SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CMHBBJ4-3: B TR -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29E1T08 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 مويزي -
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T208ECHBBJ4-3ES: B TR -
RFQ
ECAD 1925 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29E1T208 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1.125Tbit فlaش 144g × 8 مويزي -
MT48LC16M4A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2TG-75: G TR -
RFQ
ECAD 1622 0.00000000 Micron Technology Inc. - شrive قطup (CT) عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC16M4A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.4 ns دريم 16m × 4 مويزي 15ns
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR 9.3750
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 8gbit 3.5 ns دريم 512M × 16 مويزي 18ns
MT28F320J3BS-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 Met -
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64-FBGA MT28F320J3 فlaش 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 110 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي -
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 BALOزN: B TR -
RFQ
ECAD 6402 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 60-VBGA MT46H128M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 60-VFBGA (10x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 5 ns دريم 128 م × 16 مويزي 15ns
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT ES: A. -
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - عى الله 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 768m × 32 - -
MT53B4DBNQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DBNQ-DC TR -
RFQ
ECAD 8144 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 200-VFBGA MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 200-VBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 2000 ماضلب دريم
MT47H16M16BG-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-37E: B TR -
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 Micron Technology Inc. - شrive قطup (CT) عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 267 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 500 ps دريم 16m × 16 مويزي 15ns
MT29F1T08EBLCHD4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QA: ج 20.9850
RFQ
ECAD 4155 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: C. 1
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37: ب -
RFQ
ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - 1 (غyer mحdod) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
M58LT128KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6F TR -
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M58LT128 فlaش - و 1.7v ~ 2v 64 TBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit 85 ns فlaش 8m × 16 مويزي 85ns
MT28F400B3WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 BET -
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT28F400B3 فlaش - و 3V ~ 3.6V 48-TSOP i تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 4mbit 80 ns فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 80ns
EMF8132A3PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FR TR -
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز EMF8132 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 1000
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT ES: D TR -
RFQ
ECAD 6189 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 432-VFBGA MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 1.6 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 1g × 64 - -
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-187E: H TR -
RFQ
ECAD 5868 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 2000 533 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 350 ps دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT48LC16M16A2P-6A XIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A XIT: G. -
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،080 167 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 5.4 ns دريم 16m × 16 مويزي 12ns
MT41K512M16HA-107:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-107: أ -
RFQ
ECAD 1214 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،020 933 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit 20 ns دريم 512M × 16 مويزي -
MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT: A TR -
RFQ
ECAD 8662 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 سعع) 557-MT53E128M16D1DS-053IT: ATR عى الله 2000 1.866 جyجa hertز ماضلب 2gbit دريم 128 م × 16 مويزي -
MT28F800B5SG-8 T Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 T. -
RFQ
ECAD 6507 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) MT28F800B5 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 44-so تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 500 غyer mtقlbة 8mbit 80 ns فlaش 1M × 8 ، 512 كyelo × 16 مويزي 80ns
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D. -
RFQ
ECAD 6648 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT: D TR 5.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F4G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 512M × 8 مويزي -
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES: B TR -
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - 1 (غyer mحdod) ear99 8542.32.0036 2000 1.866 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 512M × 64 - -
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 WT: B TR -
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 90-VFBGA (9x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 5 ns دريم 64m × 32 مويزي 15ns
MT48V4M32LFB5-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10 IT: G. -
RFQ
ECAD 2621 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT48V4M32 SDRAM - Mobile LPSDR 2.3v ~ 2.7v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 4M × 32 مويزي 15ns
M25P32-VMP6G Micron Technology Inc. M25P32-VMP6G -
RFQ
ECAD 1631 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة M25P32 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-VFQFPN (6x5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2،940 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt فlaش 4M × 8 spi 15ms ، 5 مللي
MT53D4D1ARQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ARQ-DC TR -
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت MT53D4 - الإلهال 0000.00.0000 2000
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX: E TR 3.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F1G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 مويزي -
MT58L256L36DS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36DS-6 8.5300
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل MT58L256L36 SRAM - MTزAMN 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 Myiغaiheartز ماضلب 8mbit 3.5 ns Sram 256k × 36 مويزي -
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCAGJ4-5M: A TR 12.7800
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F256G08 فlaش - nand (TLC) 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 2000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون