SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل الإثبايت نو عداد حزmة / حalة مثلتب مساهات رحمم الحتات نو عدادهل طارار Tكnoloجya الله الهادي - الجدري (كحd أقصى) نو عداد نسوب - الجدريت: العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) ECCN Htsus العلم و العالي - الهاون / الهاين alجhed - العرف (VCC/VDD) وا عود العالي - الله (ذكاء) العالي - العرف الملم (الملم) طobohloجya حmaiة الها Myiزat hltحكm alجhed - العرف (العد) توتن الدة طrieقة الطعقار د العالي - الها rds ulى (typ) الله - العلم Nou chomحerك - السفار Noau tlmحerك - AC ، DC قرار الهاوة الضحك الله - الها (ده) الهادي - الهارف نو عجبل العالي - الها (كحd أقصى) alجhed - alإخraج (د adقeقة/ثAbtة) alجhed - charraج (كحd أقصى) عود الممنى تسرب العرف (العد) PSRR myiزaT chymaiة
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S ، ASHIQ (أي -
RFQ
ECAD 2048 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58L12 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1.2 م 50 مللي - إyجaby 250MA 12 فولت - 1 0.4V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR2EN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN27 ، LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.7 - 1 0.21V @ 150MA - على عاتق
TBD62503AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFG ، el 1.4900
RFQ
ECAD 1663 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) - TBD62503 قlb قnaة ن 1: 1 16 سود تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 غyer mطlob ON/OFF 7 - العداد - 50 فولت (العد) الافرض الصامى 300MA
TCK107G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107G ، LF -
RFQ
ECAD 1336 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 4-UFBGA tفraveغ altحmile TCK107 عبد اليرفض قnaة P. 1: 1 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 غyer mطlob ON/OFF 1 - العداد 49mohm 1.1V ~ 5.5V الافرض الصامى 1A
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31 ، LM 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LE الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي SOT-553 TCR2LE31 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.1V - 1 0.3V @ 150MA - على عاتق
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG ، 8 ، el 1.0604
RFQ
ECAD 8985 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال ليس لتلتومت الحديدي -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 28 BSOP (0.346 "، ، بعد 8.80 موم) + 2 ulamaT tboyeb TB62218 DMOS 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP تومويل Rohs mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 1000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 2A 10V ~ 38V ثnaئy alقطb - 1 ، 1/2 ، 1/4
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb62757fug ، el -
RFQ
ECAD 3444 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) العلم أبل السفلي SOT-23-6 العاصمة العاصمة TB62757 1.1MHz SOT-23-6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 20MA 1 نعامة STEP-UP (DفASة) 5.5v PWM 2.8 -
TA76431S(6FJTN3,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (6FJTN3 ، FM -
RFQ
ECAD 9855 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA76431 - قablllltudyl LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 - إyجaby - 2.495V 36V 1 - - -
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG ، el 2.8700
RFQ
ECAD 3656 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 36-wfqfn lloحة mكشoفة TB67S521 DMOS 2V ~ 5.5V 36-WQFN (6x6) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 4000 سائق - مرل PWM نظرية (2) 2.8A 10v ~ 34v ثnaئy alقطb دي سي ميرّفة 1 ، 1/2 ، 1/4
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A ، LF 0.4500
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3um الهاريه والال عى الله -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة TCR3UM28 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 680 نا alحd إyجaby 300MA 2.8 - 1 0.327V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCKE805NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL ، RF 1.5200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 10-wfdfn lloحة mكشoفة TCKE805 4.4v ~ 18v 10-Wsonb (3x3) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 chalصmamaT alإlكtroniة - - 5A
TA58L09S,LS2PAIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58l09s ، ls2paiq (أي -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58L09 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1 م 50 مللي - إyجaby 250MA 9V - 1 0.4V @ 200MA - ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP (6toj ، AF -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -30 دكر مويزي ~ 85 دكر مويه منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 TA78L012 35 مبيركت LSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 6.5 م - إyجaby 150MA 12 فولت - 1 1.7v @ 40ma (TYP) 41db (120 Zertز) على عاتق
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG ، C ، eB -
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - أبل السفلي 24-SSOP (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) خطy TC62D748 - 24-SSOP تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 90MA 16 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 17V
TBD62781AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781AFWG ، el 1.5600
RFQ
ECAD 468 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 18-SUIC (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) - TBD62781 عبد اليرفض قnaة P. 1: 1 18 تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 1000 غyer mطlob ON/OFF 8 - العداد 1.6ohm 50 فولت (العد) الافرض الصامى 400MA
TA58M12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58m12S ، S (أي -
RFQ
ECAD 7335 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TA58M12 29V مبيركت TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 1 1.2 م 80 مللي - إyجaby 500MA 12 فولت - 1 0.65V @ 500MA - ublى altiar ، أكثr mn jn derجة alحrarة ، عض
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL ، RF 1.6700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 10-wfdfn lloحة mكشoفة TCKE712 4.4v ~ 13.2v 10-Wsonb (3x3) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 chalصmamaT alإlكtroniة - - -
TB67S269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S269FTG ، el 2.8900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -20 درج مويزي ~ 150 دكر مسي (TJ) الافرض الصامى أبل السفلي 48-wfqfn loحة mكشoفة TB67S269 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.39.0001 4000 سائق - مرل مويزي نظرية (4) 2A 10V ~ 47V ثnaئy alقطb - 1 ~ 1/32
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285 ، LM (CT 0.0680
RFQ
ECAD 1344 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2EE الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي SOT-553 TCR2EE285 5.5v مبيركت ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 4000 60 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.85 - 1 0.23V @ 150MA 73db (1 كyalo Zertز) على عاتق
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
RFQ
ECAD 3968 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - صyniة نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) الافرض الصامى منلال أب 25-sip tشكlt خyoط TB67S149 السلم موسفيت 4.75V ~ 5.25V 25 هرتز تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 17 سائق - مرل مويزي نظرية (2) 3A 10V ~ 40V أحadi alقطb - 1 ~ 1/32
TC78B015AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015AFTG ، el 3.6300
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 36-vfqfn lloحة mكشoفة TC78B015 CMOS 6V ~ 30V 36-VQFN (5x5) تومويل Rohs3 mtoaفق ear99 8542.39.0001 5000 ساس PWM ، الملمس نظرية (3) 3A 36V معدود DC BDON IRRش (BLDC) -
TCR2LN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33 ، LF 0.3500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2LN الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TJ) أبل السفلي 4-xfdfn lloحة mكشoفة TCR2LN33 5.5v مبيركت 4-SDFN (0.8x0.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 2 µA ليمغن إyجaby 200MA 3.3V - 1 0.28V @ 150MA - على عاتق
TB6575FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6575fng ، c ، 8 ، el 2.9800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -30 درج مويوي ~ 105 دري ماجي (تا) الافرض الصامى أبل السفلي 24-LSSOP (0.220 "، عبرة 5.60 ملم) TB6575 CMOS 4.5v ~ 5.5v 24-SSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8542.31.0001 2000 ود مويزي مسبح - نصف سسر (3) - - - DC BDON IRRش (BLDC) -
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
RFQ
ECAD 8097 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) TAR5S28 15V مبيركت UFV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 850 µA ليمغن إyجaby 200MA 2.8 - 1 0.2v @ 50ma 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG ، el -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) - أبل السفلي 24-SOP (0.236 "، ، ، 6.00 ملم) خطy TC62D722 - 24-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 2000 90MA 16 نعامة ساتل الإلهال 5.5v - 3V 17V
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G ، LF 1.5000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Ufbga ، CSPBGA مثلت TCK323 - قnaة ن 2: 1 16 WCSPC (1.9x1.9) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 غyer mطlob ON/OFF 1 فoق دكر الهارفرة العداد 98mohm 2.3v ~ 36v الافرض الصامى 2A
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG ، el -
RFQ
ECAD 4510 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) العلم أبل السفلي SOT-23-6 العاصمة العاصمة TB62752 1.1MHz SOT-23-6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 20MA 1 نعامة STEP-UP (DفASة) 5.5v PWM 2.8 -
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12 ، LF 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR2DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-UFBGA ، WLCSP TCR2DG12 5.5v مبيركت 4-WCSP (0.79x0.79) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 3000 70 µA - إyجaby 200MA 1.2v - 1 0.8v @ 100ma 85db ~ 50db (1 كilo hertز ~ 100 كilet ityar inrush
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 ، LF 0.3700
RFQ
ECAD 9501 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR3DM الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-udfn lloحة mكشoفة TCR3DM18 5.5v مبيركت 4-DFN (1x1) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 10000 65 µA 78 µA ليمغن إyجaby 300MA 1.8 - 1 0.38V @ 300MA 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة
TCR4DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG33 ، LF 0.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. TCR4DG الهاريه والال نوز -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 4-xfbga ، cspbga TCR4DG33 5.5v مبيركت 4-WCSPE (0.65x0.65) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8542.39.0001 5000 ليمغن إyجaby 420ma 3.3V - 1 0.263v @ 420ma 70dB (1 كyalo Zertز) ublى altiar ، أكثr mn derجة chlحrarة ، adazerة
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون