SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT53D4DBNY-DC Micron Technology Inc. MT53D4DBNY-DC -
RFQ
ECAD 9607 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز - - MT53D4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 1،360 ماضلب دريم
M28W320FCB70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320FCB70ZB6E -
RFQ
ECAD 1695 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 47-TFBGA M28W320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 47-TFBGA (6.39x6.37) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،380 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 2M × 16 مويزي 70ns
MT46V128M4P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V128M4P-6T: F. -
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 128 م × 4 مويزي 15ns
MT29F32G08CFACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F32G08CFACAWP: ج -
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F32G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 مويزي -
MT29F256G08AUCABK4-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABK4-10: أ -
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) - - MT29F256G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
M29W128GH70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GH70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 TBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT49H8M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E: ب -
RFQ
ECAD 3627 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H8M36 دريم 1.7v ~ 1.9v 144-FBGA (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0028 1،20 400 myiغaiheartز ماضلب 288mbit 15 نانو دريم 8M × 36 مويزي -
MT44K64M18RCT-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RCT-125E: A TR -
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 168 رحل MT44K64M18 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 800 myiغaiheartز ماضلب 1.125Gbit 12 ns دريم 64m × 18 مويزي
PC28F00AP33EFA Micron Technology Inc. PC28F00AP333FA -
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA PC28F00A فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 64-adybga (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1800 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Gbit 95 ns فlaش 64m × 16 مويزي 95ns
MT29F128G08CFABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABAWP: B TR -
RFQ
ECAD 3454 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
EDB8132B4PB-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB8132B4PB-8D-FD -
RFQ
ECAD 2010 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 168-WFBGA EDB8132 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،680 400 myiغaiheartز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 مويزي -
MT48H8M16LFB4-75:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75: K TR -
RFQ
ECAD 5387 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.95v 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 5.4 ns دريم 8m × 16 مويزي 15ns
MT41K256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125: E TR -
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 800 myiغaiheartز ماضلب 4gbit 13.75 NS دريم 256m × 16 مويزي -
MT53B4DBNH-DC Micron Technology Inc. MT53B4DBNH-DC -
RFQ
ECAD 7335 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله أبل السفلي 272-WFBGA MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 272-WFBGA (15x15) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،190 ماضلب دريم
MT41K128M8DA-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107: J TR 5.0100
RFQ
ECAD 214 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 933 Myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 20 ns دريم 128 م × 8 مويزي -
MT53D768M32D4CB-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4CB-053 BALOزN: ج -
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،360 1.866 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 768m × 32 - -
M29W064FB6AZA6E Micron Technology Inc. M29W064FB6AZA6E -
RFQ
ECAD 4750 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA M29W064 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 187 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 60 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 60ns
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES: E TR -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) - - MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 8542.32.0071 1000 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
MT53B4DANW-DC Micron Technology Inc. MT53B4DANW-DC -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله - - MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 960 ماضلب دريم
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 168-WFBGA EDB4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit دريم 128 م × 32 مويزي -
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f 2.9984
RFQ
ECAD 3752 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F1G08 فlaش - nand (SLC) 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F. 8542.32.0071 210 غyer mtقlbة 1Gbit 25 ns فlaش 128 م × 8 مويزي 25ns
MT57W2MH8CF-6 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-6 28.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 TBGA MT57W2MH SRAM - MTزAMN 1.7v ~ 1.9v 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 Myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt Sram 2M × 8 مويزي -
MT51J256M32HF-60:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-60: A TR -
RFQ
ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 170-TFBGA MT51J256 Sgram - GDDR5 1.31V ~ 1.39V ، 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 2000 1.5 جyجa hertز ماضلب 8gbit أب 256m × 32 مويزي -
MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR -
RFQ
ECAD 9636 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 64 رحل MT28EW01 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 رحل (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2000 غyer mtقlbة 1Gbit 105 NS فlaش 128m × 8 ، 64 م × 16 مويزي 60ns
MT53E384M64D4NK-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M64D4NK-046 WT: E. -
RFQ
ECAD 3665 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - الإلهال 557-MT53E384M64D4NK-046WT: E. عى الله 119 2.133 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 384m × 64 - -
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES: G TR -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) - - MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2000 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT49H32M9BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9BM-33: B TR -
RFQ
ECAD 7474 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M9 دريم 1.7v ~ 1.9v 144 MyizeRoغraram (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 300 myiغaiheartز ماضلب 288mbit 20 ns دريم 32M × 9 مويزي -
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 -
RFQ
ECAD 3687 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي ليموت MT29F1G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v ليموت - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 مويزي -
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCBBH8-6C: ب -
RFQ
ECAD 4914 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152 رحل MT29F1T08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 152 رحل (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 مويزي -
M29DW323DB70N6E Micron Technology Inc. M29DW323DB70N6E -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29DW323 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -M29DW323DB70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون