SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT ES: C. -
RFQ
ECAD 6258 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1،190 1.6 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 512M × 64 - -
MT29F1G16ABBDAHC:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC: د -
RFQ
ECAD 1855 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F1G16 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 64m × 16 مويزي -
MT62F2G32D4DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 IT: ب 50.2800
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - أبل السفلي 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023it: ب 1 4.266 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 2G × 32 مويزي -
MT53E4D1BHJ-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1BHJ-DC TR 22.5000
RFQ
ECAD 9778 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز MT53E4 - الإلهال 557-MT53E4D1BHJ-DCTR 2000
M29W128GL70N6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70N6F TR -
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 56-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W128 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 56-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1200 غyer mtقlbة 128mbit 70 ns فlaش 16M × 8 ، 8M × 16 مويزي 70ns
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AAT: F TR 3.8498
RFQ
ECAD 1901 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24 TBGA MT29F4G01 فlaش - nand (SLC) 1.7v ~ 1.95v 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT29F4G01ABBFD12-AAT: FTR 8542.32.0071 2000 83 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 4gbit فlaش 4G × 1 spi -
MT41K256M16TW-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 IT: P TR 5.7000
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT41K256M16TW-107it: PTR ear99 8542.32.0036 2000 933 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 20 ns دريم 256m × 16 مويزي 15ns
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: A. 47.4300
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: أ 1
MT62F1G64D4EK-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-026 WT: B TR 45.6900
RFQ
ECAD 4770 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-026WT: BTR 2000 3.2 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 1g × 64 مويزي -
MT49H32M18FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-25: ب -
RFQ
ECAD 5108 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier توفت 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 144-TFBGA MT49H32M18 دريم 1.7v ~ 1.9v 144 MyizeRoغraram (18.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0032 1000 400 myiغaiheartز ماضلب 576 ماميبت 20 ns دريم 32M × 18 مويزي -
MT62F1G64D4EK-023 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AAT: C TR 63.8550
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT62F1G64D4EK-023AAT: CTR 2000
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53E512M64D4HJ-046 WT: D. -
RFQ
ECAD 3117 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله - 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: D. عى الله 1
MT29F2T08EMLEEJ4-M:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-M: E TR 42.9300
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR 2000
MT53D512M16D1Z21MWC1 Micron Technology Inc. MT53D512M16D1Z21MWC1 -
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق عى الله - 557-MT53D512M16D1Z21MWC1 عى الله 1
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F4T08EULGEM4-ITF: G. 130.1100
RFQ
ECAD 6151 0.00000000 Micron Technology Inc. - صnadoق نوز - 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF: G. 1
MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K -
RFQ
ECAD 5445 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله MT29GZ5 - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) عى الله 0000.00.0000 1،260
MT62F1G128DAWA-031 XT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G128DAWA-031 XT: B TR 136.0800
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - 557-MT62F1G128DAWA-031XT: BTR 2000
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT: C TR 94.8900
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT: CTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 1g × 64 مويزي -
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT: C. 64.9800
RFQ
ECAD 2649 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صnadoق نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: C. 1 2.133 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت 3.5 ns دريم 2G × 32 مويزي 18ns
NAND32GW3F4AN6E Micron Technology Inc. nand32gw3f4an6e -
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 Micron Technology Inc. - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) nand32g فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال -nand32gw3f4an6e 3A991B1A 8542.32.0051 96 غyer mtقlbة 32Gbit 50 ns فlaش 4G × 8 مويزي 50ns
MT53B128M32D1Z00NWC2 AT Micron Technology Inc. MT53B128M32D1Z00NWC2 فy -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) - - MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT53B128M32D1Z00NWC2AT عى الله 1 ماضلب 4gbit دريم 128 م × 32 - -
M29W400FB5AN6F TR Micron Technology Inc. M29W400FB5AN6F TR -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W400 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0071 1500 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 AUT: B TR 10.8000
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) تومويل 557-MT53E256M16D1FW-046AUT: BTR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 4gbit 3.5 ns دريم 256m × 16 مويزي 18ns
MT46H64M32LFMA-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 IT: A. -
RFQ
ECAD 9449 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 168-WFBGA MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7v ~ 1.95v 168-WFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.32.0036 1000 200 myiغaiheartز ماضلب 2gbit 5 ns دريم 64m × 32 مويزي 15ns
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR -
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 168-VFBGA MT29C8G96 Flash - NAND ، Mobile LPDRAM 1.7v ~ 1.9v 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 208 Myiغaiheartز غyer mtقlbة ، mtقlbة 8gbit (NAND) ، 4Gbit (LPDRAM) فlaش ، رام 512M × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) مويزي -
MT35XU256ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AUT 10.5900
RFQ
ECAD 871 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - MT35X صyniة نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة أبل السفلي 24 TBGA MT35XU256 فlaش - و 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،122 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt فlaش 32M × 8 حaفlة xccela -
MT40A512M8SA-062E AIT:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AIT: f 14.0850
RFQ
ECAD 5201 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 حجm -pier نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال MT40A512M8SA-062EAIT: f ear99 8542.32.0036 1،260 1.6 جyجa hertز ماضلب 4gbit 19 NS دريم 512M × 8 مويزي 15ns
MT29F512G08CKCABH7-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-10: أ -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 557-MT29F512G08CKCABH7-10: عى الله 980
MT48LC4M16A2P-7E IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT: J TR -
RFQ
ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 1000 133 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.4 ns دريم 4M × 16 مويزي 14ns
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT: E. -
RFQ
ECAD 4537 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F4G08 فlaش - nand 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1،260 غyer mtقlbة 4gbit فlaش 512M × 8 مويزي -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون