SIC
close

دوازر ماوتامال (ICS) (10403)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT41K256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125: E TR -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 800 myiغaiheartز ماضلب 4gbit 13.75 NS دريم 256m × 16 مويزي -
M29W320EB70ZS6E Micron Technology Inc. M29W320EB70ZS6E -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل M29W320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -M29W320EB70ZS6E 3A991B1A 8542.32.0071 960 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 70ns
M29W640GL70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZF6E -
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M29W640 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 TBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 816 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 70 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 70ns
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACJG-5 BALOزN -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 168-VFBGA MT29C4G96 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 168-VFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 4GBIT (NAND) ، 4GBIT (LPDRAM) فlaش ، رام 256m × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12it: B TR -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
M28W320FCB70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320FCB70ZB6E -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 47-TFBGA M28W320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 47-TFBGA (6.39x6.37) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،380 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 2M × 16 مويزي 70ns
M29W064FB6AZA6E Micron Technology Inc. M29W064FB6AZA6E -
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA M29W064 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 187 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 60 ns فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي 60ns
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12Z: A TR -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M 12.3100
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M 1
MT46V64M8BN-75:D Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-75: د -
RFQ
 ECAD 5363 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 mtoaفق 5 (48 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 750 ps دريم 64m × 8 مويزي 15ns
MT53D4DBNY-DC Micron Technology Inc. MT53D4DBNY-DC -
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز - - MT53D4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 0000.00.0000 1،360 ماضلب دريم
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37: B TR -
RFQ
 ECAD 7061 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 132-VBGA MT29F1HT08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1.5Tbit فlaش 192g × 8 مويزي -
M29F400FT5AM6T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT5AM6T2 TR -
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) M29F400 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 44-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 500 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
M29W320DB70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 8167 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA M29W320 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 32 Myiجabt 70 ns فlaش 4M × 8 ، 2M × 16 مويزي 70ns
MT28F004B5VG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 5383 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 40 TFSOP (0.724 "، ، بعد 18.40 ملم) MT28F004B5 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 40-tsop i تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 4mbit 80 ns فlaش 512K × 8 مويزي 80ns
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AIT: M TR -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.3v ~ 2.7v 60-FBGA (8x12.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 700 ps دريم 16m × 16 مويزي 15ns
M29W128GH70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GH70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 TBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT48H8M16LFB4-75:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75: K TR -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.95v 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 5.4 ns دريم 8m × 16 مويزي 15ns
MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AAT: H. 5.7800
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 حجm -pier نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0028 1،368 400 myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 400 ps دريم 32M × 16 مويزي 15ns
MT49H32M18FM-33:B Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-33: ب -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144 MyizeRoغraram (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0028 1000 300 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 20 ns دريم 32M × 18 مويزي -
MT42L384M32D3LP-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L384M32D3LP-18 BALOزN: أ -
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT42L384M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1 533 Myiغaiheartز ماضلب 12 جyجabt دريم 384M × 32 مويزي -
MT48H4M16LFB4-8 TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8 TR -
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1.7v ~ 1.9v 54-VFBGA (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 125 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 6 ns دريم 4M × 16 مويزي 15ns
MT53D768M32D4CB-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4CB-053 BALOزN: ج -
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،360 1.866 جyجa hertز ماضلب 24 جyجabt دريم 768m × 32 - -
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA MT25QL512 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-T-PBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 64m × 8 spi 8ms ، 2.8ms
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CCCBH1-12Z: C. -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT28F640J3BS-115 ET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 et tr -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64-FBGA MT28F640J3 فlaش 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (10x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 2 (1 سنز) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 64 Myiجabt 115 NS فlaش 8M × 8 ، 4M × 16 مويزي -
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT -
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 130-VFBGA MT29C4G48 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.95v 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1782 208 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 4GBIT (NAND) ، 2GBIT (LPDRAM) فlaش ، رام 512M × 8 (NAND) ، 64 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
MT29F128G08CFABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABAWP: B TR -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
MT53B4DBNH-DC Micron Technology Inc. MT53B4DBNH-DC -
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله أبل السفلي 272-WFBGA MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 272-WFBGA (15x15) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،190 ماضلب دريم
MT41K128M8DA-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107: J TR 5.0100
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 933 Myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 20 ns دريم 128 م × 8 مويزي -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق