SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MTFC128GAOAMEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC128GAOAMEA-WT ES -
RFQ
ECAD 1754 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة توفت -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) - - MTFC128 فlaش - nand - - - الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1520 غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 MMC -
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES: B TR -
RFQ
ECAD 9922 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 272-VFBGA MT29F1T208 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 272-VBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1.125Tbit فlaش 144g × 8 مويزي -
MT58L64L18DT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10TR 7.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل لا 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 myiغaiheartز ماضلب 1Mbit 5 ns Sram 64k × 18 مويزي -
MT48H4M16LFB4-75:H Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-75: H. -
RFQ
ECAD 7536 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 6 ns دريم 4M × 16 مويزي 15ns
MT46V64M8TG-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T L: F TR -
RFQ
ECAD 7393 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 64m × 8 مويزي 15ns
MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-6 IT: A TR -
RFQ
ECAD 3632 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 60-VBGA MT46H64M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 60-VFBGA (10x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 5 ns دريم 64m × 16 مويزي 15ns
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E IT: G TR -
RFQ
ECAD 1862 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.4 ns دريم 4M × 16 مويزي 14ns
MT46V32M16TG-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B: J TR -
RFQ
ECAD 4425 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0024 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT58L256L36FT-10IT Micron Technology Inc. MT58L256L36FT-10IT 17.3600
RFQ
ECAD 447 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 Myiغaiheartز ماضلب 8mbit 10 ns Sram 256k × 36 مويزي -
MT58L512Y36PT-5 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PT-5 18.3500
RFQ
ECAD 423 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 3.1 ns Sram 512K × 36 مويزي -
MT29F4G01ABAFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AUT: f 4.2603
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT: f 1
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AIT: M TR 3.8331
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT47H64M16NF-25EAIT: MTR ear99 8542.32.0032 2000 400 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 400 ps دريم 64m × 16 مويزي 15ns
MT46V128M8TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V128M8TG-75: أ -
RFQ
ECAD 8578 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V128M8 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 5 (48 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 750 ps دريم 128 م × 8 مويزي 15ns
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 168-VFBGA MT29C4G96 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 208 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 4GBIT (NAND) ، 4GBIT (LPDRAM) فlaش ، رام 256m × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR 10.7200
RFQ
ECAD 604 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة MT25QU512 فlaش - و 1.7v ~ 2v 8-WPDFN (8x6) (MLP8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 64m × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT29F32G08ABCABH1-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10: A TR -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100-VBGA MT29F32G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 مويزي -
MT49H32M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25: B TR -
RFQ
ECAD 2531 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144 MyizeRoغraram (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0028 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 20 ns دريم 32M × 18 مويزي -
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-ITX: E. -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F2G01 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 2gbit فlaش 2G × 1 spi -
MT62F1G32D2DS-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-026 BALOزN: ج 22.8450
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-026WT: C. 1 3.2 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 مويزي -
MT48LC16M16A2P-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 IT: D. -
RFQ
ECAD 5544 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 5.4 ns دريم 16m × 16 مويزي 15ns
MT29F4T08EMLCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C. 83.9100
RFQ
ECAD 5287 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C. 1
MTFC64GASAONS-AIT ES TR Micron Technology Inc. MTFC64GASAONS-AAIT ES TR -
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-TFBGA MTFC64 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AATESTER عى الله 2000 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 MMC -
MT46V32M8BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-5B: GTR -
RFQ
ECAD 3130 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM - DDR 2.5v ~ 2.7v 60-FBGA (8x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 700 ps دريم 32M × 8 مويزي 15ns
MT41J128M16HA-15E AIT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E AIT: د -
RFQ
ECAD 2558 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 حجm -pier عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 667 Myiغaihiertز ماضلب 2gbit 13.5 ns دريم 128 م × 16 مويزي -
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8E12-0AAT TR 13.3950
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال مرر -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24 TBGA MT25TL512 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-T-PBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 64m × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT54W512H36BF-7.5 Micron Technology Inc. MT54W512H36BF-7.5 23.6300
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 TBGA SRAM - MTزAMN 1.7v ~ 1.9v 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 Myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 500 ps Sram 512K × 36 HSTL -
MT55V512V32PT-5 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-5 17.3600
RFQ
ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - ZBT 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 3.2 ns Sram 512K × 32 مويزي -
EDFA232A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA232A2PF-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي - EDFA232 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 800 myiغaiheartز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 مويزي -
MT41K2G8KJR-125:A TR Micron Technology Inc. MT41K2G8KJR-125: A TR -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41K2G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 800 myiغaiheartز ماضلب 16 جyجabt 13.5 ns دريم 2G × 8 مويزي -
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FD -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،190 800 myiغaiheartز ماضلب 24 جyجabt دريم 192m × 128 مويزي -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون