Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | العلم - العرف | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | حalة rohs | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة | كذAABLة للبرم |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DS28E02Q-W01+2T | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | ANALOG DEVICES Inc./MAXIM Integrated | - | الهاريه والال | عى الله | -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) | أبل السفلي | 6-wdfn lloحة mكشoفة | DS28E02 | eeprom | 1.75V ~ 3.65V | 6-TDFN (3x3) | - | Rohs3 mtoaفق | 175-DD28E02Q-W01+2TTR | عى الله | 1000 | غyer mtقlbة | 1kbit | 2 µs | eeprom | 256 × 4 | 1-wire® | 25ms | ||||||
![]() | MT29F64G08CBCBBH1-10: B TR | - | ![]() | 1687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100-VBGA | MT29F64G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 64 جyجa بت | فlaش | 8g × 8 | مويزي | - | ||||
![]() | 48L256-I/SN | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | Tقniة alrقaئق الهادي | - | أnabob | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) | 48L256 | eeprom ، sram | 2.7v ~ 3.6v | 8 جda | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 150-48L256-I/SN | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256kbit | eeram | 32k × 8 | spi | - | ||||
![]() | M29W400FT55N3E | - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) | M29W400 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 48-TSOP i | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | غyer mtقlbة | 4mbit | 55 NS | فlaش | 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 | مويزي | 55ns | ||||
![]() | PC28F128P33TF60A | 5.4000 | ![]() | 8317 | 0.00000000 | تحالف ذاكرة ، Inc. | Strataflash ™ | صyniة | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) | أبل السفلي | 64 TBGA | فlaش - alla (MLC) | 2.3v ~ 3.6v | 64-adybga (10x13) | - | 3 (168 سعع) | 1450-PC28F128P33TF60A | 300 | 52 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 128mbit | 60 ns | فlaش | 8m × 16 | CFI | - | |||||||
![]() | MTFC32GAPALGT-AAIT | - | ![]() | 3412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | مرر | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | MTFC32G | فlaش - nand | - | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MTFC32GAPALGT-AAIT | 8542.32.0071 | 1520 | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | CY7C037V-20AXC | - | ![]() | 1998 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | صyniة | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 100 رحل | CY7C037 | Sram - Mnفذ Mamزdoج | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | ماضلب | 57 6 | 20 ns | Sram | 32k × 18 | مويزي | 20ns | ||||
MX25LW51245GXDI00 | 7.4700 | ![]() | 7426 | 0.00000000 | Macronix | Octabus ™ | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 24 TBGA ، CSPBGA | فlaش - alla | 2.7v ~ 3.6v | 24-CSPBGA (6x8) | - | 3 (168 سعع) | 1092-MX25LW51245GXDI00 | 480 | 133 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 512 ماميبوت | 5.2 ns | فlaش | 64m × 8 ، 512 م × 1 | SPI - Octal i/o ، dtr | 750µs | ||||||||
![]() | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | ![]() | 3933 | 0.00000000 | ISSI ، حل السيليكون مدفوع | - | صyniة | نوز | -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) | أبل السفلي | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 Myiغaiheartز | ماضلب | 64 Myiجabt | 5.4 ns | دريم | 2M × 32 | مويزي | - | |||
![]() | CY7C1021B-15ZXIT | - | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | الهاريه والال | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) | CY7C1021 | Sram - غyer mtزamn | 4.5v ~ 5.5v | 44-TSOP II | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | ماضلب | 1Mbit | 15 نانو | Sram | 64k × 16 | مويزي | 15ns | ||||
![]() | 7016S12J8 | - | ![]() | 9691 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 68 LCC (J-Lead) | 7016S12 | Sram - Mnفذ Mamزdoج | 4.5v ~ 5.5v | 68-PLCC (24.21x24.21) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | ماضلب | 144kbit | 12 ns | Sram | 16k × 9 | مويزي | 12ns | ||||
![]() | CY62137FV30LL-45ZSXIT | 5.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | حجm -pier | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) | Cy62137 | Sram - غyer mtزamn | 2.2v ~ 3.6v | 44-TSOP II | تومويل | 54 | ماضلب | 2Mbit | 45 ns | Sram | 128k × 16 | مويزي | 45ns | يا يتام الها من منها | ||||||||
![]() | R1RW0404DGE-2PR#B0 | - | ![]() | 9763 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | حجm -pier | نوز | - | لا | 3 (168 سعع) | العداد غyer ميدد | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT25TU256HBA8ESF-6SIT TR | - | ![]() | 1938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | ||||||||||||||||||
MT53E128M32D2FW-046 AUT: A TR | 8.7450 | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: ATR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 4gbit | 3.5 ns | دريم | 128 م × 32 | مويزي | 18ns | |||||||||
X28HC256JIZ-15 | 39.4287 | ![]() | 1360 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | أnabob | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 32 LCC (J-Lead) | X28HC256 | eeprom | 4.5v ~ 5.5v | 32-PLCC (11.43x13.97) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0051 | 30 | غyer mtقlbة | 256kbit | 150 ns | eeprom | 32k × 8 | مويزي | 5 مللي | |||||
GS81302T18GE-350I | 220.9200 | ![]() | 4549 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 100 دري مويوي (TJ) | أبل السفلي | 165 رحل | GS81302T18 | Sram - Mnفذ Rebaui ، mtزaamn ، DDR II | 1.7v ~ 1.9v | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 2364-GS81302T18GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350 myiغaiheartز | ماضلب | 144mbit | Sram | 8m × 18 | مويزي | - | ||||
![]() | 7140SA45FB | - | ![]() | 4284 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | حجm -pier | عى الله | - | الإلهال | 800-7140SA45FB | عى الله | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53D1G32D4NQ-062 WT ES: D. | - | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | حجm -pier | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | - | 1 (غyer mحdod) | عى الله | 0000.00.0000 | 1،360 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | - | - | |||||||||
![]() | FM25VN05-G | 7.8000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | رامترين | * | حجm -pier | نوز | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 1 (غyer mحdod) | العداد غyer ميدد | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S70KL1282DPBHA020 | 8.2250 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KL | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 24-VBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2.7v ~ 3.6v | 24-FBGA (6x8) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3،380 | 166 Myiغaiheartز | ماضلب | 128mbit | 36 ns | psram | 16M × 8 | Hyperbus | 36ns | |||||
![]() | AS4C128M32MD2A-25BINTR | 10.5000 | ![]() | 4104 | 0.00000000 | تحالف ذاكرة ، Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) | أبل السفلي | 134-VFBGA | AS4C128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 400 myiغaiheartز | ماضلب | 4gbit | دريم | 128 م × 32 | مويزي | 15ns | ||||
![]() | SM662GXD BFST | 44.9200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | حركة السيليكون ، Inc. | FERRI-EMMC® | صyniة | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 100 رحل | SM662 | فلاش - NAND (SLC) ، فlaش - NAND (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | غyer mtقlbة | 1Tbit | فlaش | 128g × 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | EM6GD08EWAHH-10IH | 3.5028 | ![]() | 5807 | 0.00000000 | Tron Technology ، Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 78-VFBGA | EM6GD08 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (7.5x10.5) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 Myiغaiheartز | ماضلب | 2gbit | 20 ns | دريم | 256m × 8 | مويزي | 15ns | ||
![]() | IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 4.8440 | ![]() | 7449 | 0.00000000 | ISSI ، حل السيليكون مدفوع | - | صyniة | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 24 TBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2.7v ~ 3.6v | 24-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 myiغaiheartز | ماضلب | 256 Myiجabt | 40 ns | psram | 32M × 8 | مويزي | 40ns | ||||||
![]() | N0H88AA-C | 195.0000 | ![]() | 9000 | 0.00000000 | الهاولب | * | حزmة albiub بالت | نوز | - | Rohs mtoaفق | 4932-N0H88AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V9359L7PFI | - | ![]() | 3786 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 100 رحل | 70V9359 | SRAM - MNفذ MEDOج ، MATزAKMN | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | ماضلب | 144kbit | 7.5 ns | Sram | 8k × 18 | مويزي | - | ||||
![]() | IS62WV5128EBLL-45QLI-TR | 4.0037 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | ISSI ، حل السيليكون مدفوع | - | الهاريه والال | نوز | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 32-Voice (0.445 "، ، ، 11.30 ملم) | IS62WV5128 | Sram - غyer mtزamn | 2.2v ~ 3.6v | 32 سود | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | ماضلب | 4mbit | 45 ns | Sram | 512K × 8 | مويزي | 45ns | ||||
![]() | CY7C2170KV18-550BZXC | - | ![]() | 9708 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | صyniة | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 165 رحل | CY7C2170 | SRAM - MTزAMN ، DDR II+ | 1.7v ~ 1.9v | 165-FBGA (13x15) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 550 myiغaiheartز | ماضلب | 18 Myiجabt | Sram | 512K × 36 | مويزي | - | ||||
24vl014h/p | 0.6150 | ![]() | 2282 | 0.00000000 | Tقniة alrقaئق الهادي | - | أnabob | نوز | -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) | منلال أب | 8-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) | 24VL014 | eeprom | 1.5v ~ 3.6v | 8-PDIP | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 1 (غyer mحdod) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 كylot Zertز | غyer mtقlbة | 1kbit | 900 ns | eeprom | 128 × 8 | i²c | 5 مللي |
متوسط حجم RFQ اليومي
وحدة المنتج القياسية
المصنعين في جميع أنحاء العالم
مستودع في المخزون