SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة كذAABLة للبرم
DS28E02Q-W01+2T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E02Q-W01+2T -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 ANALOG DEVICES Inc./MAXIM Integrated - الهاريه والال عى الله -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) أبل السفلي 6-wdfn lloحة mكشoفة DS28E02 eeprom 1.75V ~ 3.65V 6-TDFN (3x3) - Rohs3 mtoaفق 175-DD28E02Q-W01+2TTR عى الله 1000 غyer mtقlbة 1kbit 2 µs eeprom 256 × 4 1-wire® 25ms
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10: B TR -
RFQ
ECAD 1687 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100-VBGA MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 100-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
48L256-I/SN Microchip Technology 48L256-I/SN -
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) 48L256 eeprom ، sram 2.7v ~ 3.6v 8 جda تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 150-48L256-I/SN ear99 8542.32.0051 100 66 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256kbit eeram 32k × 8 spi -
M29W400FT55N3E Micron Technology Inc. M29W400FT55N3E -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) M29W400 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 96 غyer mtقlbة 4mbit 55 NS فlaش 512k × 8 ، 256 كyalo × 16 مويزي 55ns
PC28F128P33TF60A Alliance Memory, Inc. PC28F128P33TF60A 5.4000
RFQ
ECAD 8317 0.00000000 تحالف ذاكرة ، Inc. Strataflash ™ صyniة نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 64 TBGA فlaش - alla (MLC) 2.3v ~ 3.6v 64-adybga (10x13) - 3 (168 سعع) 1450-PC28F128P33TF60A 300 52 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit 60 ns فlaش 8m × 16 CFI -
MTFC32GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. MTFC32GAPALGT-AAIT -
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier مرر -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) MTFC32G فlaش - nand - - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MTFC32GAPALGT-AAIT 8542.32.0071 1520 غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 MMC -
CY7C037V-20AXC Infineon Technologies CY7C037V-20AXC -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 Infineon Technologies - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل CY7C037 Sram - Mnفذ Mamزdoج 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 90 ماضلب 57 6 20 ns Sram 32k × 18 مويزي 20ns
MX25LW51245GXDI00 Macronix MX25LW51245GXDI00 7.4700
RFQ
ECAD 7426 0.00000000 Macronix Octabus ™ صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA ، CSPBGA فlaش - alla 2.7v ~ 3.6v 24-CSPBGA (6x8) - 3 (168 سعع) 1092-MX25LW51245GXDI00 480 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت 5.2 ns فlaش 64m × 8 ، 512 م × 1 SPI - Octal i/o ، dtr 750µs
IS45S32200L-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7BLA2 6.3035
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0002 240 143 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.4 ns دريم 2M × 32 مويزي -
CY7C1021B-15ZXIT Infineon Technologies CY7C1021B-15ZXIT -
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 Infineon Technologies - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) CY7C1021 Sram - غyer mtزamn 4.5v ~ 5.5v 44-TSOP II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 500 ماضلب 1Mbit 15 نانو Sram 64k × 16 مويزي 15ns
7016S12J8 Renesas Electronics America Inc 7016S12J8 -
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 68 LCC (J-Lead) 7016S12 Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 68-PLCC (24.21x24.21) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 250 ماضلب 144kbit 12 ns Sram 16k × 9 مويزي 12ns
CY62137FV30LL-45ZSXIT Cypress Semiconductor Corp CY62137FV30LL-45ZSXIT 5.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL® حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) Cy62137 Sram - غyer mtزamn 2.2v ~ 3.6v 44-TSOP II تومويل 54 ماضلب 2Mbit 45 ns Sram 128k × 16 مويزي 45ns يا يتام الها من منها
R1RW0404DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America Inc R1RW0404DGE-2PR#B0 -
RFQ
ECAD 9763 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * حجm -pier نوز - لا 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 1
MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU256HBA8ESF-6SIT TR -
RFQ
ECAD 1938 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1000
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT: A TR 8.7450
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 200 TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: ATR 2000 2.133 جyجa hertز ماضلب 4gbit 3.5 ns دريم 128 م × 32 مويزي 18ns
X28HC256JIZ-15 Renesas Electronics America Inc X28HC256JIZ-15 39.4287
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32 LCC (J-Lead) X28HC256 eeprom 4.5v ~ 5.5v 32-PLCC (11.43x13.97) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0051 30 غyer mtقlbة 256kbit 150 ns eeprom 32k × 8 مويزي 5 مللي
GS81302T18GE-350I GSI Technology Inc. GS81302T18GE-350I 220.9200
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 GSI Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 100 دري مويوي (TJ) أبل السفلي 165 رحل GS81302T18 Sram - Mnفذ Rebaui ، mtزaamn ، DDR II 1.7v ~ 1.9v 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 2364-GS81302T18GE-350I 3A991B2B 8542.32.0041 10 350 myiغaiheartز ماضلب 144mbit Sram 8m × 18 مويزي -
7140SA45FB Renesas Electronics America Inc 7140SA45FB -
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - حجm -pier عى الله - الإلهال 800-7140SA45FB عى الله 1
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-062 WT ES: D. -
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) MT53D1G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1،360 1.6 جyجa hertز ماضلب 32Gbit دريم 1g × 32 - -
FM25VN05-G Ramtron FM25VN05-G 7.8000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 رامترين * حجm -pier نوز تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) العداد غyer ميدد ear99 8542.32.0071 1
S70KL1282DPBHA020 Infineon Technologies S70KL1282DPBHA020 8.2250
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram ™ KL صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24-VBGA PSRAM (Pseudo SRAM) 2.7v ~ 3.6v 24-FBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B2A 8542.32.0041 3،380 166 Myiغaiheartز ماضلب 128mbit 36 ns psram 16M × 8 Hyperbus 36ns
AS4C128M32MD2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2A-25BINTR 10.5000
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 تحالف ذاكرة ، Inc. - الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 134-VFBGA AS4C128 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0036 2000 400 myiغaiheartز ماضلب 4gbit دريم 128 م × 32 مويزي 15ns
SM662GXD BFST Silicon Motion, Inc. SM662GXD BFST 44.9200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 حركة السيليكون ، Inc. FERRI-EMMC® صyniة نوز -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة أبل السفلي 100 رحل SM662 فلاش - NAND (SLC) ، فlaش - NAND (TLC) - 100-BGA (14x18) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 980 غyer mtقlbة 1Tbit فlaش 128g × 8 EMMC -
EM6GD08EWAHH-10IH Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10IH 3.5028
RFQ
ECAD 5807 0.00000000 Tron Technology ، Inc. - الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) أبل السفلي 78-VFBGA EM6GD08 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (7.5x10.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR ear99 8542.32.0036 2500 933 Myiغaiheartز ماضلب 2gbit 20 ns دريم 256m × 8 مويزي 15ns
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 4.8440
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA PSRAM (Pseudo SRAM) 2.7v ~ 3.6v 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 480 100 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 40 ns psram 32M × 8 مويزي 40ns
N0H88AA-C ProLabs N0H88AA-C 195.0000
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-N0H88AA-C ear99 8473.30.5100 1
70V9359L7PFI Renesas Electronics America Inc 70V9359L7PFI -
RFQ
ECAD 3786 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 100 رحل 70V9359 SRAM - MNفذ MEDOج ، MATزAKMN 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 45 ماضلب 144kbit 7.5 ns Sram 8k × 18 مويزي -
IS62WV5128EBLL-45QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45QLI-TR 4.0037
RFQ
ECAD 2398 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32-Voice (0.445 "، ، ، 11.30 ملم) IS62WV5128 Sram - غyer mtزamn 2.2v ~ 3.6v 32 سود تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1000 ماضلب 4mbit 45 ns Sram 512K × 8 مويزي 45ns
CY7C2170KV18-550BZXC Infineon Technologies CY7C2170KV18-550BZXC -
RFQ
ECAD 9708 0.00000000 Infineon Technologies - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 رحل CY7C2170 SRAM - MTزAMN ، DDR II+ 1.7v ~ 1.9v 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 136 550 myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt Sram 512K × 36 مويزي -
24VL014H/P Microchip Technology 24vl014h/p 0.6150
RFQ
ECAD 2282 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - أnabob نوز -20 دكر مويزي ~ 85 دكر مسي (تا) منلال أب 8-DIP (0.300 "، 7.62 ملم) 24VL014 eeprom 1.5v ~ 3.6v 8-PDIP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 60 400 كylot Zertز غyer mtقlbة 1kbit 900 ns eeprom 128 × 8 i²c 5 مللي
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون