- RFQ
- بوم
- اتصل بنا
Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- التركية
- إيطالي
- دانماركي
- روماني
- إندونيسي
- التشيكية
- أفريكانيين
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- كاتالونية
- إسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- أمهرية
- أرمني
- أذربيجاني
- البيلاروسي
- البنغالية
- البوسني
- البلغارية
- سيبوانو
- تشيشيكا
- كورسيكان
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- فريسيان
- جاليكيان
- الجورجي
- غوجاراتية
- الهايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجري
- الأيسلندية
- الإغبو
- الجاوية
- الكانادا
- كازاخاخية
- الخمير
- كردي
- قيرغيز
- اللاتينية
- لاتفيان
- الليتواني
- لوكسمبو ..
- مقدوني
- الملغاشية
- الملايو
- الملايالام
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولي
- البورمي
- النيبالي
- النرويجية
- الباشتو
- فارسي
- البنجابية
- الصربي
- Sesotho
- سنهالية
- سلوفاك
- سلوفيني
- صومالي
- ساموا
- الاسكتلنديين الغيليك
- شونا
- السندي
- صنداني
- السواحيلية
- طاجيك
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- أوزبك
- الفيتنامي
- الويلزية
- Xhosa
- اليديشية
- يوروبا
- زولو
- كينيارواندا
- التتار
- أوريا
- تركمان
- أويغور
دوازر ماوتامال (ICS) (10403)
| حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | العلم - العرف | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | حalة rohs | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M16D1DS-046 AIT: D. | 11.9500 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT53D512M16D1DS-046AIT: د | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | دريم | 512M × 16 | - | - | ||
 | MT53E768M32D4DT-046 AIT: E TR | - | | 9697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | عى الله | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-VBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | MT53E768M32D4DT-046AIT: ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 24 جyجabt | دريم | 768m × 32 | - | - | |||
 | M29DW323DT70N6F TR | - | | 6401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29DW323 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 48-TSOP | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1500 | غyer mtقlbة | 32 Myiجabt | 70 ns | فlaش | 4M × 8 ، 2M × 16 | مويزي | 70ns | |||
 | MT46H16M32LFBQ-5 AIT: ج | - | | 6000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7v ~ 1.95v | 90-VFBGA (8x13) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 myiغaiheartز | ماضلب | 512 ماميبوت | 5 ns | دريم | 16m × 32 | مويزي | 15ns | ||
| MT46H128M32L2MC-6 IT: A. | - | | 6732 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 240-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7v ~ 1.95v | 240-WFBGA (14x14) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 166 Myiغaiheartز | ماضلب | 4gbit | 5 ns | دريم | 128 م × 32 | مويزي | 15ns | ||
 | N25Q064A13ESF40F TR | - | | 6083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) | N25Q064A13 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 16 -o | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 108 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 64 Myiجabt | فlaش | 16m × 4 | spi | 8ms ، 5 مللي | |||
| MT41J256M16HA-093: E. | - | | 1624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (9x14) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1.066 جyجa hertز | ماضلب | 4gbit | 20 ns | دريم | 256m × 16 | مويزي | - | ||
 | MT53E256M32D1KS-046 WT: L. | 9.6500 | | 4709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | أبل السفلي | 200-VFBGA | 200-VBGA (10x14.5) | - | الإلهال | 557-MT53E256M32D1KS-046WT: L. | 1 | |||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-026 WT: B TR | 45.6900 | | 4770 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT: BTR | 2000 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 64 جyجa بت | دريم | 1g × 64 | مويزي | - | ||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT: A. | 47.4300 | | 3713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: أ | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K256M16TW-107 IT: P TR | 5.7000 | | 2247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT41K256M16TW-107it: PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 933 Myiغaiheartز | ماضلب | 4gbit | 20 ns | دريم | 256m × 16 | مويزي | 15ns | |
 | MT46H64M32LFMA-5 IT: A. | - | | 9449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7v ~ 1.95v | 168-WFBGA (12x12) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 myiغaiheartز | ماضلب | 2gbit | 5 ns | دريم | 64m × 32 | مويزي | 15ns | |||
 | MT53E256M16D1FW-046 AUT: B TR | 10.8000 | | 7411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | تومويل | 557-MT53E256M16D1FW-046AUT: BTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 4gbit | 3.5 ns | دريم | 256m × 16 | مويزي | 18ns | |||||||
 | MT40A4G4DVN-062H: E. | - | | 9411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | تومويل | 557-MT40A4G4DVN-062H: E. | عى الله | 8542.32.0071 | 210 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 27 ns | دريم | 4G × 4 | مويزي | - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-M: E TR | 42.9300 | | 6788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E512M64D4HJ-046 WT: D. | - | | 3117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | عى الله | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: D. | عى الله | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT62F1G128DAWA-031 XT: B TR | 136.0800 | | 3832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT: BTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K | - | | 5445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | MT29GZ5 | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،260 | |||||||||||||||||
 | MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR | - | | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 168-VFBGA | MT29C8G96 | Flash - NAND ، Mobile LPDRAM | 1.7v ~ 1.9v | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 208 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة ، mtقlbة | 8gbit (NAND) ، 4Gbit (LPDRAM) | فlaش ، رام | 512M × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) | مويزي | - | |||
| M29W640GL70ZF3E | - | | 2089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 64 TBGA | M29W640 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 64 TBGA (10x13) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | غyer mtقlbة | 64 Myiجabt | 70 ns | فlaش | 8M × 8 ، 4M × 16 | مويزي | 70ns | |||
| MT53B512M64D4NK-062 WT: C TR | - | | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 366-WFBGA (15x15) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 1000 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 512M × 64 | - | - | ||||
| MT53E256M32D2DS-053 AIT: B TR | 14.0850 | | 3984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | مرر | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT53E256M32D2DS-053AIT: BTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | دريم | 256m × 32 | - | - | ||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E TR | 22.0500 | | 8444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F256G08 | فlaش - nand (MLC) | 2.7v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: ETR | 8542.32.0071 | 2000 | 267 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - | |||
| MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 | - | | 3924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | عى الله | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT28GU01GAAA1EGC-6SIT TR | - | | 9442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 64 TBGA | MT28GU01 | فlaش - و | 1.7v ~ 2v | 64 TBGA (10x8) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 | 133 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 1Gbit | 96 ns | فlaش | 64m × 16 | مويزي | - | ||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT: B TR | 9.0450 | | 9333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT53E256M16D1FW-046AIT: BTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 4gbit | دريم | 256m × 16 | - | - | |||||||
 | MTFC8GAMALNA-AAIT ES | - | | 4783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 100 tbga | MTFC8 | فlaش - nand | - | 100 tbga (14x18) | - | 1 (غyer mحdod) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | غyer mtقlbة | 64 جyجa بت | فlaش | 8g × 8 | MMC | - | ||||||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C TR | 60.5400 | | 1980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: CTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 WT: B TR | 45.6900 | | 5908 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT: BTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 64 جyجa بت | دريم | 1g × 64 | مويزي | - | ||||||||
| MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR | - | | 7345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | MT29VZZZBD8 | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 0000.00.0000 | 1000 |
2000+
متوسط حجم RFQ اليومي
30،000،000
وحدة المنتج القياسية
2800+
المصنعين في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الأمنيات (0 عناصر)