SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-10Z: أ -
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 tbga MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 100 TBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
PC28F256P33BFR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFR -
RFQ
ECAD 8441 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ صyniة عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 64 TBGA PC28F256 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 64-adybga (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt 95 ns فlaش 16m × 16 مويزي 95ns
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AAT: G TR 2.7962
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 24 TBGA MT29F2G01 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 2gbit فlaش 2G × 1 spi -
MTFC128GAOALEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC128Gaoalea-wt tr -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله - 557-MTFC128Gaoalea-Wttr عى الله 2000
JS28F256P33BFE Micron Technology Inc. JS28F256P33BFE -
RFQ
ECAD 2734 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ صyniة عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) JS28F256P33 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt 105 NS فlaش 16m × 16 مويزي 105ns
MT29F1T08EELGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELGEJ4-ITF: G TR 38.2050
RFQ
ECAD 8140 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT29F1T08EELGEJ4-ITF: GTR 2000
MTFC8GAKAJCN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GAKAJCN-4M IT -
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-VFBGA MTFC8 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1520 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 MMC -
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AIT: B TR -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 2000 1.2 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 512M × 16 مويزي -
M29W128GSL70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 1976 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 TBGA (10x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-6: ب -
RFQ
ECAD 9114 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي - MT29F512G08 فlaش - nand (TLC) 2.7v ~ 3.6v 132 TBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1 167 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 مويزي -
MT47H128M4CB-3:B Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-3: ب -
RFQ
ECAD 3268 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 60-FBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 60-FBGA تومويل Rohs3 mtoaفق 5 (48 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 333 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 450 ps دريم 128 م × 4 مويزي 15ns
MT49H16M36SJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25: ب -
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H16M36 دريم 1.7v ~ 1.9v 144-FBGA (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0028 1،20 400 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 20 ns دريم 16m × 36 مويزي -
MT28F640J3FS-115 MET Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 Met -
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64-FBGA MT28F640J3 فlaش 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (10x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 115 NS فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي -
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-6 IT: ب -
RFQ
ECAD 1636 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 60-VBGA MT46H128M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 60-VFBGA (10x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 5 ns دريم 128 م × 16 مويزي 15ns
M29F400FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55N3F2 TR -
RFQ
ECAD 5985 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) M29F400 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 44-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 1500 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT -
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - - MT29C8G96 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.9v - - 1 (غyer mحdod) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،140 208 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 8gbit (NAND) ، 4Gbit (LPDRAM) فlaش ، رام 512M × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
MTFC16GAKAEEF-AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEEF-AAIT -
RFQ
ECAD 5962 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 169-TFBGA MTFC16 فlaش - nand 1.7v ~ 1.9v 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 980 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 MMC -
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT: B TR -
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 1.866 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 512M × 64 - -
MT29F2G01ABBGD12-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AATES: G. 5.5736
RFQ
ECAD 6737 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24 TBGA MT29F2G01 فlaش - nand (SLC) 1.7v ~ 1.95v 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 8542.32.0071 1،122 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 2gbit فlaش 2G × 1 spi -
N25Q512A13GSFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GSFA0F TR -
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) N25Q512A13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 16 -o - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 128 م × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT41K256M8DA-107 AIT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 AIT: K. -
RFQ
ECAD 2747 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 حجm -pier نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 933 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 256m × 8 مويزي -
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBL84C3WC1 -
RFQ
ECAD 9687 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي ليموت MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v ليموت - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCM-6 L IT: A TR -
RFQ
ECAD 5869 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 90-VFBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 5 ns دريم 32M × 32 مويزي 15ns
MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR 34.4100
RFQ
ECAD 3006 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24 TBGA MT25QL02 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-T-PBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR: د -
RFQ
ECAD 8178 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي - MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 132 TBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1 167 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT29F8G16ABBCAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABCAH4: ج -
RFQ
ECAD 1717 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F8G16 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 8gbit فlaش 512M × 16 مويزي -
MT29F1T08EELEEJ4-T:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-T: E TR 21.4500
RFQ
ECAD 3628 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة أبل السفلي 132-VBGA فlaش - nand (TLC) 2.6v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F1T08EELEEJ4-T: ETR 2000 غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 مويزي -
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 WT: B TR -
RFQ
ECAD 9801 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 240-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 240-WFBGA (14x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 5 ns دريم 128 م × 32 مويزي 15ns
MT29F32G08CFACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CFACAWP: C TR -
RFQ
ECAD 6918 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F32G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT29F32G08CFACAWP: CTR عى الله 0000.00.0000 1000 غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 مويزي -
MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 AAT: A TR -
RFQ
ECAD 9685 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) MT53E1536 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT53E1536M32D4DT-046AAT: ATR عى الله 0000.00.0000 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 48Gbit دريم 1.5g × 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون