SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT62F1G32D4DR-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DR-031 BALOزN: ب 23.5200
RFQ
ECAD 7531 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة - - SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V - - 557-MT62F1G32D4DR-031WT: ب 1 3.2 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 مويزي -
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10es: B TR -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F512G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 مويزي -
MT42L128M64D2MC-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-25 BALOزN: أ -
RFQ
ECAD 2870 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 240-WFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 8gbit دريم 128 م × 64 مويزي -
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-6SIT TR 14.9250
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT28EW01 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1600 غyer mtقlbة 1Gbit 95 ns فlaش 128m × 8 ، 64 م × 16 مويزي 60ns
MT29F512G08EBLEEJ4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBelej4-QA: E. 13.2450
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F512G08EBELEJ4-QA: E. 1
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G. 2.8500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F2G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 960 غyer mtقlbة 2gbit فlaش 256m × 8 مويزي -
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AAT: ب -
RFQ
ECAD 5639 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 حجm -pier عى الله -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 90-VFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1440 200 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 5 ns دريم 32M × 32 مويزي 15ns
MT29F8T08GQLCEG8-QB:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GQLCEG8-QB: C. 156.3000
RFQ
ECAD 6470 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: C. 1
MT47H128M8B7-5E L:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E L: A TR -
RFQ
ECAD 1824 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 92-FBGA (11x19) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 600 ps دريم 128 م × 8 مويزي 15ns
MT53B2DARN-DC Micron Technology Inc. MT53B2DARN-DC -
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق توفت - الإلهال 0000.00.0000 1،008
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT: C TR -
RFQ
ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 2000 1.866 جyجa hertز ماضلب 12 جyجabt دريم 384M × 32 - -
MTFC32GASAONS-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AAT 23.2950
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 153-TFBGA فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32Gasaons-AAT 1 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 UFS2.1 -
MTFC16GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAPALGT-AAIT -
RFQ
ECAD 3887 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier مرر -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) MTFC16 فlaش - nand - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MTFC16GAPALGT-AAIT 3A991B1A 8542.32.0071 1520 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 MMC -
MT62F2G64D8EK-026 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 WT: C TR 90.4650
RFQ
ECAD 7627 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-026WT: CTR 2000 3.2 جyجa hertز ماضلب 128 جyجabt دريم 2G × 64 مويزي -
MT29F128G08AMCABK3-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10: A TR -
RFQ
ECAD 2068 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) - - MT29F128G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 مويزي -
MT47H128M8CF-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E: H TR -
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 85 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7v ~ 1.9v 60-FBGA (8x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0032 2000 400 myiغaiheartز ماضلب 1Gbit 400 ps دريم 128 م × 8 مويزي 15ns
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AAT: B TR 15.4950
RFQ
ECAD 1410 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) تومويل 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: BTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 8gbit 3.5 ns دريم 256m × 32 مويزي 18ns
MTFC16GLTDV-WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GLTDV-WT TR -
RFQ
ECAD 8913 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ الهاريه والال عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي - MTFC16G فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 128 جyجabt فlaش 16g × 8 MMC -
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G TR 2.7962
RFQ
ECAD 4305 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F2G08 فlaش - nand (SLC) 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 2gbit 20 ns فlaش 256m × 8 مويزي 20ns
M25P10-AVMN6PYA Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6PYA -
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) M25P10 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 8-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0071 2000 50 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 1Mbit فlaش 128k × 8 spi 15ms ، 5 مللي
M29W128GSL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZA6E -
RFQ
ECAD 6975 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 TBGA M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64 TBGA (10x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 816 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCBBH2-10: B TR -
RFQ
ECAD 8275 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 tbga MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 100 TBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B TR -
RFQ
ECAD 4008 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 1000 1.866 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 512M × 64 - -
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABJ1-10ITZ: أ -
RFQ
ECAD 9549 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي - MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AIT: C TR 58.2150
RFQ
ECAD 4412 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - Rohs3 mtoaفق 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: CTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 48Gbit 3.5 ns دريم 768M × 64 مويزي 18ns
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-ITES: f -
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) MT29F4G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 960 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 512M × 8 مويزي -
PC28F512M29EWHA Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHA -
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل PC28F512 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،104 غyer mtقlbة 512 ماميبوت 100 ns فlaش 64m × 8 ، 32 م × 16 مويزي 100ns
MT38M5071A3063RZZI.YE8 Micron Technology Inc. MT38M5071A3063RZZI.YE8 -
RFQ
ECAD 3020 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 133-VFBGA MT38M5071 فlaش - alla 1.7v ~ 1.95v 133-VFBGA (8x8) - 1 (غyer mحdod) الإلهال عى الله 0000.00.0000 3564 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 512 MyiجaBt ( فlaش ، رام 32M × 16 ، 32 م × 16 مويزي -
M29W128GL7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL7AZS6F TR -
RFQ
ECAD 2075 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (11x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1800 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
M29F400FB55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55M3F2 TR -
RFQ
ECAD 9322 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-suic (0.496 "، ، ، 12.60 ملم) M29F400 فlaش - و 4.5v ~ 5.5v 44-so تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 500 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون