SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT: A TR 27.1500
RFQ
ECAD 2425 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046it: ATR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 مويزي 18ns
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10ITZ: أ 87.1200
RFQ
ECAD 857 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
NAND08GAH0JZC5E Micron Technology Inc. nand08gah0jzc5e -
RFQ
ECAD 2687 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 153-LFBGA NAND08G فlaش - nand 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -nand08gah0jzc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 8gbit فlaش 1g × 8 MMC -
M25P128-VMFPBALT Micron Technology Inc. M25P128-VMFPBALT -
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) M25P128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 16-SOP2 تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1،225 50 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 16M × 8 spi 15ms ، 7 مللي
RC28F256J3C125SL7HE Micron Technology Inc. RC28F256J3C125SL7HE -
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA RC28F256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-adybga (10x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 860798 3A991B1A 8542.32.0071 2 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 125 NS فlaش 32M × 8 ، 16M × 16 مويزي 125ns
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBHBBJ4-3RES: B TR -
RFQ
ECAD 5044 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F384G08 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 384 جyجabt فlaش 48g × 8 مويزي -
MT38M4041A3034EZZI.XK6 Micron Technology Inc. MT38M4041A3034EZZI.XK6 -
RFQ
ECAD 2839 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-VFBGA MT38M4041 فlaش - alla 1.7v ~ 1.95v 56-VFBGA (8x8) - 1 (غyer mحdod) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1560 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 256mbit (فlaش) ، 128 MyiجaBt (ذazerة alozol alaveشoئy) فlaش ، رام 16M × 16 ، 8M × 16 مويزي -
MTFC128GAJAECE-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-AAIT TR -
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 169-LFBGA MTFC128 فlaش - nand - 169-LFBGA (14x18) - 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 MMC -
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-AAIT: D TR -
RFQ
ECAD 6665 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F4G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 512M × 8 مويزي -
MT29F1T08EBLCHD4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QA: ج 20.9850
RFQ
ECAD 4155 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: C. 1
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M -
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي ليموت MT29F64G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v ليموت - Rohs3 mtoaفق العداد غyer ميدد عى الله 0000.00.0000 1 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 XT: C TR -
RFQ
ECAD 9161 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 2000 1.6 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T208ECHBBJ4-3ES: B TR -
RFQ
ECAD 1925 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29E1T208 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1.125Tbit فlaش 144g × 8 مويزي -
JS28F320C3BD70A Micron Technology Inc. JS28F320C3BD70A -
RFQ
ECAD 7083 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F320C3 - 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 576 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 2M × 16 مويزي 70ns
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37: ب -
RFQ
ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - 1 (غyer mحdod) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 BALOزN: B TR -
RFQ
ECAD 6402 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 60-VBGA MT46H128M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 60-VFBGA (10x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 5 ns دريم 128 م × 16 مويزي 15ns
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08ABEBBH6-12: B TR -
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 152-VBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
N25Q128A13TSF40G Micron Technology Inc. N25Q128A13TSF40G -
RFQ
ECAD 6519 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) N25Q128A13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 16-SOP2 تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1،225 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 32M × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT47H16M16BG-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-37E: B TR -
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 Micron Technology Inc. - شrive قطup (CT) عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 267 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 500 ps دريم 16m × 16 مويزي 15ns
MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5-ITZ: A TR -
RFQ
ECAD 3942 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 52-VLGA MT29F256G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 52-VLGA (18x14) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT44K16M36RB-107E:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E: ب 46.0350
RFQ
ECAD 8109 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 168 TBGA MT44K16M36 دريم 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1،190 933 Myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 8 ns دريم 16m × 36 مويزي -
MT29F4G08BABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F4G08BABWP-ET TR -
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F4G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 512M × 8 مويزي -
M29W640GH70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GH70ZS6F TR -
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1800 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT ES: A. -
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - عى الله 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 768m × 32 - -
MT53B4DBNQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DBNQ-DC TR -
RFQ
ECAD 8144 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 200-VFBGA MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 200-VBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 2000 ماضلب دريم
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-187E: H TR -
RFQ
ECAD 5868 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 2000 533 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 350 ps دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX: E TR 3.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F1G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 مويزي -
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D. -
RFQ
ECAD 6648 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT ES: D TR -
RFQ
ECAD 6189 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 432-VFBGA MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 1.6 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 1g × 64 - -
MT48LC16M16A2P-6A XIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A XIT: G. -
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،080 167 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 5.4 ns دريم 16m × 16 مويزي 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون