SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT46V8M16TG-6T IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16TG-6T IT: D TR -
RFQ
ECAD 5182 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V8M16 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 700 ps دريم 8m × 16 مويزي 15ns
MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 AAT: B TR 47.8950
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT: BTR 2000 3.2 جyجa hertز ماضلب 48Gbit دريم 768M × 64 مويزي -
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AAT Z. -
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 100 رحل MTFC8 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100 رحل (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8473.30.1140 980 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 MMC -
PC28F320J3F75D TR Micron Technology Inc. PC28F320J3F75D TR -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA PC28F320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-adybga (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2000 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 75 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 75ns
M58LT128KSB8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6F TR -
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M58LT128 فlaش - و 1.7v ~ 2v 64 TBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit 85 ns فlaش 8m × 16 مويزي 85ns
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4-IT: f -
RFQ
ECAD 9431 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F2G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،260 غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 مويزي -
MT28F800B3SG-9 B Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 ب -
RFQ
ECAD 3340 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) MT28F800B3 فlaش - و 3V ~ 3.6V 44-so تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 500 غyer mtقlbة 8mbit 90 ns فlaش 1M × 8 ، 512 كyelo × 16 مويزي 90ns
M29W256GL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W256GL70ZS6F TR -
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل M29W256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1800 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 70 ns فlaش 32M × 8 ، 16M × 16 مويزي 70ns
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3TES: أ -
RFQ
ECAD 2371 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F2T08 فlaش - nand 2.5v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،20 333 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 2Tbit فlaش 256g × 8 مويزي -
MT46V16M16TG-75 L:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 L: F TR -
RFQ
ECAD 6116 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 750 ps دريم 16m × 16 مويزي 15ns
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10ITZ: أ 46.5700
RFQ
ECAD 418 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100-VBGA MT29F32G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 مويزي -
MT48V8M32LFB5-10 Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 -
RFQ
ECAD 8166 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48V8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 2.3v ~ 2.7v 90-VFBGA (8x13) - Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 7 ns دريم 8m × 32 مويزي 15ns
MT45W1MW16BDGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-708 WT TR -
RFQ
ECAD 5149 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 54-VFBGA MT45W1MW16 PSRAM (Pseudo SRAM) 1.7v ~ 1.95v 54-VFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 1000 ماضلب 16 Myiجabt 70 ns psram 1M × 16 مويزي 70ns
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E AIT: C TR -
RFQ
ECAD 6867 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 60-FBGA (9x11.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 400 ps دريم 256m × 8 مويزي 15ns
N25Q512A13GF840F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GF840F TR -
RFQ
ECAD 4298 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة N25Q512A13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-VDFPN (MLP8) (8x6) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 4000 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 128 م × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT48LC4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-10: G. -
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM - Mobile LPSDR 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 4M × 32 مويزي 15ns
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-5E: E TR 27.6200
RFQ
ECAD 900 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 60-FBGA (8x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 600 ps دريم 256m × 4 مويزي 15ns
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT: ب -
RFQ
ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 152 رحل MT29F512G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 152 رحل (14x18) - الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 مويزي -
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 IT: ب -
RFQ
ECAD 3636 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 168-WFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 5 ns دريم 128 م × 32 مويزي 15ns
M29W640GL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL70ZS6F TR -
RFQ
ECAD 1599 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1800 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
M29W800DB70N6 Micron Technology Inc. M29W800DB70N6 -
RFQ
ECAD 8386 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W800 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 8mbit 70 ns فlaش 1M × 8 ، 512 كyelo × 16 مويزي 70ns
MT48LC8M16LFF4-8:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8: G. -
RFQ
ECAD 6274 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 7 ns دريم 8m × 16 مويزي 15ns
M29W640GL70NA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL70NA6F TR -
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1500 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
MT48H16M32L2F5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-10 IT TR -
RFQ
ECAD 4806 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 7.5 ns دريم 16m × 32 مويزي -
MT29F512G08AUEBBH8-12:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUEBBH8-12: ب -
RFQ
ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152 رحل MT29F512G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 152 رحل (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 مويزي -
MT53E128M32D2DS-053 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AAT: أ 12.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،360 1.866 جyجa hertز ماضلب 4gbit دريم 128 م × 32 - -
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6ITR: د -
RFQ
ECAD 7603 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 132-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AUT: D TR 21.9750
RFQ
ECAD 3913 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال مرر -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT53D512M32D2DS-053AUT: DTR ear99 8542.32.0036 2000 1.866 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
MT48H4M16LFB4-8 IT:H Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8 IT: H. -
RFQ
ECAD 1083 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 6 ns دريم 4M × 16 مويزي 15ns
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKEDBJ5-12: D TR -
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي - MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 132 TBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون