SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT53D256M64D4KA-046 XT:B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT: ب -
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) - - MT53D256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،190 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 256m × 64 - -
MT48LC2M32B2P-55:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-55: G TR -
RFQ
ECAD 1804 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 86-TFSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 183 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5 ns دريم 2M × 32 مويزي -
MT58L64L18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18FT-7.5 7.6100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 Myiغaiheartز ماضلب 1Mbit 7.5 ns Sram 64k × 18 مويزي -
MT46V32M8TG-6T:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-6T: G TR -
RFQ
ECAD 1786 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V32M8 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 700 ps دريم 32M × 8 مويزي 15ns
MTFC32GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AAIT TR 21.1800
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q104 الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 153-TFBGA فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AATTR 2000 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 UFS2.1 -
MT40A256M16LY-075:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-075: f 8.3250
RFQ
ECAD 4286 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) تومويل 557-MT40A256M16LY-075: f 1 1.333 جyجa hertز ماضلب 4gbit 19 NS دريم 256m × 16 تراب 15ns
MT62F1536M64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B TR 122.7600
RFQ
ECAD 1782 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: BTR 1500 4.266 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 1.5g × 64 مويزي -
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT ES: B TR -
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 178-VFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2v 178-FBGA (11.5x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 933 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 - -
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 IT: G TR -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM - Mobile LPSDR 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 4M × 32 مويزي 15ns
MT48H8M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT TR -
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 8m × 16 مويزي 15ns
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AUT: L TR 14.5800
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 200-VFBGA 200-VBGA (10x14.5) - الإلهال 557-MT53E256M32D1KS-046AUT: LTR 1
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT: B TR -
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله - MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT52L256M64D2QB-125XT: BTR عى الله 0000.00.0000 2000 800 myiغaiheartز ماضلب 16 جyجabt دريم 256m × 64 - -
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR 86.2050
RFQ
ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 95 دري مويزي - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: BTR 2000 3.2 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 3G × 32 مويزي -
MT53E4G32D8GS-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 BALOزN: ج 127.0200
RFQ
ECAD 4438 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة - - SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WT: C. 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 128 جyجabt دريم 4G × 32 مويزي -
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR -
RFQ
ECAD 2769 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000
MT41K512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-187E: د -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 13.125 ns دريم 512M × 4 مويزي -
EDB8132B4PB-8D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8132B4PB-8D-FR TR -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 168-WFBGA EDB8132 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 مويزي -
MT48LC8M16A2P-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A: L. -
RFQ
ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1،080 167 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 5.4 ns دريم 8m × 16 مويزي 12ns
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL64GRBA6EBL-0GCT -
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله MT28HL64 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 270
MT48H8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 TR -
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.95v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 7 ns دريم 8m × 32 مويزي 15ns
N28H00CB03JDK11E Micron Technology Inc. N28H00CB03JDK11E -
RFQ
ECAD 7241 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 270
MT61M512M32KPA-14 NIT:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 NIT: ج 46.3200
RFQ
ECAD 6467 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT61M512M32KPA-14NIT: ج 1
MT55V512V32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-7.5 17.3600
RFQ
ECAD 551 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل MT55V512V Sram - غyer mtزakmn ، zbt 2.375V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 Myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 4.2 ns Sram 512K × 32 مويزي -
JS28F512P33EFA Micron Technology Inc. JS28F512P33FA -
RFQ
ECAD 9853 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F512P33 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت 105 NS فlaش 32M × 16 مويزي 105ns
MT48H8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-10 IT -
RFQ
ECAD 7336 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.95v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 7 ns دريم 8m × 32 مويزي 15ns
MT55L256L32FT-12 Micron Technology Inc. MT55L256L32FT-12 8.9300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 Myiغaiheartز ماضلب 8mbit 9 ns Sram 256k × 32 مويزي -
MT46V128M4BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-6: F TR -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 60-FBGA (10x12.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 128 م × 4 مويزي 15ns
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT: D. -
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
NAND04GW3C2BN6E Micron Technology Inc. nand04gw3c2bn6e -
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) NAND04G فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -nand04gw3c2bn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 غyer mtقlbة 4gbit 25 ns فlaش 512M × 8 مويزي 25ns
MTFC256GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. MTFC256GASAONS-IT TR 86.7900
RFQ
ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MTFC256GASAONS-ITTR 2000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون