SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مساهات رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya العالي - الها الله الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد مامل درض الهارفرة نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) ECCN Htsus العلم و آلفرض alجhed - العرف (VCC/VDD) وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف طobohloجya الرفرفد - التتبيل حmaiة الها Myiزat hltحكm توتن الدة موم متامين العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة و العالي - بد نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alضoضaء - 0.1 Zertز إlى 10 hertز alضoضaء - 10 هرتز إlى 10 كyelo hrtز alجhed - charraج (كحd أقصى) الهادي - الجدري (ددي) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102F (TE85L ، F) -
RFQ
ECAD 7840 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي (TJ) أبل السفلي 8-SMD TB7102 5.5v قablllltudyl PS-8 (2.9x2.4) - 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 خطOB 1 با 1MHz إyجaby نعامة 1A 0.8 فOlt 4.5 2.7
TB67S149FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FG ، el 3.6800
RFQ
ECAD 970 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 28-SOP (0.295 "، بعد 7.50 ملم) TB67S149 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 28-HSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (2) 3A 10V ~ 40V أحadi alقطb - 1 ~ 1/32
TCR2EN29,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.9V - 1 0.21V @ 150MA - على عاتق
TC78S122FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FNG ، el 1.9467
RFQ
ECAD 2498 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 48-TFSOP (0.240 "، ، بعد 6.10 موم) لوك ماجو TC78S122 السلم موسفيت 4.5v ~ 5.5v 48-HTSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (8) 2A 8V ~ 38V ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2 ، 1/4
TA78DS05BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP (T6ND ، AF -
RFQ
ECAD 1742 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA78DS 33 مبيركت LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 1 م - إyجaby 30mA 5V - 1 0.3V @ 10MA - ublى altiar ، فoق derجة chlحrarة ، فoق alجhed ، alجhad
TA76431AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS ، T6F (أي -
RFQ
ECAD 9634 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله - -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA76431 - - - - LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB6617FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6617FNG (O ، EL) -
RFQ
ECAD 7426 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 16-LSSOP (0.173 "، عبرة 4.40 ملم) TB6617 السلم موسفيت 2.7v ~ 5.5v 16-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل مويزي نظرية (2) 1A 4.5v ~ 45v - دي سي ميرّفة -
TA48S015AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S015AF (T6L1 ، S) 1.1100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي to-252-6 ، DPAK (5 خyoط + ebalmة tboyeb) TA48S015 16V مبيركت 5-HSIP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 1.7 م 20 م ليمغن إyجaby 1A 1.5 - 1 1.9V @ 1A (TYP) 67db (120 Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR5BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12 ، L3F 0.1357
RFQ
ECAD 1343 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR5BM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xdfn lloحة mكشoفة TCR5BM12 5.5v مبيركت 5-DFNB (1.2x1.2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 36 µA alحd إyجaby 500MA 1.2v - 1 0.15V @ 500MA 98db (1 كyalo hertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.1V - 1 0.18V @ 150MA - على عاتق
TCR2EE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE13 ، LM (CT -
RFQ
ECAD 4375 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE13 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.3V - 1 - 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF28 ، LM (CT 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LF الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 TCR2LF28 5.5v مبيركت SMV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.8 - 1 0.38V @ 150MA - على عاتق
TCR2LN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10 ، LF 0.3600
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN10 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 1V - 1 1.38V @ 150MA - على عاتق
TB6643KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6643KQ ، 8 4.5000
RFQ
ECAD 171 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) الافرض الصامى منلال أب ublamة tboyeb TB6643 ثnaئy cmos 10v ~ 45v 7-HSIP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 25 سائق - مرل مويزي نظرية (2) 1.5A 10v ~ 45v - دي سي ميرّفة -
TB67B000AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AFG ، el 7.3500
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -30 دكر مويزي ~ 115 دكر مويه الافرض الصامى أبل السفلي 42-SOP (0.330 "، ، بعد 8.40 ملم) ، 34 خyoط TB67B000 IGBT 13.5V ~ 16.5V 34-HSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل PWM نظرية (3) 2A 50V ~ 450V معدود DC BDON IRRش (BLDC) -
TB67B000AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AHG 7.3500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -30 دكر مويزي ~ 115 دكر مويه الافرض الصامى منلال أب 30-Powerdip Woudedة TB67B000 IGBT 13.5V ~ 16.5V 30-HDIP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 15 سائق - مرل PWM نظرية (3) 2A 50V ~ 450V معدود DC BDON IRRش (BLDC) -
TCR3DM32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM32 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 3.2v - 1 0.23V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604ftg ، 8 ، el -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله - - أبل السفلي - TB6604 - - 48-QFN تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 ود - مسبح - نصف سسر (3) - 30V - DC BDON IRRش (BLDC) -
TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE08 ، LM (CT 0.0742
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE08 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.8 فOlt - 1 1.58V @ 150MA - على عاتق
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG ، el 1.3100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 18-SUIC (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) - TBD62183 قlb قnaة ن 1: 1 18 تومويل Rohs3 mtoaفق لا ear99 8542.39.0001 1000 2.8v ~ 25v - 8 - العداد - 50 فولت (العد) الافرض الصامى 50MA
TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S112PG ، HJ 2.4300
RFQ
ECAD 211 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) الافرض الصامى منلال أب 16-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) TB67S112 السلم موسفيت 2V ~ 5.5V 16 د تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 25 سائق - مرل مويزي نظرية 1.5A 4.5v ~ 47v أحadi alقطb - -
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A ، LF (SE 0.4700
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 680 نا alحd إyجaby 300MA 1.75 - 1 0.573V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TC78B006FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FTG ، el 1.3600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 16-wfqfn lloحة mكشoفة TC78B006 السلم موسفيت 3.5v ~ 16v 16-WQFN (3x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 ود PWM مسبح - نصف سسر (2) - - - DC BDON IRRش (BLDC) -
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG ، el -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 16 سوب (0.181 " TB6818 8.4v ~ 26v 16-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 20khz ~ 150khz الفتويل الها (CCM) 30 µA
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U (TE85L ، F) 0.6000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) TAR5S16 15V مبيركت UFV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 850 µA ليمغن إyجaby 200MA 1.6v - 1 - 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2LN095,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 0.95 فOlt - 1 1.46V @ 150MA - على عاتق
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 2.5 - 1 0.29V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TB62218AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG ، 8 ، el -
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 48-vfqfn loحة mكشoفة TB62218 DMOS 4.75V ~ 5.25V 48-QFN (7x7) تومويل 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 2000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 2A 10V ~ 38V ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15 ، LF (SE 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 ليمغن إyجaby 300MA 1.5 - 1 0.45V @ 300MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40 ، LM (CT 0.3700
RFQ
ECAD 428 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE40 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 4V - 1 0.2v @ 150ma 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون