SIC
close

دوازر ماوتامال (ICS) (10403)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
RC28F256J3F95A Micron Technology Inc. RC28F256J3F95A -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA RC28F256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-adybga (10x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0051 864 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 95 ns فlaش 32M × 8 ، 16M × 16 مويزي 95ns
MT40A512M16TB-062E:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E: ص 6.2003
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT40A512M16TB-062E: ص 3A991B1A 8542.32.0071 1،020 1.6 جyجa hertز ماضلب 8gbit 19 NS دريم 512M × 16 مويزي 15ns
MT41J512M8THU-187E:A Micron Technology Inc. MT41J512M8THU-187E: أ -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 82-FBGA MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 13.125 ns دريم 512M × 8 مويزي -
MT53D4D1ASQ-DC Micron Technology Inc. MT53D4D1ASQ-DC -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق توفت MT53D4 - الإلهال 0000.00.0000 1،360
MT48LC4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8: G TR -
RFQ
 ECAD 2312 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM - Mobile LPSDR 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 4M × 32 مويزي 15ns
MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 AIT: أ -
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) MT53E1536 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT53E1536M32D4DT-046AIT: أ عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 48Gbit دريم 1.5g × 32 - -
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-093 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 253-VFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2v 253-VFBGA (11x11.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 1067 Myiغaiheartز ماضلب 16 جyجabt دريم 256m × 64 - -
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 T TR -
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) MT28F400B5 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 44-so تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 500 غyer mtقlbة 4mbit 80 ns فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 80ns
MT46H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6: B TR -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 90-VFBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 5 ns دريم 16m × 32 مويزي 15ns
MT46V32M16BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6 IT: F TR -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 60-FBGA (10x12.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز MT29RZ4 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 1000
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G32D4NQ-062 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53B1G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 2000 1.6 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 - -
MT42L64M32D1TK-18 IT:C Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 IT: C. -
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 134-WFBGA MT42L64M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1،260 533 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit دريم 64m × 32 مويزي -
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4-S: C TR -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F8G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 8gbit فlaش 1g × 8 مويزي -
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G. 2.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F2G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 960 غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 مويزي -
MTFC128GAJAECE-IT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-IT TR -
RFQ
 ECAD 8429 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 169-LFBGA MTFC128 فlaش - nand - 169-LFBGA (14x18) - 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 MMC -
MT49H32M18BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-33: B TR -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144 MyizeRoغraram (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 300 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 20 ns دريم 32M × 18 مويزي -
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10ITZ: A TR 73.5900
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT41J128M16JT-125:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-125: K TR 5.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 2000 800 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 13.75 NS دريم 128 م × 16 مويزي -
N25Q128A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFE -
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - - N25Q128A13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 32M × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT46H256M32R4JV-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 IT: ب -
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 168-VFBGA MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 168-VFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 8gbit 5 ns دريم 256m × 32 مويزي 15ns
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E IT: ب -
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144-FBGA (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0028 1،20 400 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 15 نانو دريم 32M × 18 مويزي -
MT48H16M32L2B5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-8 TR -
RFQ
 ECAD 4014 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 7.5 ns دريم 16m × 32 مويزي -
MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EECDBJ4-5M: D TR -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F256G08 فlaش - nand (TLC) 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
NP8P128AE3BSM60E Micron Technology Inc. np8p128ae3bsm60e -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Micron Technology Inc. Omneo ™ صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) NP8P128A PCM (PRAM) 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 128mbit 135 NS PCM (PRAM) 16M × 8 مويزي ، spi 135ns
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12: C TR -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152-VBGA MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.5v ~ 3.6v 152-VBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT: B TR 69.2400
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: BTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 1.5m × 64 - -
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله MT29VZZZBD8 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1520
MT58L256L18D1T-6 Micron Technology Inc. MT58L256L18D1T-6 6.7700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 Myiغaiheartز ماضلب 4mbit 3.5 ns Sram 256k × 18 مويزي -
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR -
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 168-VFBGA 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق