SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل طارار Tكnoloجya الله الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم و العالي - الهاون / الهاين alجhed - العرف (VCC/VDD) وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف الملم (الملم) طobohloجya حmaiة الها Myiزat hltحكm العلم - العرف (العد) توتن الدة العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة الضحك الله - الها (ده) الهادي - الهارف نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP (T6ND ، AF -
RFQ
ECAD 4886 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA78DS 33 مبيركت LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1.2 م 1.2 م - إyجaby 30mA 8V - 1 0.3V @ 10MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة ، فoق alجhed ، alجhad
TCR3UG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG28A ، LF 0.4700
RFQ
ECAD 526 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3UG الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي 4-xfbga ، wlcsp TCR3UG28 5.5v مبيركت 4-WCSP-F (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 680 نا ليمغن إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.327V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S ، LS2TOKQ -
RFQ
ECAD 3958 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58L05 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 50 مللي - إyجaby 250MA 5V - 1 0.4V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LN28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.8 - 1 0.36V @ 150MA - على عاتق
TA78L006AP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP ، T6STF (م -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -30 دكر مويزي ~ 85 دكر مويه منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA78L006 35 مبيركت LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 6 م - إyجaby 150MA 6V - 1 1.7v @ 40ma (TYP) 47db (120 Zertز) على عاتق
TCR2LE09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE09 ، LM (CT 0.0742
RFQ
ECAD 5498 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SOT-553 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.9V - 1 1.48V @ 150MA - على عاتق
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786APG 1.8200
RFQ
ECAD 221 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب 18-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) - TBD62786 قlb قnaة P. 1: 1 18 د تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 20 2V ~ 50V ON/OFF 8 - العداد 1.6ohm 0V ~ 50V الافرض الصامى 400MA
TBD62384AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384AFWG ، el 1.6100
RFQ
ECAD 7881 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 18-SUIC (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) - TBD62384 قlb قnaة ن 1: 1 18 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) TBD62384AFWGELCT ear99 8542.39.0001 1000 4.5v ~ 5.5v ON/OFF 8 - العداد 1.5ohm 0V ~ 50V الافرض الصامى 400MA
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28 ، LF 0.0926
RFQ
ECAD 9748 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة TCR3DM28 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 65 µA 78 µA ليمغن إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.25V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TA58M05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58m05s ، s (أي -
RFQ
ECAD 3007 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58M05 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 80 مللي - إyجaby 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TCR4DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG30 ، LF 0.1357
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR4DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR4DG30 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 420ma 3V - 1 0.291V @ 420ma 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة ، adazerة
TCK22891G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22891G ، LF 0.5000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 6-UFBGA ، WLCSP تراهيت الحتميل TCK22891 عبد اليرفض قnaة P. 1: 1 6-WCSPE (0.80x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 غyer mطlob ON/OFF 1 alحad alحaily (ثabt) العداد 31mohm 1.4v ~ 5.5v الافرض الصامى 400MA
TBD62387AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tbd62387afng ، el 1.5200
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 20-LSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) - TBD62387 قlb قnaة ن 1: 1 20-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) TBD62387AFNGELCT ear99 8542.39.0001 2000 4.5v ~ 5.5v ON/OFF 8 - العداد 1.5ohm 0V ~ 50V الافرض الصامى 500MA
TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A ، L3F 0.4900
RFQ
ECAD 5309 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR5BM105 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 500MA 1.05V - 1 0.14V @ 500MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TA78L09F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L09F (TE12L ، F) -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -30 دكر مويزي ~ 85 دكر مويه أبل السفلي TO-243AA TA78L09 35 مبيركت PW-MINI (SOT-89) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1000 6 م 6.5 م - إyجaby 150MA 9V - 1 - 44db (120 Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB62755FPG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb62755fpg ، el -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) العلم أبل السفلي 6-ufdfn lloحة mكشoفة العاصمة العاصمة TB62755 1MHz 6-Son (1.8x2) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 20MA 1 نعامة STEP-UP (DفASة) 5.5v PWM 2.8 -
TCR2LN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25 ، LF -
RFQ
ECAD 5281 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN25 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.5 - 1 0.36V @ 150MA - على عاتق
TCR3DM10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1V - 1 0.75V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB62777FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG ، 8 ، el 0.6777
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) LED إضaءة أبل السفلي 16 سوب (0.181 " خطy TB62777 - 16-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 40mA 8 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 25
TCR2LF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF25 ، LM (CT 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF25 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.5 - 1 0.38V @ 150MA - على عاتق
TCR5AM055,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5am055 ، LF 0.1344
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5 صbaحًa الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR5am055 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 55 µA 68 µA ليمغن إyجaby 500MA 0.55 فOlt - 1 0.2V @ 500MA 70db ~ 40db (1 كyalo hertز ~ 10 هرتز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586BFG ، e ، جaف -
RFQ
ECAD 6909 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 24-SOP (0.236 "، ، ، 6.00 ملم) TB6586 ثnaئy cmos 6.5v ~ 16.5v 24-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 ود مويزي مسبح - نصف سسر (3) - - - DC BDON IRRش (BLDC) -
TC62D722CFNG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - أبل السفلي 24-TSSOP (0.173 "، ، بعد 4.40 ملم) وسحاد خطy TC62D722 - 24-HTSSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 90MA 16 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 17V
TB67S109AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFNG ، el 3.6800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 48-TFSOP (0.240 "، ، بعد 6.10 موم) لوك ماجو TB67S109 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 48-HTSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 3A 10V ~ 47V ثnaئy alقطb - 1 ~ 1/32
TB9044AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB904444AFNG ، el 11.2332
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة إmdadaT alطaقة أبل السفلي 48-TFSOP (0.240 "، ، بعد 6.10 موم) لوك ماجو TB9044 - 48-HTSSOP تومويل 3 (168 سعع) 264-TB904444AFNGELTR ear99 8542.39.0001 1000 2 6V
TA58M05S(LBS2PP,AQ Toshiba Semiconductor and Storage Ta58m05s (lbs2pp ، aq -
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58M05 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 80 مللي - إyجaby 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TB67B001BFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb67b001bftg ، el 1.5343
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي الافرض الصامى أبل السفلي 36-vfqfn lloحة mكشoفة NMOS ، PMOS 4V ~ 22V 36-VQFN (5x5) تومويل 2000 سائق - مرل PWM مسبح - نصف سسر (3) 3A 4V ~ 22V معدود DC BDON IRRش (BLDC) -
TCR2EN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.9v - 1 0.29V @ 300MA ، 0.3V @ 300MA - على عاتق
TCR2LE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE30 ، LM (CT 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويه (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE30 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 3V - 1 0.3V @ 150MA - على عاتق
TCR2EN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285 ، LF -
RFQ
ECAD 2057 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2EN285 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.85 - 1 0.21V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون