SIC
close

دوازر ماوتامال (ICS) (10403)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 AIT: A TR -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit دريم 32M × 32 مويزي -
N25Q512A83G1240E Micron Technology Inc. N25Q512A83G1240E -
RFQ
 ECAD 8965 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA N25Q512A83 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-T-PBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-1570 3A991B1A 8542.32.0071 1،122 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 128 م × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT47H256M8EB-3:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-3: C TR -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 60-FBGA (9x11.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 333 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 450 ps دريم 256m × 8 مويزي 15ns
M29W640GH7ANB6E Micron Technology Inc. M29W640GH7ANB6E -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
JR28F032M29EWTA Micron Technology Inc. JR28F032M29EWTA -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JR28F032M29 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 70ns
M25P16-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25P16-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.209 "، ، ، 5.30 ملم) M25P16 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-so w تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 1500 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 16 Myiجabt فlaش 2M × 8 spi 15ms ، 5 مللي
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B. -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،260 1.2 جyجa hertز ماضلب 4gbit دريم 512M × 8 مويزي -
MT45W4MW16BCGB-701 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-701 BALOزN -
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (Pseudo SRAM) 1.7v ~ 1.95v 54-VFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1000 ماضلب 64 Myiجabt 70 ns psram 4M × 16 مويزي 70ns
MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل MT28EW512 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 رحل (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 2000 غyer mtقlbة 512 ماميبوت 95 ns فlaش 64m × 8 ، 32 م × 16 مويزي 60ns
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 BALOزN -
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 137-VFBGA MT29C4G48 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 137-VFBGA (13x10.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1،140 208 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 4GBIT (NAND) ، 2GBIT (LPDRAM) فlaش ، رام 512M × 8 (NAND) ، 64 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
M29F400FT55M32 Micron Technology Inc. M29F400FT55M32 -
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) M29F400 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 44-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 240 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1D-FR -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 134-WFBGA EDB4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit دريم 128 م × 32 مويزي -
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAH4-AAT: G. 2.7962
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 حجm -pier نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F2G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT29F2G08ABAGAH4-AAT: G. 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 2gbit 20 ns فlaش 256m × 8 مويزي 20ns
MT53E1G32D2FW-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT: ب 28.7250
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046it: ب 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 32Gbit 3.5 ns دريم 1g × 32 مويزي 18ns
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E: B TR -
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144-FBGA (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0028 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 15 نانو دريم 32M × 18 مويزي -
MT44K16M36RB-093E IT:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E IT: B TR 66.1650
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 168 TBGA MT44K16M36 دريم 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 1.066 جyجa hertز ماضلب 576 ماميبت 8 ns دريم 16m × 36 مويزي -
PC28F00AG18AE Micron Technology Inc. PC28F00AG18AE -
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ أnabob عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 64 TBGA PC28F00A فlaش - و 1.7v ~ 2v 64-adybga (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1800 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Gbit 96 ns فlaش 64m × 16 مويزي 96ns
MT48LC4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8: G TR -
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM - Mobile LPSDR 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 4M × 32 مويزي 15ns
MT48H16M32L2F5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-10 TR -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 7.5 ns دريم 16m × 32 مويزي -
MT48LC16M8A2FB-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-75: G TR -
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Micron Technology Inc. - شrive قطup (CT) عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 60-FBGA MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 5.4 ns دريم 16M × 8 مويزي 15ns
M28W320FCB70ZB6F TR Micron Technology Inc. M28W320FCB70ZB6F TR -
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 47-TFBGA M28W320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 47-TFBGA (6.39x6.37) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 2M × 16 مويزي 70ns
MT46V128M4P-75:D Micron Technology Inc. MT46V128M4P-75: د -
RFQ
 ECAD 5771 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب - Rohs3 mtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 750 ps دريم 128 م × 4 مويزي 15ns
MT46V64M8P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B: D TR -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.5v ~ 2.7v 66-توتوب - Rohs3 mtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 64m × 8 مويزي 15ns
MT48LC2M32B2P-6:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6: G. -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 86-TFSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT48LC2M32B2P6G ear99 8542.32.0002 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.5 ns دريم 2M × 32 مويزي 12ns
MT41J256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-107: K TR -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 933 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 256m × 8 مويزي -
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AAT: أ 8.7450
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: أ 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 4gbit 3.5 ns دريم 128 م × 32 مويزي 18ns
M29W128FL70N6E Micron Technology Inc. M29W128FL70N6E -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 497-5530 3A991B1A 8542.32.0071 576 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBJ4-12: D TR -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
M29W128FL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128FL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 TBGA (10x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 136 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT62F1G64D4EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT ES: B TR 45.6900
RFQ
 ECAD 1639 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT62F1G64D4EK-023WTES: BTR 2000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق