 C:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075 C: E. -
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 557-MT40A2G4SA-075C: E. عى الله 1،260 1.33 جyجa hertز ماضلب 8gbit 19 NS دريم 2G × 4 مويزي 15ns
MT46H1DAMA-DC TR Micron Technology Inc. MT46H1DAMA-DC TR -
RFQ
ECAD 6391 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز MT46H1D - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 1000
MT40A2G8FSE-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-083E: أ -
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،020 1.2 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 2G × 8 مويزي -
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AIT: أ -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT53E768M64D4SQ-046AIT: أ عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 48Gbit دريم 768M × 64 - -
MT62F2G64D8CL-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8CL-023 WT: B TR 74.4900
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) - - SDRAM - DDR5 1.05V - - 557-MT62F2G64D8CL-023WT: BTR 2500 4.266 جyجa hertز ماضلب 128 جyجabt دريم 2G × 64 LVSTL -
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT ES: D TR -
RFQ
ECAD 5027 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 366-WFBGA MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 366-WFBGA (15x15) - 1 (غyer mحdod) ear99 8542.32.0036 1000 1.866 جyجa hertز ماضلب 48Gbit دريم 768M × 64 - -
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C. 56.5050
RFQ
ECAD 9598 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) تومويل 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: C. 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت 3.5 ns دريم 1g × 64 مويزي 18ns
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10es: B TR -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AATES: f -
RFQ
ECAD 8709 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 24 TBGA MT29F4G01 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،122 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 4G × 1 spi -
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES: C. -
RFQ
ECAD 1515 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1،190 1.6 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 - -
MT44K64M18RB-093F:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093F: أ -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 168 TBGA MT44K64M18 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) - 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،190 1.066 جyجa hertز ماضلب 1.125Gbit 7.5 ns دريم 64m × 18 مويزي -
MTFC16GJGEF-AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC16GJGEF-AAIT Z TR -
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 169-TFBGA MTFC16G فlaش - nand 1.65V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 MMC -
M28W320HSU70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZA6E -
RFQ
ECAD 2773 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64-TFBGA M28W320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-TFBGA (10.5x6.39) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -M28W320HSU70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 2M × 16 مويزي 70ns
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB1EW9-0SIT 17.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة MT25QL01 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-WPDFN (8x6) (MLP8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 1920 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT53D384M32D2DS-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 BALOزN: ج -
RFQ
ECAD 3524 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،360 1.866 جyجa hertز ماضلب 12 جyجabt دريم 384M × 32 - -
NAND512R3A2SN6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6F -
RFQ
ECAD 1864 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) NAND512 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 512 ماميبوت 50 ns فlaش 64m × 8 مويزي 50ns
MT58L256L36PS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36PS-7.5 10.4200
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 Myiغaiheartز ماضلب 8mbit 4 ns Sram 256k × 36 مويزي -
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES: ب -
RFQ
ECAD 5136 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 366-WFBGA (15x15) - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1،190 1.866 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 384m × 64 - -
MT47H256M8THN-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E IT: H. -
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة توفت -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 63-FBGA (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 400 ps دريم 256m × 8 مويزي 15ns
M29F400BB45N1 Micron Technology Inc. M29F400BB45N1 -
RFQ
ECAD 7184 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29F400 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 48-TSOP - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 4mbit 45 ns فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 45ns
M25PE40-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE40-VMP6G -
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة M25PE40 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-VDFPN (6x5) (MLP8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0071 490 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 4mbit فlaش 512K × 8 spi 15ms ، 3 مللي
M29F040B55N1 Micron Technology Inc. M29F040B55N1 -
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 32-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29F040 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 32-توتوب - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 156 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512K × 8 مويزي 55ns
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EMCAGJ4-5M: أ -
RFQ
ECAD 7807 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F1T08 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - عى الله 1،20 غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 مويزي
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AAT: ب 15.4950
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) تومويل 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: ب 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 8gbit 3.5 ns دريم 256m × 32 مويزي 18ns
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CMCBBJ4-37: B TR -
RFQ
ECAD 8014 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F1T08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 مويزي -
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDWB-ITES: F. -
RFQ
ECAD 2927 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-udfn MT29F4G01 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 8 UPDFN (8x6) (MLP8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1920 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 4G × 1 spi -
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4TX-053 WT ES: C TR -
RFQ
ECAD 9887 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 1.866 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 512M × 64 - -
MT25QL256ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT 5.9500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة MT25QL256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-WPDFN (8x6) (MLP8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1920 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt فlaش 32M × 8 spi 8ms ، 2.8ms
M58LR256KB70ZC5Z Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5Z -
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) أبل السفلي 79-VFBGA M58LR256 فlaش - و 1.7v ~ 2v 79-VFBGA (9x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -M58LR256KB70ZC5Z 3A991B1A 8542.32.0071 1740 66 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt 70 ns فlaش 16m × 16 مويزي 70ns
MTFC64GANALAM-WT Micron Technology Inc. MTFC64GANALAM-WT -
RFQ
ECAD 6411 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) - - MTFC64 فlaش - nand - - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1520 غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون