SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مساهات رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد كذAABLة للبرم عداد الداود نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) ECCN Htsus العلم نو علام عداد العصر عداد الهاضت ل. altyaar - إخraج mertفud ، mnخفض و العالي - الله (ad أقصى) -3db العننا الفطري عداد alجhed - العرف (VCC/VDD) داورة الستيبديل دافرة ماعت/demultiplexer mقaomة على الداول (كحd أقصى) mطabقة قnaة إlى قnaة (Δron) alجhed - العرف alجhed - العرف ، mزdoج (v واتتبديل (طن ، toff) (كحد أقصى) حقn alشحn عزيز الها (CS (OFF) ، CD (OFF)) العالي - التسرب (هو (خارج)) (كحd أقصى) chlحadiث chalmtحadث وا عود أقصى antشaar tأخyer @ v ، max cl العالي - الله (ذكاء) ماستو من ينحث ماستو من ينحث نو عداد حmaiة الها Myiزat hltحكm توتن الدة العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Tكoyn amdفoub عداد السابين نو العنب الهادي chnطقy - vil ، vih ityar - إخraج alذerroة (الممر و whithtفab / chlخraveف (typ) Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TCK422G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK422G ، L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-xfbga ، wlcsp TCK422 عبد اليرفض يا يتام الها من منها 2.7v ~ 28v 6-WCSPG (0.8x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 عجب أuplى الهاونب 1 N-channel mosfet 0.4 ف Wolt ، 1.2 فolt - -
TCR2EN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.5 - 1 0.21V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A ، LF 0.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5RG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، wlcsp TCR5RG09 5.5v مبيركت 4-WCSPF (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 13 µA - إyجaby 500MA 0.9V - 1 - 100db ~ 59db (1 كylo hertز ~ 1mhz) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF09 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.9V - 1 1.48V @ 150MA - على عاتق
TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN15 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.5 - 1 0.37V @ 150MA - على عاتق
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF105 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.05V - 1 1.4v @ 150ma - على عاتق
TCK425G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK425G ، L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-xfbga ، wlcsp TCK425 عبد اليرفض يا يتام الها من منها 2.7v ~ 28v 6-WCSPG (0.8x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 عجب أuplى الهاونب 1 N-channel mosfet 0.4 ف Wolt ، 1.2 فolt - -
TBD62084AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFWG ، el 1.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 18-SUIC (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) - TBD62084 قlb قnaة ن 1: 1 18 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1000 غyer mطlob ON/OFF 8 - العداد - 50 فولت (العد) الافرض الصامى 500MA
TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF19 ، LM (CT 0.0906
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3DF19 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 ليمغن إyجaby 300MA 1.9v - 1 0.4V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG ، 8 ، el -
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 28 BSOP (0.346 "، ، بعد 8.80 موم) + 2 ulamaT tboyeb TB62214 DMOS 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP تومويل 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 2A 10V ~ 38V ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4
TCR3DM11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.1v - 1 0.65V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR3DM18,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 ، RF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.38V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
74VHC4052AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4052AFF 0.5100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-TSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) 74VHC4052 2 16-TSSOPB تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 230 مميا هيرتز SP4T 4: 1 37ohm 5ohm 2V ~ 5.5V - 12ns ، 12ns - 0.5pf ، 13.1pf 100na -45DB @ 1MHz
TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A ، LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM33 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 3.3V - 1 0.14V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF115 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF115 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.15 فOlt - 1 1.3v @ 150ma - على عاتق
TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en30 ، lf (se 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 3V - 1 0.18V @ 150MA - على عاتق
TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM115A ، L3F 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 1.15 فOlt - 1 0.255V @ 800MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF285 ، LM (CT 0.0700
RFQ
ECAD 4272 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF285 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.85 - 1 0.38V @ 150MA - على عاتق
TC7SBL384CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SBL384CFU ، LF 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 5-TSSOP ، SC-70-5 ، SOT-353 TC7SBL384 1 5-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 - spst - لا 1: 1 18ohm - 1.65V ~ 3.6V - 6ns ، 6ns - 3.5pf 1µA -
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG ، C ، 8 ، EL 1.5141
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 28 BSOP (0.346 "، ، بعد 8.80 موم) + 2 ulamaT tboyeb TB62208 DMOS 4.5v ~ 5.5v 28-HSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 1.8a 10V ~ 38V ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2
74HC05D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC05D 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. 74HC الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة أبل السفلي 14-Voic (0.154 "، ، Zerض 3.90 ملم) فtح الها 74HC05 6 2V ~ 6V 14 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 الأعظم -، 5.2ma 1 µA 1 15ns @ 6v ، 50pf 0.5v ~ 1.8v 1.5v ~ 4.2v
TC7WH125FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FK ، LJ (CT 0.0886
RFQ
ECAD 3113 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. 7WH الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 8-VFSOP (0.091 "، ، بعد 2.30 ملم) TC7WH125 - 3 الداول 2V ~ 5.5V US8 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 الملمس 2 1 8MA ، 8MA
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11 ، RF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.1v - 1 0.65V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB9120FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120FTG (EL) -
RFQ
ECAD 7333 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة المسار جbl tlsطح 28-vQfn lloحة mكشoفة TB9120 ثnaئy cmos 4.75V ~ 5.25V 28-VQFN (6x6) تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 2000 ساس PWM مسبح - نصف سسر (2) - 4.5v ~ 18v ثnaئy alقطb - 1 ~ 1/256
TB67S109AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFTG ، el 3.1400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 48-wfqfn loحة mكشoفة TB67S109 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 4000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 3A 10V ~ 47V ثnaئy alقطb - 1 ~ 1/32
74HCT540D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT540D 0.7600
RFQ
ECAD 9004 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. 74HCT الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 20-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) 74HCT540 - 3 الداول 4.5v ~ 5.5v 20- ددا تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 الملمس 1 8 6MA ، 6MA
TC7WT240FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WT240FUET12LF 0.1756
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC7WU الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP ، 8-MSOP (0.110 "، عبرة 2.80 ملم) TC7WT240 - 3 الداول 4.5v ~ 5.5v 8-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 الملمس 2 1 6MA ، 6MA
TC7SZ05FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ05FE ، LM 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC7SZ شrive قطup (CT) نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 فtح الها 7SZ05 1 1.65V ~ 5.5V ESV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 الأعظم -، 32ma 2 µA 1 3.5ns @ 5v ، 50pf - -
TBD62387APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62387APG 1.8600
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب 20-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) - TBD62387 قlb قnaة ن 1: 1 20 د تومويل Rohs3 mtoaفق لا ear99 8542.39.0001 20 4.5v ~ 5.5v ON/OFF 8 - العداد 1.5ohm 0V ~ 50V الافرض الصامى 500MA
TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A ، LF 0.4500
RFQ
ECAD 203 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3um الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة TCR3UM18 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 680 نا alحd إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.457V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون