SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة كذAABLة للبرم
FT24C08A-UTR-B Fremont Micro Devices Ltd FT24C08A-UTR-B -
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - أnabob توفت -40 دكر مويزي ~ 85 دري مويزي أبل السفلي 8-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) FT24C08 eeprom 1.8v ~ 5.5v 8-TSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 100 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 8kbit 550 نانو انهاني eeprom 1K × 8 i²c 5 مللي
CY14V101NA-BA45XIT Infineon Technologies CY14V101NA-BA45XIT 24.2550
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 Infineon Technologies - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA CY14V101 NVSRAM (Sram غyer tlmtقlbة) 2.7v ~ 3.6v 48-FBGA (6x10) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 2000 غyer mtقlbة 1Mbit 45 ns nvsram 64k × 16 مويزي 45ns
NM25C160LZEM8 Fairchild Semiconductor NM25C160LZEM8 -
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 فeartشailed أشbahh chalmoصlaat - حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) NM25C160 eeprom 2.7v ~ 4.5v 8 جda تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد ear99 8542.32.0051 1 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 16kbit eeprom 2K × 8 spi 15ms
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M -
RFQ
ECAD 1075 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي ليموت MT29F64G08 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v ليموت - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1 غyer mtقlbة 64 جyجa بت فlaش 8g × 8 مويزي -
IS61DDB21M36C-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36C-300M3L -
RFQ
ECAD 3251 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 رحل IS61DDB21 SRAM - MTزAMN ، DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 myiغaiheartز ماضلب 36 Myiجabt 8.4 ns Sram 1M × 36 مويزي -
MEM2821-512D=-C ProLabs MEM2821-512D = -C 55.0000
RFQ
ECAD 2402 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-MEM2821-512D = -C ear99 8473.30.9100 1
70261L55PFG Renesas Electronics America Inc 70261L55PFG -
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل 70261L55 Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 100-TQFP (14x14) - 800-70261L55PFG عى الله 1 ماضلب 256kbit 55 NS Sram 16k × 16 مويزي 55ns
MEM2691-128CF-C ProLabs MEM2691-128CF-C 10.0000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-MEM2691-128CF-C ear99 8473.30.9100 1
CAT25128YI-GD onsemi CAT25128YI-GD -
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 onsemi - أnabob عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) CAT25128 eeprom 1.8v ~ 5.5v 8-TSSOP - 1 (غyer mحdod) الإلهال 488-CAT25128YI-GD عى الله 100 10 myiغaiheartز غyer mtقlbة 128kbit eeprom 16k × 8 spi 5 مللي
24LC024HT-I/ST Microchip Technology 24lc024ht-i/st 0.4050
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) 24LC024H eeprom 2.5v ~ 5.5v 8-TSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 2500 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 2kbit 400 نانو eeprom 256 × 8 i²c 5 مللي
A02-M308GB1-2-C ProLabs A02-M308GB1-2-C 70.0000
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-A02-M308GB1-2-C ear99 8473.30.5100 1
466440-B21-C ProLabs 466440-B21-C 37.5000
RFQ
ECAD 1544 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-466440-B21-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1250KV18-450BZXC Infineon Technologies CY7C1250KV18-450BZXC -
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 Infineon Technologies - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 رحل CY7C1250 SRAM - MTزAMN ، DDR II+ 1.7v ~ 1.9v 165-FBGA (13x15) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 Myiغaihiertز ماضلب 36 Myiجabt Sram 1M × 36 مويزي -
INT2133SZ8G-C ProLabs int2133sz8g-c 72.0000
RFQ
ECAD 4535 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-int2133sz8g-c ear99 8473.30.5100 1
IS45S16320F-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA2-TR 15.3000
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) IS45S16320 Sdram 3V ~ 3.6V 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0028 1500 143 Myiغaiheartز ماضلب 512 ماميبوت 5.4 ns دريم 32M × 16 مويزي -
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AAT: أ -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) MT53E768M64D4SQ-046AAT: أ عى الله 0000.00.0000 1،360 2.133 جyجa hertز ماضلب 48Gbit دريم 768M × 64 - -
25LC010AT-I/ST Microchip Technology 25LC010AT-I/ST 0.5550
RFQ
ECAD 3273 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) 25LC010 eeprom 2.5v ~ 5.5v 8-TSSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 2500 10 myiغaiheartز غyer mtقlbة 1kbit eeprom 128 × 8 spi 5 مللي
MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT: B TR -
RFQ
ECAD 7323 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 432-VFBGA MT53E512 432-VFBGA (15x15) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 557-MT53E512M64D2NW-046IT: BTR 2000
SST26VF016BT-104V/MF70SVAO Microchip Technology SST26VF016BT-104V/MF70SVAO -
RFQ
ECAD 9497 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي chiarahat ، AEC-Q100 ، SST26 SQI® الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة SST26VF016 فlaش 2.7v ~ 3.6v 8-WDFN (5x6) تومويل 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 2000 104 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 16 Myiجabt فlaش 2M × 8 spi - رباكي i/o 1.5 مللي
AT28LV010-20TU-319 Microchip Technology AT28LV010-20TU-319 63.2100
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - صyniة نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 32-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) AT28LV010 eeprom 3V ~ 3.6V 32-توتوب تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1B2 8542.32.0051 156 غyer mtقlbة 1Mbit 200 نانو eeprom 128k × 8 مويزي 10 مللي
70V28VL20PF Renesas Electronics America Inc 70V28VL20PF -
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل 70V28 Sram - Mnفذ Mamزdoج 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B2B 8542.32.0041 90 ماضلب 1Mbit 20 ns Sram 64k × 16 مويزي 20ns
CY7C1356C-166BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1356C-166BGC 10.8800
RFQ
ECAD 203 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL ™ صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 119-BGA CY7C1356 Sram - mtزamn ، sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3A991B2A 8542.32.0041 28 166 Myiغaiheartز ماضلب 9mbit 3.5 ns Sram 512k × 18 مويزي - يا يتام الها من منها
71V65903S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S85BQG 26.6900
RFQ
ECAD 67 0.00000000 IDT ، Integrated Device Technology Inc - حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 TBGA 71V65903 Sram - Mtزaamn ، SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-CABGA (13x15) تومويل 3A991B2A 8542.32.0041 1 ماضلب 9mbit 8.5 ns Sram 512k × 18 مويزي -
C-2933D4SR4RN/32G ProLabs C-2933D4SR4RN/32G 320.0000
RFQ
ECAD 7714 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-C-2933D4SR4RN/32G ear99 8473.30.5100 1
N25Q064A13EW7DFF Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7DFF -
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 Micron Technology Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة N25Q064A13 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-WPDFN (6x5) (MLP8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) عى الله 0000.00.0000 1 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt فlaش 16m × 4 spi 8ms ، 5 مللي
CG6710AM Cypress Semiconductor Corp CG6710 صbaحًa -
RFQ
ECAD 2408 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * حجm -pier نوز - لا 1 (غyer mحdod) العداد غyer ميدد ear99 8542.32.0041 1
CY7C1049CV33-10ZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1049CV33-10ZI -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) CY7C1049 Sram - غyer mtزamn 3V ~ 3.6V 44-TSOP II تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الوشق 3A991B2A 8542.32.0041 1 ماضلب 4mbit 10 ns Sram 512K × 8 مويزي 10ns
MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E. 22.0500
RFQ
ECAD 7064 0.00000000 Micron Technology Inc. - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 132-VBGA MT29F256G08 فlaش - nand (MLC) 2.7v ~ 3.6v 132-VBGA (12x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 8542.32.0071 1،20 267 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 جyجabt فlaش 32g × 8 مويزي -
FM25C040UEM8 Fairchild Semiconductor FM25C040UEM8 0.4300
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 فeartشailed أشbahh chalmoصlaat - حجm -pier نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) FM25C040 eeprom 4.5v ~ 5.5v 8 جda تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد ear99 8542.32.0051 1 2.1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 4kbit eeprom 512 × 8 spi 10 مللي
GD25LX512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEFIRR 6.7411
RFQ
ECAD 5150 0.00000000 أشباه الموصلات (HK) مداودا GD25LX الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) فlaش - alla 1.65V ~ 2V 16 سود - 1970-GD25LX512MEFIRRTR 1000 200 myiغaiheartز غyer mtقlbة 512 ماميبوت فlaش 64m × 8 SPI - Octal i/o ، dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون