SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT29F512G08CKCABH7-6R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6R: أ -
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152 TBGA MT29F512G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 152 TBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 مويزي -
MTC10C1084S1EC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1EC48BAZ 171.6000
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MTC10C1084S1EC48BAZ 1
MT40A2G4SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075: E. 10.1850
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،260 1.33 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 2G × 4 مويزي -
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-053 WT: E TR -
RFQ
ECAD 9965 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53E2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - عى الله 0000.00.0000 2000 1.866 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 2G × 32 - -
MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR -
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله MT29C1G12M - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000
MT25TL256BBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL256BBA8ESF-0AAT 12.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) MT25TL256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 16-SOP2 تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1440 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt فlaش 32M × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-AAITX: E. 3.7059
RFQ
ECAD 3848 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F2G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 مويزي -
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3ES: B TR -
RFQ
ECAD 7525 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) - - MT29E3T08 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 3tbit فlaش 384g × 8 مويزي -
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBH7-12: B TR -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152 TBGA MT29F256G08 فlaش - nand (SLC) 2.5v ~ 3.6v 152 TBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
M29W128GL90N6E Micron Technology Inc. M29W128GL90N6E -
RFQ
ECAD 1419 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 128mbit 90 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 90ns
MTFC32GJWEF-4M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC32GJWEF-4M AIT Z. -
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 169-TFBGA MTFC32G فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 169-TFBGA (14x18) - الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 980 غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 MMC -
MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT: C TR -
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AAT: CTR 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 32Gbit 3.5 ns دريم 1g × 32 مويزي 18ns
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR -
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 137-TFBGA MT29C1G12 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 1GBIT (NAND) ، 512 MMYجABT (LPDRAM) فlaش ، رام 128m × 8 (NAND) ، 16M × 32 (LPDRAM) مويزي -
MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAHAKCCC-5 IT -
RFQ
ECAD 4611 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله MT29C2G24M - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Micron Technology Inc. MT29F6T08THBBM5-3R: ب -
RFQ
ECAD 4359 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) - - MT29F6T08 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v - - الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 6tbit فlaش 768g × 8 مويزي -
MT53E1G64D4NW-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NW-046 BALOزN: ج 47.0400
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز أبل السفلي 432-VFBGA MT53E1 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT53E1G64D4NW-046WT: C. 1،360
M25PX80-VMP6TG0Y TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0Y TR -
RFQ
ECAD 6181 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة M25px80 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 4000 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 8mbit فlaش 1M × 8 spi 15ms ، 5 مللي
MT25QU02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0SIT 34.7400
RFQ
ECAD 643 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA MT25QU02 فlaش - و 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،122 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT58L512L18PT-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18PT-10 -
RFQ
ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 myiغaiheartز ماضلب 8mbit 5 ns Sram 512k × 18 مويزي -
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES 14.4300
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي ليموت MT29F256G08 فlaش - nand (TLC) 2.5v ~ 3.6v ليموت - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 1 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT53E2D1ACY-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2D1ACY-DC TR 22.5000
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز MT53E2 - الإلهال 557-MT53E2D1ACY-DCTR 2000
MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E IT: G. -
RFQ
ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 60-FBGA (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0028 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 400 ps دريم 64m × 8 مويزي 15ns
MT47H512M8WTR-3:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-3: C. -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 63-TFBGA MT47H512M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 63-FBGA (9x11.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 333 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 450 ps دريم 512M × 8 مويزي 15ns
MT29F1T08EBLCHD4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QA: C TR 20.9850
RFQ
ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: CTR 2000
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-053 WT: C TR -
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 2000 1.866 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 - -
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله M36W0R6050 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2،304
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT ES: C. -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1540 1.6 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 - -
M29W160EB7AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB7AZA6F TR -
RFQ
ECAD 7741 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA M29W160 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 16 Myiجabt 70 ns فlaش 2M × 8 ، 1M × 16 مويزي 70ns
MT49H32M18BM-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-18: ب -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144 MyizeRoغraram (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 15 نانو دريم 32M × 18 مويزي -
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT ES: B TR -
RFQ
ECAD 8638 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 1.6 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 384m × 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون