- RFQ
- بوم
- اتصل بنا
Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- التركية
- إيطالي
- دانماركي
- روماني
- إندونيسي
- التشيكية
- أفريكانيين
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- كاتالونية
- إسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- أمهرية
- أرمني
- أذربيجاني
- البيلاروسي
- البنغالية
- البوسني
- البلغارية
- سيبوانو
- تشيشيكا
- كورسيكان
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- فريسيان
- جاليكيان
- الجورجي
- غوجاراتية
- الهايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجري
- الأيسلندية
- الإغبو
- الجاوية
- الكانادا
- كازاخاخية
- الخمير
- كردي
- قيرغيز
- اللاتينية
- لاتفيان
- الليتواني
- لوكسمبو ..
- مقدوني
- الملغاشية
- الملايو
- الملايالام
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولي
- البورمي
- النيبالي
- النرويجية
- الباشتو
- فارسي
- البنجابية
- الصربي
- Sesotho
- سنهالية
- سلوفاك
- سلوفيني
- صومالي
- ساموا
- الاسكتلنديين الغيليك
- شونا
- السندي
- صنداني
- السواحيلية
- طاجيك
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- أوزبك
- الفيتنامي
- الويلزية
- Xhosa
- اليديشية
- يوروبا
- زولو
- كينيارواندا
- التتار
- أوريا
- تركمان
- أويغور
دوازر ماوتامال (ICS) (10403)
| حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | العلم - العرف | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | شهاء روهس | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT: D TR | - |  | 3683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | عى الله | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-VBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | - | - | ||||
 | MT49H8M36FM-25 IT: ب | - | | 5727 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | توفت | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 144-TFBGA | MT49H8M36 | دريم | 1.7v ~ 1.9v | 144-FBGA (18.5x11) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1000 | 400 myiغaiheartز | ماضلب | 288mbit | 20 ns | دريم | 8M × 36 | مويزي | - | ||
 | MT47H64M16B7-5E: أ | - | | 9907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | توفت | 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 92-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7v ~ 1.9v | 92-FBGA (11x19) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 200 myiغaiheartز | ماضلب | 1Gbit | 600 ps | دريم | 64m × 16 | مويزي | 15ns | ||
 | MT40A2G16SKL-062E: ب | - | | 1953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 96-TFBGA | MT40A2G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10.5x13) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | الإلهال | 557-MT40A2G16SKL-062E: ب | عى الله | 8542.32.0071 | 190 | 1.6 جyجa hertز | غyer mtقlbة | 32Gbit | 13.75 NS | دريم | 2G × 16 | مويزي | - | ||
| MT29F4T08EUEM4-T: E TR | 85.8150 | | 2502 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة | أبل السفلي | 132-BGA | فlaش - nand (TLC) | 2.6v ~ 3.6v | 132 رحل (12x18) | - | 557-MT29F4T08EUELEM4-T: ETR | 2000 | غyer mtقlbة | 4tbit | فlaش | 512g × 8 | مويزي | - | |||||||||
| MT53E4D1BSQ-DC TR | 22.5000 | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | MT53E4 | - | الإلهال | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2000 | |||||||||||||||||||
 | MT47H64M8B6-25: D TR | - | | 8921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7v ~ 1.9v | 60-FBGA | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1000 | 400 myiغaiheartز | ماضلب | 512 ماميبوت | 400 ps | دريم | 64m × 8 | مويزي | 15ns | ||
| MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y | - | | 8595 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | عى الله | أبل السفلي | MT29VZZZ7 | - | 1 (غyer mحdod) | عى الله | 0000.00.0000 | 1520 | |||||||||||||||||
 | MT53E384M32D2DS-046 AUT: E TR | 13.5900 | | 1483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT53E384M32D2DS-046AUT: ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 12 جyجabt | دريم | 384M × 32 | - | - | ||
 | MT53E1536M32D4DT-046 AIT: A TR | - | | 4559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | عى الله | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | MT53E1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT53E1536M32D4DT-046AIT: ATR | عى الله | 0000.00.0000 | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 48Gbit | دريم | 1.5g × 32 | - | - | |||||
| EDB8164B4PR-1D-FR TR | - | | 1765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 216-WFBGA | EDB8164 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 533 Myiغaiheartز | ماضلب | 8gbit | دريم | 128 م × 64 | مويزي | - | |||
 | MT29F128G08CBCCBH6-6R: ج | - | | 2322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 152-VBGA | MT29F128G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 128 جyجabt | فlaش | 16g × 8 | مويزي | - | |||
 | MT29F16G08ABABAWP-AAIT: ب | - | | 2017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | MT29F16G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 48-TSOP i | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | غyer mtقlbة | 16 جyجabt | فlaش | 2G × 8 | مويزي | - | ||||
| NM4081H0H15J68E | - | | 8644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | ||||||||||||||||||
| MT53B128M32D1NP-062 AAT: أ | - | | 9644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | عى الله | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 4gbit | دريم | 128 م × 32 | - | - | |||
| MT29F8T08EWLEEM5-QJ: E. | 211.8900 | | 2417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ: E. | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 BALOزN: ج | 22.8450 | | 5308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: C. | 1 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | مويزي | - | ||||||||
 | MT29F1G01ABAFD12-AATES: f | - | | 1819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) | أبل السفلي | 24 TBGA | MT29F1G01 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | غyer mtقlbة | 1Gbit | فlaش | 1g × 1 | spi | - | ||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | حجm -pier | نوز | MT52L256 | - | 3 (168 سعع) | الإلهال | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT29F6T08THBBM5-3RES: B TR | - | | 1662 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | - | - | MT29F6T08 | فlaش - nand | 2.5v ~ 3.6v | - | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 6tbit | فlaش | 768g × 8 | مويزي | - | |||
 | M25P128-VME6TG TR | - | | 1844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté ™ | شrive قطup (CT) | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-Vdfn lloحة mكشoفة | M25P128 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4000 | 50 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 128mbit | فlaش | 16M × 8 | spi | 15ms ، 7 مللي | |||
 | MT58L128V32P1T-10 | 7.5200 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | MT58L128V32 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | العداد غyer ميدد | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 myiغaiheartز | ماضلب | 4mbit | 5 ns | Sram | 128K × 32 | مويزي | - | ||
| MTFC16GAPALGT-S1 IT | 17.6400 | | 6046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | صnadoق | نوز | - | أبل السفلي | 153-TFBGA | فlaش - nand (SLC) | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPAPALGT-S1IT | 1 | غyer mtقlbة | 128 جyجabt | فlaش | 16g × 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||||
 | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES: E. | - | | 8417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F128G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (غyer mحdod) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،20 | 267 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 128 جyجabt | فlaش | 16g × 8 | مويزي | - | |||||
| MT29F256G08CJABBWP-12: ب | - | | 2026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | MT29F256G08 | فlaش - nand (MLC) | 2.7v ~ 3.6v | 48-TSOP i | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - | |||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT: أ | - | | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | عى الله | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: أ | عى الله | 0000.00.0000 | 1،360 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 64 جyجa بت | دريم | 1g × 64 | - | - | ||||||
| MT29F32G08ABAAWP-ITZ: A TR | 38.7300 | | 9683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | MT29F32G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 48-TSOP i | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غyer mtقlbة | 32Gbit | فlaش | 4G × 8 | مويزي | - | ||||
| MT53B1536M32D8QD-053 WT ES: D TR | - | | 9269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | - | - | MT53B1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | - | 1 (غyer mحdod) | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 6 جyجabt | دريم | 1.5g × 32 | - | - | |||||
 | MT29F512G08EBLCEJ4-R: C TR | - | | 4651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F512G08 | فlaش - nand (TLC) | 2.6v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R: CTR | عى الله | 8542.32.0071 | 2000 | غyer mtقlbة | 512Gbit | فlaش | 64g × 8 | مويزي | - | ||||
 | MT29F4G08ABBDAH4: D TR | 5.6000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 63-VFBGA | MT29F4G08 | فlaش - nand | 1.7v ~ 1.95v | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غyer mtقlbة | 4gbit | فlaش | 512M × 8 | مويزي | - |
2000+
متوسط حجم RFQ اليومي
30،000،000
وحدة المنتج القياسية
2800+
المصنعين في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الأمنيات (0 عناصر)