SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد عداد الداود نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم نو علام عداد العصر عداد الهاضت ل. altyaar - إخraج mertفud ، mnخفض و العالي - الله (ad أقصى) -3db العننا الفطري عداد عود I/o الماعل العلم سرو لاهال الله حجm ذazerة thybernamج Noau ذazerة tylbernamج حجm eeprom حجm alكbش alجhed - العرف (VCC/VDD) مويلت الصخور نو عجبب داورة الستيبديل دافرة ماعت/demultiplexer mقaomة على الداول (كحd أقصى) mطabقة قnaة إlى قnaة (Δron) alجhed - العرف alجhed - العرف ، mزdoج (v واتتبديل (طن ، toff) (كحد أقصى) حقn alشحn عزيز الها (CS (OFF) ، CD (OFF)) العالي - التسرب (هو (خارج)) (كحd أقصى) chlحadiث chalmtحadث وا مردد السفكر عود مدري إmadad alجhd نو عداد أقصى antشaar tأخyer @ v ، max cl العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف الوعاء ماستو من ينحث ماستو من ينحث الدازور دوازر ماستلا حmaiة الها Myiزat hltحكm توتن الدة العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TB9102FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb9102fng ، el 3.8831
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) المسار أبل السفلي 24-LSSOP (0.220 "، عبرة 5.60 ملم) TB9102 ثnaئy cmos 4.5v ~ 5.5v 24-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل spi نظرية (6) 1.5A 7V ~ 18V - دي سي ميرّفة -
TCR2EF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF115 ، LM (CT 0.3200
RFQ
ECAD 925 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF115 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.15 فOlt - 1 0.67V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR3DM105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.05V - 1 0.75V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TA4808BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4808BF (T6L1 ، NQ) 0.8200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TA4808 16V مبيركت PW-Mold - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1.7 م 20 م - إyجaby 1A 8V - 1 0.69V @ 1A (TYP) 56dB (120 Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G ، LF 0.2235
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 6-UFBGA tفraveغ altحmile TCK101 عبد اليرفض قnaة P. 1: 1 6-BGA تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 غyer mطlob ON/OFF 1 فoق درض الافرارة العداد 50MHM 1.1V ~ 5.5V الافرض الصامى 1A
TCR2EE34,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE34 ، LM (CT 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE34 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.4 - 1 0.2v @ 150ma 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TC74VHC595FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC595FK (EL ، K) 0.6200
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC74VHC الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 16-VFSOP (0.118 "، عبرة 3.00 ملم) 74VHC595 ثlaثyة 2V ~ 5.5V 16-VSSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 ساتل الإلهال 1 8 التساقليه
74VHC4052AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4052AFF 0.5100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-TSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) 74VHC4052 2 16-TSSOPB تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 230 مميا هيرتز SP4T 4: 1 37ohm 5ohm 2V ~ 5.5V - 12ns ، 12ns - 0.5pf ، 13.1pf 100na -45DB @ 1MHz
TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM115A ، L3F 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 1.15 فOlt - 1 0.255V @ 800MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en30 ، lf (se 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 3V - 1 0.18V @ 150MA - على عاتق
TC74ACT32FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT32FT (EL) 0.1453
RFQ
ECAD 9326 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC74ACT الهاريه والال ليس لتلتومت الحديدي -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 14-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) - 74Act32 4 4.5v ~ 5.5v 14-TSSOP - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 أo -boabة 24MA ، 24MA 4 µA 2 7.9ns @ 5v ، 50pf 0.8 فOlt 2V
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095 ، LM (CT 0.0742
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.95 فOlt - 1 1.48V @ 150MA - على عاتق
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF09 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.9V - 1 1.48V @ 150MA - على عاتق
TA8428K(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage TA8428K (O ، S) -
RFQ
ECAD 7534 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى منلال أب ublamة tboyeb TA8428 ثnaئy alقطb 7V ~ 27V 7-HSIP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 25 سائق - مرل مويزي نظرية (2) 1.5A 7V ~ 27V - دي سي ميرّفة -
TCR2LN08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08 ، LF -
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN08 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.8 فOlt - 1 1.56V @ 150MA - على عاتق
TMPM370FYDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM370FYDFG 7.8320
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TX03 صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100-BQFP TMPM370 100-QFP (14x20) تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991A2 8542.31.0001 1 74 ARM® Cortex®-M3 32 بت واحد الينواك 80MHz i²c ، sio ، uart/usart DMA ، PWM ، WDT 256 كyelo -biaiT (256k × 8) فlaش - 10k × 8 4.5v ~ 5.5v A/D 22x12b SAR دالي
TC7WPB8306L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB8306L8X ، LF -
RFQ
ECAD 5007 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC7WP الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 8-UFLGA mفtaح alحaفlة TC7WPB8306 1.65V ~ 5V ، 2.3V ~ 5.5V MP8 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 - الهادون 2 × 1: 1 1
74VHC74FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC74ft 0.4800
RFQ
ECAD 311 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC74VHC الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 14-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) D-type 74VHC74 الآسميلي 2V ~ 5.5V 14-TSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 2 1 8MA ، 8MA يعين (ماسب) واتاكد 115 myiغaiheartز حaفة إyجaibeة 9.3ns @ 5v ، 50pf 2 µA 4 PF
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35 ، LF 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR4DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR4DG35 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 68 µA ليمغن إyجaby 420ma 3.5 - 1 0.26v @ 420ma 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة ، adazerة
TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG285 ، LF 0.3900
RFQ
ECAD 7141 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 300MA 2.85 - 1 0.235V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
74LCX02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74lcx02ft 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة أبل السفلي 14-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) - 74LCX02 4 1.65V ~ 3.6V 14-TSSOPB تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 264-74LCX02FTCT ear99 8542.39.0001 2500 و ب بوابة 24MA ، 24MA 40 µA 2 6ns @ 3.3v ، 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7v ~ 2v
TMP86FS49BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BUG (C ، JZ) -
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TLCS-870/C. صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64-LQFP TMP86 64-LQFP (10x10) تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.31.0001 10 56 870/ج 8 ب 16 مميا هيرتز i²c ، sio ، uart/usart LED ، PWM ، WDT 60 كyelo -bait (60k × 8) فlaش - 2K × 8 2.7v ~ 5.5v A/D 16x10b دالي
74HCT32D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT32D 0.5600
RFQ
ECAD 276 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. 74HCT الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 14-Voic (0.154 "، ، Zerض 3.90 ملم) - 74HCT32 4 4.5v ~ 5.5v 14 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 أo -boabة 4MA ، 4MA 1 µA 2 18ns @ 5.5v ، 50pf 0.8 فOlt 2V
TC7QPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7QPB9307FK (EL) 0.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC7QP الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 14-VFSOP (0.118 "، عبرة 3.00 ملم) mفtaح alحaفlة TC7QPB9307 1.65V ~ 5V ، 2.3V ~ 5.5V 14-VSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2500 - الهادون 4 × 1: 1 1
TA58M05S(AFT,LB180 Toshiba Semiconductor and Storage Ta58m05s (Aft ، LB180 -
RFQ
ECAD 7253 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58M05 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 80 مللي - إyجaby 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 981 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.3V - 1 0.18V @ 150MA - على عاتق
TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FYFG (C) 4.0755
RFQ
ECAD 4483 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TX03 صyniة نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) أبل السفلي 100 رحل TMPM333 100 LQFP (14x14) تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991A2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 32 بت واحد الينواك 40 مميا هيرتز i²c ، sio ، uart/usart بور ، WDT 256 كyelo -biaiT (256k × 8) فlaش - 16k × 8 2.7v ~ 3.6v A/D 12x10b خaarجy
TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09 ، LF -
RFQ
ECAD 3502 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN09 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.9V - 1 1.46V @ 150MA - على عاتق
TC4S71FT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage TC4S71FT5LFT -
RFQ
ECAD 3319 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TC4S الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 - TC4S71 1 3V ~ 18V SMV - 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 أo -boabة 3.4MA ، 3.4MA 1 µA 2 80ns @ 15v ، 50pf 1.5v ~ 4v 3.5v ~ 11v
TCR3DM33,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33 ، RF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 3.3V - 1 0.23V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون