SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MTFC8GAMALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. MTFC8GAMALNA-AAIT ES TR -
RFQ
ECAD 2333 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 tbga MTFC8 فlaش - nand - 100 tbga (14x18) - 1 (غyer mحdod) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 MMC -
MT58L128L32D1F-6 Micron Technology Inc. MT58L128L32D1F-6 8.2200
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 TBGA MT58L128L32 Sram 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 Myiغaiheartز ماضلب 4mbit 3.5 ns Sram 128K × 32 مويزي -
MT58L64L18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18FT-7.5 7.6100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 Myiغaiheartز ماضلب 1Mbit 7.5 ns Sram 64k × 18 مويزي -
MT46V32M16FN-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT: C TR -
RFQ
ECAD 8786 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 60-FBGA (10x12.5) - Rohs غyer amtoaفق 5 (48 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT: B TR -
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله - MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT52L256M64D2QB-125XT: BTR عى الله 0000.00.0000 2000 800 myiغaiheartز ماضلب 16 جyجabt دريم 256m × 64 - -
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DIT-FR TR -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 134-VFBGA EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-VBGA (10x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0028 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت دريم 16m × 32 مويزي -
MT62F3G32D8DV-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 FAAT: ب 94.8300
RFQ
ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023FAAT: ب 1 4.266 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 3G × 32 مويزي -
MTFC4GMVEA-4M IT Micron Technology Inc. MTFC4GMMMVEA-4M -
RFQ
ECAD 3351 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ حجm -pier توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-WFBGA MTFC4 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8523.51.0000 1000 غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 MMC -
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT -
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - - MT29C4G96 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v - تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 4GBIT (NAND) ، 4GBIT (LPDRAM) فlaش ، رام 256m × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6R: ج -
RFQ
ECAD 2322 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 152-VBGA MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 152-VBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
PZ28F032M29EWLA Micron Technology Inc. PZ28F032M29EWLA -
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-VFBGA PZ28F032M29 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-BGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 187 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 60 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 60ns
MT58L512L18PF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18PF-7.5 17.7000
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 TBGA MT58L512L18 SRAM - MTزAMN 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 Myiغaiheartز ماضلب 8mbit 4 ns Sram 512k × 18 مويزي -
M25PX80-VMP6TGY0 TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TGY0 TR -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة M25px80 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 4000 75 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 8mbit فlaش 1M × 8 spi 15ms ، 5 مللي
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10: ب -
RFQ
ECAD 2077 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،20 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MTFC8GLVEA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-4M IT TR -
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-WFBGA MTFC8 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 MMC -
MT62F1536M64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B TR 122.7600
RFQ
ECAD 1782 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: BTR 1500 4.266 جyجa hertز ماضلب 96 جyجabt دريم 1.5g × 64 مويزي -
MT53D4DHSB-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DHSB-DC TR -
RFQ
ECAD 6412 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت MT53D4 - الإلهال 0000.00.0000 2000
MT46H64M32L2CG-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M32L2CG-5 IT: A. -
RFQ
ECAD 3833 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 152-VFBGA MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 152-VFBGA (14x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 5 ns دريم 64m × 32 مويزي 15ns
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT: D. -
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 - -
MTFC256GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. MTFC256GASAONS-IT TR 86.7900
RFQ
ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MTFC256GASAONS-ITTR 2000
NAND04GW3C2BN6E Micron Technology Inc. nand04gw3c2bn6e -
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) NAND04G فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -nand04gw3c2bn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 غyer mtقlbة 4gbit 25 ns فlaش 512M × 8 مويزي 25ns
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 220-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 220-FBGA (14x14) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 533 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit دريم 128 م × 64 مويزي -
MTFC4GMWDM-3M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMWDM-3M AIT TR -
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-TFBGA MTFC4 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 MMC -
MT29F256G08CJAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP: أ -
RFQ
ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) Q9135013 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT28F400B3WG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 B TR -
RFQ
ECAD 7339 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT28F400B3 فlaش - و 3V ~ 3.6V 48-TSOP i تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 4mbit 80 ns فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 80ns
M29W400DT55N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DT55N6F TR -
RFQ
ECAD 8566 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W400 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 1500 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT: C TR 64.9800
RFQ
ECAD 6952 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: CTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت 3.5 ns دريم 2G × 32 مويزي 18ns
MT46V128M4TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-75: د -
RFQ
ECAD 9836 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب - Rohs غyer amtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 750 ps دريم 128 م × 4 مويزي 15ns
MT28F640J3FS-115 XMET Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 XMET -
RFQ
ECAD 9707 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64-FBGA MT28F640J3 فlaش 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (10x13) تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 115 NS فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي -
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AUT: B TR -
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 2000 1.2 جyجa hertز ماضلب 4gbit دريم 256m × 16 مويزي -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون