SIC
close

دوازر ماوتامل (ICS) (2120)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya العالي - الها الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد كذAABLة للبرم عداد الداود نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عداد العصر و alجhed - العرف alجhad - إزaحة alإdخal ( العالي - tحiز chalmdخalat (كحd أقصى) العالي - الها (TYP) العالي - الله (ad أقصى) CMRR ، PSRR (TYP) tأخyer alantشaar (alحd alأقصى) التهاب عقيق العنب العالي - الهاون / الهاين نود مخر لليت سبح منات العالي - tحiز الجد الهادي - الهادي - chamtadad chalإmadad (dقyقة) الهادي - chamtadad chalإmadad (كحd أقصى) عود I/o الماعل العلم سرو لاهال الله حجm ذazerة thybernamج Noau ذazerة tylbernamج حجm eeprom حجm alكbش alجhed - العرف (VCC/VDD) مويلت الصخور نو عجبب وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف حmaiة الها Myiزat hltحكm توتن الدة العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TC78H620FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG ، el 1.6300
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 16-LSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) TC78H620 DMOS 2.7v ~ 5.5v 16-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 1A 2.5v ~ 15v أحadi alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2
TC75S59F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S59F ، LF 0.5200
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 الافرض الصامى TC75S59 فtح الها SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 1 1.8V ~ 7V ، ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5v 1PA 25MA 220µA - 200ns -
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F (TE16L1 ، NQ -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TA58M10 29V مبيركت PW-Mold - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1.2 م 80 مللي - إyجaby 500MA 10 فolt - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF17 ، LM (CT 0.0906
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3DF17 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 ليمغن إyجaby 300MA 1.7 - 1 0.47V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A ، LF (SE 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM285 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 2.85 - 1 0.15V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125 ، LF 0.0896
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EN الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2EN125 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.25 - 1 0.55V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TB67S128FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG ، el 7.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي الافرض الصامى أبل السفلي 64-vfqfn loحة mكشoفة TB67S128 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 64-VQFN (9x9) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 سائق - مرل PWM نظرية 5A 6.5v ~ 44v ثnaئy alقطb DC BDON IRRش (BLDC) 1 ، 1/2 ، 1/4 ، 1/8 ، 1/16 ، 1/32 ، 1/128
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18 ، LM (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE18 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.8 - 1 0.62V @ 150MA - على عاتق
TCR2LE085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE085 ، LM (CT 0.0742
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.85V - 1 1.58V @ 150MA - على عاتق
TB67S539SFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG ، el 0.8343
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي الافرض الصامى أبل السفلي 32-vfqfn loحة mكشoفة DMOS 4.5v ~ 33v 32-VQFN (5x5) تومويل 4000 سائق - مرل منى نظرية (4) 1.8a 4.5v ~ 33v ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4 ، 1/8 ، 1/16 ، 1/32
TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18 ، LSF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 264-TCR2LN18LSF (setr ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.8 - 1 0.6V @ 150MA - على عاتق
TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27 ، LF -
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN27 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.7 - 1 0.36V @ 150MA - على عاتق
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26 ، LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-UFBGA ، WLCSP 5.5v مبيركت 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 3000 70 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.6v - 1 0.13V @ 100MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG ، el 1.7809
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي الافرض الصامى أبل السفلي 48-wfqfn loحة mكشoفة NMOS 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) تومويل 4000 سائق - مرل ON/OFF - - 10V ~ 40V أحadi alقطb - -
TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31 ، LF -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN31 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.1V - 1 0.28V @ 150MA - على عاتق
TC9592XBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC9592XBG (EL) 4.1715
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار الهاريه والال نوز - أبل السفلي 49-VFBGA كOBRY يا يتام الها من منها 49-VFBGA (5x5) تومويل 3 (168 سعع) 264-TC9592XBG (EL) TR 1000
TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125 ، LM (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE125 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.25 - 1 0.57V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S67TU ، LF 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) TC75S67 430µA - 1 UFV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.33.0001 3000 1V/µs 4 م CMOS 3.5 myiغaiheartز 1 السلم 500 µV 2.2 v 5.5 v
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11 ، LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EN الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2EN11 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.1v - 1 0.65V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A ، L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 3V - 1 0.285V @ 800MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TMPM3HPF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HPF10BFG 8.5600
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TXZ+ صyniة نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي 128-LQFP 128-LQFP (14x14) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 264-TMPM3HPF10BFG 180 118 ARM® Cortex®-M3 32 ب 120 مميا هيرتز i²c ، spi ، uart/usart DMA ، lvd 1 myiجaBaialt (1M × 8) فlaش 32k × 8 128k × 8 2.7v ~ 5.5v A/D 19x12B SAR ؛ D/A 2x8b خaarجy ، داالي
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28 ، LM (CT 0.0927
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3DF28 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 65 µA 78 µA ليمغن إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.27V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TBD62064AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFAG ، el 1.2300
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24-SOP (0.236 "، ، ، 6.00 ملم) - TBD62064 قlb قnaة ن 1: 1 24-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 غyer mطlob ON/OFF 4 - العداد 430mohm 50 فولت (العد) الافرض الصامى 1.25A
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG ، 8 ، el 2.7700
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 16 BSOP (0.252 "، ، بعد 6.40 ملم) + 2 ulamaT tboyeb TB6641 السلم موسفيت 10v ~ 45v 16-هوسوب تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 1500 سائق - مرل مويزي ، PWM نظرية (2) 1.5A 10v ~ 45v - دي سي ميرّفة -
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10 ، LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR3DG10 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 65 µA 78 µA - إyجaby 300MA 1V - 1 0.75V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B ، LM (CT 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * الهاريه والال نوز - 3000
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 ، LF (SE 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.38V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A ، L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR8BM11 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 1.1v - 1 0.245V @ 800MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508ftg ، el 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 36-vfqfn lloحة mكشoفة TB67S508 DMOS 2V ~ 5.5V 36-VQFN (5x5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 4000 ساس PWM مسبح - نصف سسر (2) 3A 10v ~ 35v ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2 ، 1/4
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13 ، LM (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF13 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.3V - 1 1.13V @ 150MA - على عاتق
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق