SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب رحمم الحتات طارار Tكnoloجya الله الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم و العالي - الهاون / الهاين وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف الملم (الملم) طobohloجya الرفرفد - التتبيل Myiزat hltحكm العلم - العرف (العد) توتن الدة موم متامين طrieقة الطعقار د العالي - الها الله - الله Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة الضحك الله - الها (ده) الهادي - الهارف alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) الهادي - الجدري (ددي) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TC78H620FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG ، el 1.6300
RFQ
ECAD 323 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 16-LSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) TC78H620 DMOS 2.7v ~ 5.5v 16-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 1A 2.5v ~ 15v أحadi alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2
TCR2DG14,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG14 ، LF 0.1394
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-UFBGA ، WLCSP 5.5v مبيركت 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 3000 70 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.4 - 1 0.6v @ 100ma - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125 ، LM (CT 0.3500
RFQ
ECAD 159 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE125 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.25 - 1 0.57V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR2EF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF27 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF27 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.7 - 1 0.23V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F (TE16L1 ، NQ -
RFQ
ECAD 2343 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TA58M10 29V مبيركت PW-Mold - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1.2 م 80 مللي - إyجaby 500MA 10 فolt - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF17 ، LM (CT 0.0906
RFQ
ECAD 8478 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3DF17 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 ليمغن إyجaby 300MA 1.7 - 1 0.47V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ityar inrush
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A ، LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM285 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 2.85 - 1 0.15V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR3UM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM33A ، LF (SE 0.4700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 680 نا alحd إyجaby 300MA 3.3V - 1 0.273V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG10 ، LF 0.2531
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR15AG الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 6-xfbga ، wlcsp TCR15AG10 5.5v مبيركت 6-WCSPF (0.80x1.2) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 40 µA ليمغن إyجaby 1.5A 1V - 1 0.228v @ 1.5a 95dB (1 كyalo hertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125 ، LF 0.0896
RFQ
ECAD 6671 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EN الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2EN125 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.25 - 1 0.55V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31 ، LF -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN31 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.1V - 1 0.28V @ 150MA - على عاتق
TCR2LE21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE21 ، LM (CT 0.0742
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE21 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.1V - 1 0.56V @ 150MA - على عاتق
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A ، L3F 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 800MA 0.95 فOlt - 1 0.225V @ 800MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A ، L3F 0.4600
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR8BM الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR8BM105 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA ليمغن إyجaby 800MA 1.05V - 1 0.24V @ 800MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TCR2EF135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF135 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF135 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.35 - 1 - 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105 ، L3F 0.4100
RFQ
ECAD 333 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR5BM105 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA ليمغن إyجaby 500MA 1.05V - 1 0.14V @ 500MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EE29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE29 ، LM (CT 0.0680
RFQ
ECAD 6634 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE29 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.9V - 1 0.23V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33 ، LF 0.3600
RFQ
ECAD 3246 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة TCR3DM33 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 65 µA 78 µA ليمغن إyجaby 300MA 3.3V - 1 0.23V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG ، 8 ، EL 1.8458
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال ليس لتلتومت الحديدي -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 28 BSOP (0.346 "، ، بعد 8.80 موم) + 2 ulamaT tboyeb TB62213 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 2.4A 10V ~ 38V ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L3.3 ، F) -
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي (TJ) أبل السفلي 8-SMD TB7101 5.5v مبيركت PS-8 (2.9x2.4) - 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 خطOB 1 با 1MHz إyجaby نعامة 1A 3.3V - 4.3v
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105 ، LF 0.1357
RFQ
ECAD 9636 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR4DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR4DG105 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 420ma 1.05V - 1 0.991V @ 420MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19 ، LM (CT 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF19 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.9v - 1 0.31V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A ، RF 0.3700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3LM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 2.2 µA alحd إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.445V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33UTE85LF 0.5000
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) TAR5S33 15V مبيركت UFV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 850 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.3V - 1 0.2v @ 50ma 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A ، LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM09 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 0.9V - 1 - - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage tcke800na ، rf 1.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 10-wfdfn lloحة mكشoفة TCKE800 4.4v ~ 18v 10-Wsonb (3x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 chalصmamaT alإlكtroniة - - 5A
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (T6PSTEMF -
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA76431 - قablllltudyl LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) Ta76431st6psetemf ear99 8542.39.0001 1 - إyجaby - 2.495V 36V 1 - - -
TA78L005AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP ، 6FNCF (أي -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -30 دكر مويزي ~ 85 دكر مويه منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA78L005 35 مبيركت LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 6 م - إyجaby 150MA 5V - 1 1.7v @ 40ma (TYP) 49db (120 Zertز) -
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG ، C ، EL ، B. -
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - أبل السفلي 24-SOP (0.236 "، ، ، 6.00 ملم) خطy TC62D748 - 24-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 90MA 16 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 17V
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S ، L2SUMIQ (م -
RFQ
ECAD 5073 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58L05 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 50 مللي - إyجaby 250MA 5V - 1 0.4V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون