SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم و alجhed - العرف (VCC/VDD) وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف حmaiة الها Myiزat hltحكm توتن الدة العالي - الها rds ulى (typ) الله - الله Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG ، 8 ، el 2.7700
RFQ
ECAD 1586 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 16 BSOP (0.252 "، ، بعد 6.40 ملم) + 2 ulamaT tboyeb TB6641 السلم موسفيت 10v ~ 45v 16-هوسوب تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 1500 سائق - مرل مويزي ، PWM نظرية (2) 1.5A 10v ~ 45v - دي سي ميرّفة -
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10 ، LF 0.1054
RFQ
ECAD 4302 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR3DG10 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 65 µA 78 µA - إyجaby 300MA 1V - 1 0.75V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B ، LM (CT 0.4800
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * الهاريه والال نوز - 3000
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.38V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A ، L3F 0.1628
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR8BM11 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 1.1v - 1 0.245V @ 800MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508ftg ، el 3.1400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 36-vfqfn lloحة mكشoفة TB67S508 DMOS 2V ~ 5.5V 36-VQFN (5x5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 4000 ساس PWM مسبح - نصف سسر (2) 3A 10v ~ 35v ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2 ، 1/4
TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11 ، L3F 0.4500
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR8BM11 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 1.1v - 1 0.245V @ 800MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF13 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.3V - 1 1.13V @ 150MA - على عاتق
TCR3RM29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A ، LF 0.4600
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM29 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 - إyجaby 300MA 2.9V - 1 0.13V @ 300MA 100 دايبيل (1 كyalo arhrtز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TBD62308APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308APG ، Zertز 1.3900
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) منلال أب 16-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) - TBD62308 قlb قnaة ن 1: 1 16 د تومويل Rohs mtoaفق لا ear99 8542.39.0001 25 4.5v ~ 5.5v ON/OFF 4 - العداد 370mohm 50 فولت (العد) الافرض الصامى 1.5A
TA48S09AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S09AF (T6L1 ، S) -
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي to-252-6 ، DPAK (5 خyoط + ebalmة tboyeb) TA48S09 16V مبيركت 5-HSIP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1.7 م 20 م ليمغن إyجaby 1A 9V - 1 0.69V @ 1A (TYP) 55dB (120 هرتز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13 ، LF -
RFQ
ECAD 2410 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN13 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.3V - 1 1.11v @ 150ma - على عاتق
TB6596FLG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6596flg ، el -
RFQ
ECAD 2505 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) عى الله -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 36-vfqfn lloحة mكشoفة TB6596 السلم موسفيت 3V ~ 5.5V 36-QON (6x6) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل ملسول نظرية (12) 600MA 2.2v ~ 5.5v ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة 1 ~ 1/64
TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE19 ، LM (CT 0.4000
RFQ
ECAD 9367 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE19 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.9v - 1 0.62V @ 150MA - على عاتق
TLP7820(B,TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (B ، TL ، E. -
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله الطعقار alحaily أبل السفلي 8-Suic (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) ع TLP7820 8-so - 1 (غyer mحdod) 264-TLP7820 (Btle عى الله 50
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U (TE85L ، F) 0.4700
RFQ
ECAD 388 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) TAR5S18 15V مبيركت UFV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 850 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.8 - 1 - 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A ، L3F 0.4900
RFQ
ECAD 2328 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR8BM12 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 1.2v - 1 0.26V @ 800MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185 ، LM (CT 0.3500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE185 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.85 - 1 0.31V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR3RM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A ، LF 0.4600
RFQ
ECAD 214 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM28 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 - إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.13V @ 300MA 100 دايبيل (1 كyalo arhrtز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb67h451fng ، el 1.5300
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال ليس لتلتومت الحديدي -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 8-uprض (0.154 " TB67H451 - 2V ~ 5.5V 8-HSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3500 ساس - نظرية 3.5A 4.5v ~ 44v - دي سي ميرّفة -
TB6584AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG -
RFQ
ECAD 3810 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -30 درج مويوي ~ 115 دري مويوي (تا) ودهد أبل السفلي 30-LSSOP (0.220 "، عبرة 5.60 ملم) TB6584 السلم موسفيت 6V ~ 16.5V 30-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 2000 ود مويزي مسبح - نصف سسر (3) - - - DC BDON IRRش (BLDC) -
TCR2DG19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG19 ، LF 0.1394
RFQ
ECAD 5190 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-UFBGA ، WLCSP 5.5v مبيركت 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 3000 70 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.9v - 1 0.17V @ 100MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR15AG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG30 ، LF 0.2294
RFQ
ECAD 8000 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR15AG الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 6-xfbga ، wlcsp TCR15AG30 6V مبيركت 6-WCSP (1.2x0.80) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 40 µA ليمغن إyجaby 1.5A 3V - 1 0.648v @ 1.5a 95dB ~ 60dB (1 كyalo hertز) chlحad alحaily
TCR2EN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21 ، LF 0.0896
RFQ
ECAD 5019 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EN الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2EN21 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.1V - 1 0.29V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A ، LF 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3UG الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfbga ، wlcsp TCR3UG27 5.5v مبيركت 4-WCSP-F (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 680 نا ليمغن إyجaby 300MA 2.7 - 1 0.327V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105 ، LM (CT 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3DF105 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 ليمغن إyجaby 300MA 1.05V - 1 0.77V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.9v - 1 0.6V @ 150MA - على عاتق
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF10 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1V - 1 0.77V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK1024G ، LF 0.5600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 6-UFBGA ، WLCSP تراهيت الحتميل TCK1024 عبد اليرفض قnaة P. 1: 1 6-WCSPE (0.80x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 - ON/OFF 1 chalحd alحaily (ثabt) العداد 31mohm 1.4v ~ 5.5v الافرض الصامى 1.54A
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.85 - 1 0.21V @ 150MA - على عاتق
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون