SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) ممي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل طارار Tكnoloجya العالي - الها الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد كذAABLة للبرم الافراك نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم و العالي - الهاون / الهاين alجhed - العرف (VCC/VDD) وا عود إudة ضbط العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف نو عداد الملم (الملم) طobohloجya حmaiة الها Myiزat hltحكm العلم - العرف (العد) توتن الدة العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Tكoyn amdفoub عداد السابين نو العنب الهادي chnطقy - vil ، vih ityar - إخraج alذerroة (الممر و whithtفab / chlخraveف (typ) Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة الضحك الله - الها (ده) الهادي - الهارف نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) عود الالهيلتي الهادي - عداد alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5am am18a ، lf 0.1357
RFQ
ECAD 2718 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5 صbaحًa الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR5am18 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 55 µA ليمغن إyجaby 500MA 1.8 - 1 0.43V @ 500MA 90dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة
TBD62781APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781APG 1.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب 18-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) - TBD62781 عبد اليرفض قnaة P. 1: 1 18 د تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 800 غyer mطlob ON/OFF 8 - العداد 1.6ohm 50 فولت (العد) الافرض الصامى 400MA
TCK423G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK423G ، L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-xfbga ، wlcsp TCK423 عبد اليرفض يا يتام الها من منها 2.7v ~ 28v 6-WCSPG (0.8x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 عجب أuplى الهاونب 1 N-channel mosfet 0.4 ف Wolt ، 1.2 فolt - -
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A ، LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM12 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 1.2v - 1 - - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB62777FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6277777FNG ، el -
RFQ
ECAD 7013 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - أبل السفلي 16-LSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) خطy TB62777 - 16-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 40mA 8 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 25
TCR3DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG25 ، LF 0.3900
RFQ
ECAD 5877 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 300MA 2.5 - 1 0.275V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF085 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF085 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.85V - 1 1.58V @ 150MA - على عاتق
TA78L024AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L024AP ، و (أي -
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -30 دكر مويزي ~ 85 دكر مويه منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA78L024 40 مبيركت LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 6.5 م - إyجaby 150MA 24 فolt - 1 1.7v @ 40ma (TYP) 35dB (120 Zertز) على عاتق
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE ، LF (CT 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCTH0XXXE الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي حريري لا - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 4000 - 1 0.5 فOlt
TCR3UF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18B ، LM (CT 0.4100
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3UF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR3UF18 5.5v مبيركت SMV - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 680 نا ليمغن إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.464V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051ftg ، el 8.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) المسار أبل السفلي 28-Powerqfn TB9051 ثnaئy cmos 4.5v ~ 5.5v 28-QFN (6x6) تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 3000 سائق - مرل PWM نظرية (2) 6A - - دي سي ميرّفة -
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A ، LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM28 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.15V @ 300MA 100dB ~ 68db (1 كylo hertز ~ 1mhz) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.2v - 1 0.55V @ 150MA - على عاتق
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM08A ، LF (SE 0.4700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 580 نا alحd إyجaby 300MA 0.8 فOlt - 1 1.257V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR3RM12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A ، LF 0.4600
RFQ
ECAD 164 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM12 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 - إyجaby 300MA 1.2v - 1 0.13V @ 300MA 100 دايبيل (1 كyalo arhrtز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TC62D776CFNAG,CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG ، CEBH -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي LED إضaءة أبل السفلي 24-SSOP (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) خطy - 24-SSOP تومويل 1 90MA 1 لا ساتل الإلهال 5.5v لا 3V 17V
TCR2LF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF36 ، LM (CT 0.3900
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF36 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.6V - 1 0.3V @ 150MA - على عاتق
TA58M12F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12F (TE16L1 ، NQ -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TA58M12 29V مبيركت PW-Mold - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1.2 م 80 مللي - إyجaby 500MA 12 فولت - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TC62D749CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG ، C ، eB -
RFQ
ECAD 4382 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * الهاريه والال نوز TC62D749 - Rohs mtoaفق TC62D749CFNAGCEB ear99 8542.39.0001 2000
TB62802AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62802AFG ، 8 ، el 2.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 60 Derجة Mmئoyة بيرنام تتزيل CCD أبل السفلي 16 BSOP (0.252 "، ، بعد 6.40 ملم) + 2 ulamaT tboyeb TB62802 - 4.7v ~ 5.5v 16-هوسوب تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1500
TCR2DG34,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG34 ، LF 0.1394
RFQ
ECAD 5469 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-UFBGA ، WLCSP 5.5v مبيركت 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 3000 70 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.4 - 1 0.11V @ 100MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB6560AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ ، 8 7.2800
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -30 درج مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى منلال أب 25-ssip tشكlt خyoط TB6560 السلم موسفيت 4.5v ~ 5.5v 25 هرتز تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 14 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 3A 4.5v ~ 34v ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4 ، 1/8 ، 1/16
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105 ، LM (CT 0.3900
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE105 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.05V - 1 1.4v @ 150ma - على عاتق
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG ، 8 ، EL 3.5800
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 30 BSOP (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) TB6561 ثnaئy cmos 10V ~ 36V 30-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل PWM نظرية (4) 1.5A 10V ~ 36V - دي سي ميرّفة -
TAR5S50UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50UTE85LF 0.5400
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) TAR5S50 15V مبيركت UFV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 850 µA ليمغن إyجaby 200MA 5V - 1 0.2v @ 50ma 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TC62D748CFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG (O ، EL) -
RFQ
ECAD 3869 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 24-SOP (0.236 "، ، ، 6.00 ملم) خطy TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFG (OEL) TR 1 90MA 16 لا ساتل الإلهال 5.5v لا 3V 17V
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A ، LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3RM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR3RM18 5.5v مبيركت 4-DFNC (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 12 µA alحd إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.22V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
KIA78L05BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L05BP -
RFQ
ECAD 3403 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * حجm -pier نوز KIA78 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1
TCR2EF31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF31 ، LM -
RFQ
ECAD 9546 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EF الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2EF31 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.1V - 1 0.2v @ 150ma 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TB62213AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFNG ، C8 ، EL 1.8025
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 48-TFSOP (0.240 "، ، بعد 6.10 موم) لوك ماجو TB62213 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 48-HTSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 2.4A 10V ~ 38V ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون