SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT46V64M8TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T: F TR -
RFQ
ECAD 5828 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 700 ps دريم 64m × 8 مويزي 15ns
MT28F400B3SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 BET TR -
RFQ
ECAD 5005 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) MT28F400B3 فlaش - و 3V ~ 3.6V 44-so تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 500 غyer mtقlbة 4mbit 80 ns فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 80ns
M29W200BB70N6E Micron Technology Inc. M29W200BB70N6E -
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W200 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 2Mbit 70 ns فlaش 256k × 8 ، 128k × 16 مويزي 70ns
MT25QU128ABA1EW7-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-MSIT TR -
RFQ
ECAD 8959 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة MT25QU128 فlaش - و 1.7v ~ 2v 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 16M × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT48LC4M16A2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6 IT: G. -
RFQ
ECAD 8941 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 167 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.5 ns دريم 4M × 16 مويزي 12ns
M50FLW040BNB5G Micron Technology Inc. M50FLW040BNB5G -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) أبل السفلي 32-TFSOP (0.488 "، بعد 12.40 ملم) M50FLW040 فlaش - و 3V ~ 3.6V 32-توتوب - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 208 33 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 4mbit 250 ns فlaش 512K × 8 مويزي -
MT28F128J3RG-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3RG-12 Met Tr -
RFQ
ECAD 2160 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT28F128J3 فlaش 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs غyer amtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 128mbit 120 NS فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي -
MT46H256M32L4SA-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H256M32L4SA-48 BALOزN: ج -
RFQ
ECAD 3947 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 168-TFBGA MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 168-TFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 208 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit 5 ns دريم 256m × 32 مويزي 14.4ns
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GDTJ-FD -
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،190 800 myiغaiheartز ماضلب 24 جyجabt دريم 192m × 128 مويزي -
N25Q128A31EF840E Micron Technology Inc. N25Q128A31EF840E -
RFQ
ECAD 8034 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-Vdfn lloحة mكشoفة N25Q128A31 فlaش - و 1.7v ~ 2v 8-VDFPN (MLP8) (8x6) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1920 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 32M × 4 spi 8ms ، 5 مللي
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT: D TR -
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F1G16 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 64m × 16 مويزي -
MT48LC32M16A2P-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75 L: C TR -
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC32M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 4 (72 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 5.4 ns دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6 IT: A TR -
RFQ
ECAD 1134 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 168-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 168-VFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 166 Myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 5 ns دريم 32M × 32 مويزي 15ns
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-ITE: د -
RFQ
ECAD 2641 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F1G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 مويزي -
MT47H64M16HR-25E L:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E L: G TR -
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x12.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 400 ps دريم 64m × 16 مويزي 15ns
MT41K1G4DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G4DA-107: P TR -
RFQ
ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41K1G4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT41K1G4DA-107: PTR ear99 8542.32.0036 2000 933 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 20 ns دريم 1g × 4 مويزي -
MT47H32M16U67A3WC1 Micron Technology Inc. MT47H32M16U67A3WC1 -
RFQ
ECAD 7012 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - - - MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1 ماضلب 512 ماميبوت دريم 32M × 16 مويزي -
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12: D TR -
RFQ
ECAD 6324 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F32G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32Gbit فlaش 4G × 8 مويزي -
MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B XIT: M. -
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 66-TSSOP (0.400 "، عد 10.16 موم) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.5v ~ 2.7v 66-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،080 200 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 700 ps دريم 16m × 16 مويزي 15ns
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله MT29VZZZAD8 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1520
M28W640FCT70ZB6E Micron Technology Inc. M28W640FCT70ZB6E -
RFQ
ECAD 6975 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA M28W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6.39x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 160 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 4M × 16 مويزي 70ns
M28W640HCT70N6E Micron Technology Inc. M28W640HCT70N6E -
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M28W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 4M × 16 مويزي 70ns
MTFC8GLVEA-IT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-IT -
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 153-WFBGA MTFC8 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 MMC -
MT48H16M32L2B5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-10 IT TR -
RFQ
ECAD 2720 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 100 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 7.5 ns دريم 16m × 32 مويزي -
MT40A1G8SA-062E:R Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E: ص 6.2003
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT40A1G8SA-062E: ص 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 1.6 جyجa hertز ماضلب 8gbit 19 NS دريم 1g × 8 مويزي 15ns
MT58L128L36F1T-8.5C Micron Technology Inc. MT58L128L36F1T-8.5C 5.2200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل SRAM - الماعير 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) تومويل لا 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 myiغaiheartز ماضلب 4mbit 8.5 ns Sram 128k × 36 مويزي -
EDBA232B2PB-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA232B2PB-1D-FD -
RFQ
ECAD 5881 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 168-VFBGA EDBA232 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1،680 533 Myiغaiheartز ماضلب 16 جyجabt دريم 512M × 32 مويزي -
MTFC32GAKAENA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAENA-4M IT TR -
RFQ
ECAD 6331 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 tbga MTFC32G فlaش - nand - 100 tbga (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 MMC -
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NL-062 XT ES: C. -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 960 1.6 جyجa hertز ماضلب 16 جyجabt دريم 256m × 64 - -
MTFC16GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALNA-AAIT ES TR -
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله MTFC16 - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون