- RFQ
- بوم
- اتصل بنا
Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- التركية
- إيطالي
- دانماركي
- روماني
- إندونيسي
- التشيكية
- أفريكانيين
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- كاتالونية
- إسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- أمهرية
- أرمني
- أذربيجاني
- البيلاروسي
- البنغالية
- البوسني
- البلغارية
- سيبوانو
- تشيشيكا
- كورسيكان
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- فريسيان
- جاليكيان
- الجورجي
- غوجاراتية
- الهايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجري
- الأيسلندية
- الإغبو
- الجاوية
- الكانادا
- كازاخاخية
- الخمير
- كردي
- قيرغيز
- اللاتينية
- لاتفيان
- الليتواني
- لوكسمبو ..
- مقدوني
- الملغاشية
- الملايو
- الملايالام
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولي
- البورمي
- النيبالي
- النرويجية
- الباشتو
- فارسي
- البنجابية
- الصربي
- Sesotho
- سنهالية
- سلوفاك
- سلوفيني
- صومالي
- ساموا
- الاسكتلنديين الغيليك
- شونا
- السندي
- صنداني
- السواحيلية
- طاجيك
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- أوزبك
- الفيتنامي
- الويلزية
- Xhosa
- اليديشية
- يوروبا
- زولو
- كينيارواندا
- التتار
- أوريا
- تركمان
- أويغور
دوازر ماوتامال (ICS) (10403)
| حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | الهادي - الها | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | حalة rohs | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L256V36PS-6TR | 5.9800 |  | 32 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | SRAM - الماعير | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | تومويل | لا | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 Myiغaiheartز | ماضلب | 8mbit | 3.5 ns | Sram | 256k × 36 | مويزي | - | |||
 | MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR | 17.0762 | | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F8T08ESLEEG4-QD: E. | 211.8900 | | 4696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT29F8T08ESLEEG4-QD: E. | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F512M32D2DS-031 WT: B TR | 12.2400 | | 4229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031WT: BTR | 2000 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | دريم | 512M × 32 | مويزي | - | ||||||||
| MT62F1536M32D4DS-023 BALOزN: ب | 34.2750 | | 6910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | أبل السفلي | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023WT: ب | 1 | 4.266 جyجa hertز | ماضلب | 48Gbit | دريم | 1.5g × 32 | مويزي | - | ||||||||
| MTFC128GBCAQTC-AAIT | 57.6200 | | 7241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 557-MTFC128GBCAQTC-AAIT | 1520 | |||||||||||||||||||
| MT58L512Y36FT-6.8 | 18.6700 | | 607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | SRAM - الماعير | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 Myiغaiheartز | ماضلب | 18 Myiجabt | 6.8 ns | Sram | 512K × 36 | مويزي | - | |||
 | MT29F256G08CMCABJ2-10RZ: A TR | - | | 6778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | - | MT29F256G08 | فlaش - nand (MLC) | 2.7v ~ 3.6v | 132 TBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - | ||||
 | MT29F512G08CUCDBJ6-6R: د | - | | 5708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132 رحل | MT29F512G08 | فlaش - nand (MLC) | 2.7v ~ 3.6v | 132 رحل (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1،20 | 166 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 512Gbit | فlaش | 64g × 8 | مويزي | - | |||
| MT53D2048M32D8QD-046 WT ES: D TR | - | | 6127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | - | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 64 جyجa بت | دريم | 2G × 32 | - | - | ||||
 | MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: أ | 252.4600 | | 247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 100 رحل | MT29F256G08 | فlaش - nand (SLC) | 2.7v ~ 3.6v | 100 رحل (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1،20 | 100 myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - | |||
 | MT53E256M32D1KS-046 AIT: L TR | 11.6800 | | 8256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | أبل السفلي | 200-VFBGA | 200-VBGA (10x14.5) | - | الإلهال | 557-MT53E256M32D1KS-046AIT: LTR | 1 | |||||||||||||||||
 | M29F800DT70N6F TR | - | | 3464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29F800 | فlaش - و | 4.5v ~ 5.5v | 48-TSOP | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0071 | 1500 | غyer mtقlbة | 8mbit | 70 ns | فlaش | 1M × 8 ، 512 كyelo × 16 | مويزي | 70ns | |||
| MT62F512M64D4EK-031 BALOزN: ب | 23.3100 | | 7515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F512M64D4EK-031WT: ب | 1 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 512M × 64 | مويزي | - | ||||||||
 | MTFC4GMMMDEA-4M IT TR | - | | 6557 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 153-WFBGA | MTFC4 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1000 | غyer mtقlbة | 32Gbit | فlaش | 4G × 8 | MMC | - | |||||
 | MT53D384M32D2DS-053 XT: C TR | - | | 4233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | عى الله | 0000.00.0000 | 2000 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 12 جyجabt | دريم | 384M × 32 | - | - | ||||
 | MT40A1G8SA-062E AAT: E TR | 10.1250 | | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) | أبل السفلي | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT40A1G8SA-062EAAT: ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | 19 NS | دريم | 1g × 8 | مويزي | 15ns | |
| MT42L64M32D2HE-18 IT: D. | 8.8050 | | 3310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) | أبل السفلي | 134-VFBGA | MT42L64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-VBGA (10x11.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT42L64M32D2HE-18it: D. | ear99 | 8542.32.0036 | 2100 | 533 Myiغaiheartز | ماضلب | 2gbit | دريم | 64m × 32 | مويزي | 15ns | ||
| MT29C8G96MAZBADJV-5 BALOزN | - | | 8727 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | عى الله | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) | أبل السفلي | 168-VFBGA | MT29C8G96 | Flash - NAND ، Mobile LPDRAM | 1.7v ~ 1.95v | 168-VFBGA (12x12) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 200 myiغaiheartز | غyer mtقlbة ، mtقlbة | 8gbit (NAND) ، 4Gbit (LPDRAM) | فlaش ، رام | 512M × 16 (NAND) ، 128 م × 32 (LPDRAM) | مويزي | - | ||||
| MT62F768M64D4EK-026 WT ES: B TR | 51.0300 | | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-026WTES: BTR | 1500 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 48Gbit | دريم | 768M × 64 | مويزي | - | |||||||
| MT53E4G32D8GS-046 AIT: C. | 109.4700 | | 6034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | -40 دكر مويزي ~ 95 دري مويزي | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046AIT: C. | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 128 جyجabt | دريم | 4G × 32 | مويزي | - | ||||||||
 | MT41J64MMM16JT-15E: G. | - | | 7524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | تومويل | Rohs mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 667 Myiغaihiertز | ماضلب | 1Gbit | دريم | 64m × 16 | مويزي | - | |||
| MT53D384M32D2DS-053 XT: E. | - | | 4694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويوي ~ 105 درجة مسي (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 12 جyجabt | دريم | 384M × 32 | - | - | |||
| MT41K256M16HA-125 V: E TR | - | | 6318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 800 myiغaiheartز | ماضلب | 4gbit | 13.75 NS | دريم | 256m × 16 | مويزي | - | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C TR | 67.8450 | | 5913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: CTR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 96 جyجabt | دريم | 1.5m × 64 | - | - | ||||||||
 | MT54W1MH18BF-5TR | 43.4700 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 165 TBGA | SRAM - MTزAMN | 1.7v ~ 1.9v | 165-FBGA (13x15) | تومويل | لا | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 200 myiغaiheartز | ماضلب | 18 Myiجabt | 450 ps | Sram | 1M × 18 | HSTL | - | |||
| MT53D512M32D2DS-046 IT: D. | 19.0000 | | 1723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT53D512M32D2DS-046it: د | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | دريم | 512M × 32 | - | - | ||
| MT58L32L32PT-6 | 10.9700 | | 38 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | SRAM - الماعير | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | العداد غyer ميدد | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 166 Myiغaiheartز | ماضلب | 1Mbit | 3.5 ns | Sram | 32k × 32 | مويزي | - | |||
| MT58L64L36PT-7.5 | 4.2600 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | SRAM - الماعير | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | العداد غyer ميدد | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 Myiغaiheartز | ماضلب | 2Mbit | 4 ns | Sram | 64k × 36 | مويزي | - | |||
 | MT57W2MH8CF-4 | 28.3700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 165 TBGA | SRAM - MTزAMN | 1.7v ~ 1.9v | 165-FBGA (13x15) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 myiغaiheartز | ماضلب | 18 Myiجabt | 450 ps | Sram | 2M × 8 | HSTL | - |
2000+
متوسط حجم RFQ اليومي
30،000،000
وحدة المنتج القياسية
2800+
المصنعين في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الأمنيات (0 عناصر)