SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل طارار Tكnoloجya الله الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عداد العصر و alجhed - العرف alجhad - إزaحة alإdخal ( العالي - tحiز chalmdخalat (كحd أقصى) العالي - الها (TYP) العالي - الله (ad أقصى) CMRR ، PSRR (TYP) tأخyer alantشaar (alحd alأقصى) التهاب العالي - الهاون / الهاين alجhed - العرف (VCC/VDD) وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف الملم (الملم) طobohloجya الرفرفد - التتبيل حmaiة الها Myiزat hltحكm العلم - العرف (العد) توتن الدة موم متامين طrieقة الطعقار د العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة الضحك الله - الها (ده) الهادي - الهارف نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) الهادي - الجدري (ددي) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TCR2DG14,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG14 ، LF 0.1394
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-UFBGA ، WLCSP 5.5v مبيركت 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 3000 70 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.4 - 1 0.6v @ 100ma - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A ، L3F 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 0.95 فOlt - 1 0.225V @ 800MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG -
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 16-LSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) TC78H620 DMOS 2.7v ~ 5.5v 16-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 1A 2.5v ~ 15v أحadi alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A ، L3F 0.4600
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR8BM105 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA ليمغن إyجaby 800MA 1.05V - 1 0.24V @ 800MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR2EF135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF135 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF135 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.35 - 1 - 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105 ، L3F 0.4100
RFQ
ECAD 333 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR5BM105 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA ليمغن إyجaby 500MA 1.05V - 1 0.14V @ 500MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335 ، LM (CT 0.4900
RFQ
ECAD 2885 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3DF335 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 ليمغن إyجaby 300MA 3.35V - 1 0.25V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN ، LF 0.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة tفraveغ altحmile TCK207 عبد اليرفض قnaة ن 1: 1 4-DFNA (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 غyer mطlob ON/OFF 1 ع العناء العداد 21.5mohm 0.75V ~ 3.6V الافرض الصامى 2A
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L24BP -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * حجm -pier نوز KIA78 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG ، el 2.7700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 36-wfqfn lloحة mكشoفة TB67S512 السلم موسفيت 2V ~ 5.5V 36-WQFN (6x6) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 4000 سائق - مرل PWM ممسة - نصف سسر (4) 2A 10v ~ 35v ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2 ، 1/4
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb62747afnag ، el -
RFQ
ECAD 7768 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - أبل السفلي 24-SSOP (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) خطy TB62747 - 24-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 45MA 16 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 26
TBD62304AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFWG ، el 1.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - صyniة نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 16-Suic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) - TBD62304 قlb قnaة ن 1: 1 16 سود تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 4.5v ~ 5.5v ON/OFF 7 - العداد 1.5ohm 50 فولت (العد) الافرض الصامى 400MA
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L3.3 ، F) -
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي (TJ) أبل السفلي 8-SMD TB7101 5.5v مبيركت PS-8 (2.9x2.4) - 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 خطOB 1 با 1MHz إyجaby نعامة 1A 3.3V - 4.3v
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10 ، LM (CT 0.0762
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE10 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1V - 1 1.4v @ 150ma - على عاتق
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.25V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF14 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.4 - 1 0.42V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG ، el 1.5600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي الافرض الصامى أبل السفلي 16-vfqfn lloحة mكشoفة TC78H653 DMOS 1.8v ~ 7v 16-VQFN (3x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 سائق - مرل - نظرية (4) 4A 1.8v ~ 7v ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة -
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.3V - 1 0.55V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27 ، LM (CT 0.0680
RFQ
ECAD 1161 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE27 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.7 - 1 0.23V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF19 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.9v - 1 0.31V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105 ، LF 0.1357
RFQ
ECAD 9636 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR4DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR4DG105 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 420ma 1.05V - 1 0.991V @ 420MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A ، RF 0.3700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3LM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 2.2 µA alحd إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.445V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF20 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2V - 1 0.31V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR2EE42,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE42 ، LM (CT 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE42 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 4.2v - 1 0.2v @ 150ma 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (T6PSTEMF -
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA76431 - قablllltudyl LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) Ta76431st6psetemf ear99 8542.39.0001 1 - إyجaby - 2.495V 36V 1 - - -
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage tcke800na ، rf 1.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 10-wfdfn lloحة mكشoفة TCKE800 4.4v ~ 18v 10-Wsonb (3x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 chalصmamaT alإlكtroniة - - 5A
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11 ، LF 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR3DG11 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 300MA 1.1v - 1 0.65V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33 ، LF 0.3600
RFQ
ECAD 3246 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة TCR3DM33 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 65 µA 78 µA ليمغن إyجaby 300MA 3.3V - 1 0.23V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TC75W57FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W57FU ، LF 0.5800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 8-TSSOP ، 8-MSOP (0.110 "، عبرة 2.80 ملم) الافرض الصامى TC75W57 د 8-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 1.8V ~ 7V ، ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5v 1PA @ 5V 25MA 400µA - 140ns -
TA58L05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05F (TE16L1 ، NQ -
RFQ
ECAD 5283 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TA58L05 29V مبيركت PW-Mold تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1 م 50 مللي ليمغن إyجaby 250MA 5V - 1 0.4V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون