SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة كذAABLة للبرم
IS61C3216AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12TLI-TR 1.8501
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 44-TTSOP (0.400 "، ، بعد 10.16 موم) IS61C3216 Sram - غyer mtزamn 4.5v ~ 5.5v 44-TSOP II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 1000 ماضلب 512 كylo -biaitht 12 ns Sram 32k × 16 مويزي 12ns
GVT71128G36T-6 Galvantech GVT71128G36T-6 1.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 جalفantos GVT71128G36 حجm -pier عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة أبل السفلي 100 TQFP GVT71128G Sram 3.3V - تومويل 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 Myiغaiheartز ماضلب 4.5mbit 4 ns Sram 128k × 36 -
BR24G128FVM-3AGTTR Rohm Semiconductor BR24G128FVM-3AGTTR 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-VSSOP ، 8-MSOP (0.110 "، عبرة 2.80 ملم) BR24G128 eeprom 1.7v ~ 5.5v 8-msop تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 3000 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 128kbit eeprom 16k × 8 i²c 5 مللي
S25FL064P0XMFI000S Infineon Technologies S25FL064P0XMFI000S -
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 Infineon Technologies fl-p صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 16-Voice (0.295 "، ، ، 7.50 ملم) S25FL064 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 16-ددا - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1 104 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt فlaش 8m × 8 spi - رباكي i/o 5µs ، 3 مللي
MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AATES: f -
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA MT29F1G08 فlaش - nand (SLC) 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 8542.32.0071 1 غyer mtقlbة 1Gbit فlaش 128 م × 8 مويزي 30ns
W25Q32JVZEAQ Winbond Electronics W25Q32JVZEAQ -
RFQ
ECAD 6175 0.00000000 وينبوند الإله Spiflash® أnabob نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة W25Q32 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-وسن (8x6) - 3 (168 سعع) الإلهال 256-W25Q32JVZEAQ 1 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt 6 ns فlaش 4M × 8 spi - رباكي i/o 3 مللي
W29N04KZBIBG TR Winbond Electronics W29N04KZBIBG TR 6.9549
RFQ
ECAD 3806 0.00000000 وينبوند الإله - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 63-VFBGA فlaش - nand (SLC) 1.7v ~ 1.95v 63-VFBGA (9x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 256-W29N04KZBIBGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 4gbit 25 ns فlaش 512M × 8 أonفy 35ns ، 700µs
SM662GEE-BD Silicon Motion, Inc. SM662GEE-BD -
RFQ
ECAD 8058 0.00000000 حركة السيليكون ، Inc. - صyniة نوز SM662 تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1
S80KS2563GABHB020 Infineon Technologies S80KS2563GABHB020 15.4500
RFQ
ECAD 676 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram ™ صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24-VBGA S80KS2563 PSRAM (Pseudo SRAM) 1.7v ~ 2v 24-FBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0024 338 200 myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 35 NS psram 32M × 8 SPI - Octal I/O 35ns
S25FL256SAGBHI210 Infineon Technologies S25FL256SAGBHI210 6.0400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies FL-S صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA S25FL256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-BGA (8x6) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0051 3،380 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt فlaش 32M × 8 spi - رباكي i/o -
S25FL032P0XBHIS20 Cypress Semiconductor Corp S25FL032P0XBHIS20 1.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-p صyniة عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 24 TBGA S25FL032 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-BGA (8x6) تومويل Rohs3 mtoaفق 3A991B1A 8542.32.0071 407 104 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt فlaش 4M × 8 spi - رباكي i/o 5µs ، 3 مللي
S25FL256SDPNFV000 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SDPNFV000 -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S صyniة نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة S25FL256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 8-وسن (6x8) تومويل Rohs غyer amtoaفق العداد غyer ميدد 2832-S25FL256SDPNFV000 1 66 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 256 Myiجabt فlaش 32M × 8 spi - رباكي i/o - يا يتام الها من منها
CY7C199C-12VXCT Infineon Technologies CY7C199C-12VXCT -
RFQ
ECAD 3983 0.00000000 Infineon Technologies - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 28-BSOJ (0.300 "، ، ، 7.62 ملم) CY7C199 Sram - غyer mtزamn 4.5v ~ 5.5v 28-soj تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0041 1000 ماضلب 256kbit 12 ns Sram 32k × 8 مويزي 12ns
W66BL6NBUAGJ Winbond Electronics W66BL6NBUAGJ 6.8078
RFQ
ECAD 1650 0.00000000 وينبوند الإله - صyniة ليس لتلتومت الحديدي -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA W66BL6 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V ، 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 256-W66bl6nbuagj ear99 8542.32.0036 144 1.866 جyجa hertز ماضلب 2gbit 3.5 ns دريم 128 م × 16 LVSTL_11 18ns
S26361-F3719-E514-C ProLabs S26361-F3719-E514-C 50.0000
RFQ
ECAD 7903 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-S26361-F3719-E514-C ear99 8473.30.5100 1
IS25LP064A-JGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JEGL-TR -
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24 TBGA IS25LP064 فlaش - و 2.3v ~ 3.6v 24-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 64 Myiجabt فlaش 8m × 8 spi - رباكي i/o ، qpi 800µs
UPD46185364BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46185364BF1-E40-EQ1-A 42.0700
RFQ
ECAD 565 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * حجm -pier نوز تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 3A991B2A 8542.32.0041 1
S29GL256S90DHI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL256S90DHI010 8.4200
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-S صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل S29GL256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (9x9) تومويل Rohs3 mtoaفق 2832-S29GL256S90DHI010 260 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 90 ns فlaش 16m × 16 مويزي 60ns يا يتام الها من منها
DS28E10P-W26+1T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E10P-W26+1T -
RFQ
ECAD 4786 0.00000000 ANALOG DEVICES Inc./MAXIM Integrated - الهاريه والال عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 6-SMD ، J-Lead DS28E10 Eprom - OTP 2.8v ~ 3.6v 6-TSOC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال عى الله 0000.00.0000 1 غyer mtقlbة 224 ب eprom 28 × 8 1-wire® -
W25Q128JWSIQ Winbond Electronics W25Q128JWSIQ 1.5927
RFQ
ECAD 1700 0.00000000 وينبوند الإله Spiflash® أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.209 "، ، ، 5.30 ملم) W25Q128 فlaش - و 1.7v ~ 1.95v 8 جda تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 256-W25Q128JWSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 128mbit فlaش 16M × 8 spi - رباكي i/o -، 3 مللي
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AUT: B TR 71.3850
RFQ
ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة أبل السفلي 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: BTR 1500 3.2 جyجa hertز ماضلب 64 جyجa بت دريم 1g × 64 مويزي -
MT45W4MW16BCGB-701 IT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-701 IT TR -
RFQ
ECAD 3622 0.00000000 Micron Technology Inc. - الهاريه والال عى الله -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (Pseudo SRAM) 1.7v ~ 1.95v 54-VFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1000 ماضلب 64 Myiجabt 70 ns psram 4M × 16 مويزي 70ns
CY14B104M-ZSP45XI Infineon Technologies CY14B104M-ZSP45XI 37.1900
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Infineon Technologies - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 54-TTSOP (0.400 "، ، عد 10.16 موم) CY14B104 NVSRAM (Sram غyer tlmtقlbة) 2.7v ~ 3.6v 54-Tsop II تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 108 غyer mtقlbة 4mbit 45 ns nvsram 256k × 16 مويزي 45ns
W25Q16JWZPIQ Winbond Electronics W25Q16JWZPIQ 0.5829
RFQ
ECAD 1833 0.00000000 وينبوند الإله Spiflash® أnabob نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-wdfn lloحة mكشoفة W25Q16 فlaش - و 1.65V ~ 1.95V 8-وسن (6x5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 256-W25Q16JWZPIQ ear99 8542.32.0071 100 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 16 Myiجabt فlaش 2M × 8 spi - رباكي i/o 3 مللي
MT58L512Y32DT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y32DT-6 18.9400
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ حجm -pier نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل MT58L512Y32 Sram 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 Myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 3.5 ns Sram 512K × 32 مويزي -
IS39LV040-70VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70VCE -
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة عى الله -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 32-TFSOP (0.488 "، بعد 12.40 ملم) IS39LV040 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 32-VSOP تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 208 غyer mtقlbة 4mbit 70 ns فlaش 512K × 8 مويزي 70ns
24LC014HT-I/MS Microchip Technology 24LC014HT-I/MS 0.4050
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-TSSOP ، 8-MSOP (0.118 "، عبرة 3.00 ملم) 24LC014H eeprom 2.5v ~ 5.5v 8-msop تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8542.32.0051 2500 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 1kbit 400 نانو eeprom 128 × 8 i²c 5 مللي
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ENGR 0.9545
RFQ
ECAD 9190 0.00000000 أشباه الموصلات (HK) مداودا GD25LQ الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-udfn lloحة mكشoفة فlaش - alla 1.65V ~ 2V 8-Uson (3x4) تومويل 1970-GD25LQ32ENGRTR 3000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt 6 ns فlaش 4M × 8 spi - رباكي i/o ، qpi 100µs ، 4 مللي
MX25U1632FBHI02 Macronix MX25U1632FBHI02 0.6088
RFQ
ECAD 3817 0.00000000 Macronix - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-xfbga ، wlcsp MX25U1632 فlaش - و 1.65V ~ 2V 8-WLCSP - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 1092-MX25U1632FBHI02TR ear99 8542.32.0071 6000 133 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 16 Myiجabt 6 ns فlaش 2M × 8 spi - رباكي i/o ، qpi 40µs ، 3 مللي
70V28L20PFG Renesas Electronics America Inc 70V28L20PFG 111.0550
RFQ
ECAD 5120 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة مرر 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل 70V28 Sram - Mnفذ Mamزdoج 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 6 ماضلب 1Mbit 20 ns Sram 64k × 16 مويزي 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون