SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya العلم - العرف حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم مردد السفكر نو عداد حجm alذazerة و و " تنسي إيهازرة Tnظiem alذazerة واههه كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة كذAABLة للبرم
AS4C2M32S-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BCN 4.2400
RFQ
ECAD 415 0.00000000 تحالف ذاكرة ، Inc. - صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 90-TFBGA AS4C2M32 Sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 1450-AS4C2M32S-6BCN ear99 8542.32.0002 190 166 Myiغaiheartز ماضلب 64 Myiجabt 5.5 ns دريم 2M × 32 LVTTL -
CY62138FV30LL-45BVXIT Infineon Technologies CY62138FV30LL-45BVXIT 4.0425
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 Infineon Technologies MOBL® الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 36-VBGA Cy62138 Sram - غyer mtزamn 2.2v ~ 3.6v 36-VBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 2000 ماضلب 2Mbit 45 ns Sram 256k × 8 مويزي 45ns
HM3-7610-5 Harris Corporation HM3-7610-5 -
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 آركة هارايس * حجm -pier نوز تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد 0000.00.0000 1
HX-MR-X64G2RW-C ProLabs HX-MR-X64G2RW-C 705.0000
RFQ
ECAD 9033 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-HX-MR-X64G2RW-C ear99 8473.30.5100 1
709089S12PF8 Renesas Electronics America Inc 709089S12PF8 -
RFQ
ECAD 3651 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 100 رحل 709089S SRAM - MNفذ MEDOج ، MATزAKMN 4.5v ~ 5.5v 100-TQFP (14x14) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 750 ماضلب 512 كylo -biaitht 12 ns Sram 64k × 8 مويزي -
S25FL132K0XBHVS23 Infineon Technologies S25FL132K0XBHVS23 -
RFQ
ECAD 1332 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k الهاريه والال عى الله -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 24 TBGA S25FL132 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 24-BGA (8x6) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 2500 108 Myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt فlaش 4M × 8 spi - رباكي i/o 3 مللي
7025L45FB Renesas Electronics America Inc 7025L45FB -
RFQ
ECAD 1214 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - حجm -pier عى الله - الإلهال 800-7025L45FB عى الله 1
7018S12PF8 Renesas Electronics America Inc 7018S12PF8 -
RFQ
ECAD 1074 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال مرر - 800-7018S12PF8TR 1
IS61WV102416FBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10TLI 10.1941
RFQ
ECAD 9743 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) IS61WV102416 Sram - غyer mtزamn 2.4v ~ 3.6v 48-TSOP i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 96 ماضلب 16 Myiجabt 10 ns Sram 1M × 16 مويزي 10ns
IS42S32800J-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBLI-TR 6.2100
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0024 2500 133 Myiغaiheartز ماضلب 256 Myiجabt 6 ns دريم 8m × 32 مويزي -
MTFC64GJVDN-3F WT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-3F BALOزN -
RFQ
ECAD 3268 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ صyniة عى الله -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TA) أبل السفلي 169-LFBGA MTFC64 فlaش - nand 2.7v ~ 3.6v 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 غyer mtقlbة 512Gbit فlaش 64g × 8 MMC -
C-160D3N/8GK2 ProLabs C-160D3N/8GK2 39.5000
RFQ
ECAD 3515 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-C-160D3N/8GK2 ear99 8473.30.5100 1
S29GL256S90FHA023 Infineon Technologies S29GL256S90FHA023 7.6825
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 Infineon Technologies GL-S الهاريه والال نوز -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 64 رحل S29GL256 فlaش - و 2.7v ~ 3.6v 64-FBGA (13x11) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B1A 8542.32.0071 1600 غyer mtقlbة 256 Myiجabt 90 ns فlaش 16m × 16 مويزي 60ns
IS46LD32128C-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1-TR -
RFQ
ECAD 1891 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع المسار ، AEC-Q100 الهاريه والال نوز -40 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MAئOYة (TC) أبل السفلي 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V ، 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR ear99 8542.32.0036 1 533 Myiغaiheartز ماضلب 4gbit 5.5 ns دريم 128 م × 32 HSUL_12 15ns
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 AAT: C. -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 Micron Technology Inc. المسار ، AEC-Q100 صyniة عى الله -40 Derجة Mmئoyة ~ 105 Derجة Mmئoyة (TC) أبل السفلي 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1v 200-WFBGA (10x14.5) - الإلهال ear99 8542.32.0036 1،360 1.6 جyجa hertز ماضلب 8gbit دريم 256m × 32 - -
7143LA90J8/S2418 Renesas Electronics America Inc 7143LA90J8/S2418 -
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - الهاريه والال مرر 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 68 LCC (J-Lead) Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 68-PLCC (24.21x24.21) - 800-7143LA90J8/S2418TR 1 ماضلب 32 كyelo -baiatt 90 ns Sram 2K × 16 مويزي 90ns
C-2933D4SR8N/16G ProLabs C-2933D4SR8N/16G 109.5000
RFQ
ECAD 5392 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-C-2933D4SR8N/16G ear99 8473.30.5100 1
A6588881-C ProLabs A6588881-C 262.5000
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 الهاولب * حزmة albiub بالت نوز - Rohs mtoaفق 4932-A6588881-C ear99 8473.30.5100 1
CAT24FC256XI-TE13 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24FC256XI-TE13 -
RFQ
ECAD 6320 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - حجm -pier عى الله -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.209 "، ، ، 5.30 ملم) CAT24FC256 eeprom 2.5v ~ 5.5v 8 جda تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) العداد غyer ميدد ear99 8542.32.0051 2000 1 myiغaiheartز غyer mtقlbة 256kbit 500 نانو آناي eeprom 32k × 8 i²c 5 مللي
5962-8700210UA Renesas Electronics America Inc 5962-8700210UA -
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - أnabob عى الله -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويوي (تا) أبل السفلي 48 LCC 5962-8700210 SRAM - MNفذ MEDOج ، MATزAKMN 4.5v ~ 5.5v 48 LCC (14.22x14.22) تومويل Rohs3 mtoaفق الإلهال 800-5962-8700210UA عى الله 34 ماضلب 16kbit 90 ns Sram 2K × 8 مويزي 90ns
IS61NVF25672-6.5B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1 -
RFQ
ECAD 6228 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 209-BGA IS61NVF25672 Sram - mtزamn ، sdr 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 Myiغaiheartز ماضلب 18 Myiجabt 6.5 ns Sram 256k × 72 مويزي -
CY7C1418TV18-267BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1418TV18-267BZXC 70.2100
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - شnطة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 165 رحل CY7C1418 SRAM - MTزAMN ، DDR II 1.7v ~ 1.9v 165-FBGA (13x15) - لا 3A991B2A 1 267 Myiغaiheartز ماضلب 36 Myiجabt Sram 2M × 18 مويزي - يا يتام الها من منها
7054L25PRF Renesas Electronics America Inc 7054L25PRF -
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 128-LQFP 7054L25 Sram - Mnفذ Rebauky 4.5v ~ 5.5v 128-TQFP (14x20) تومويل Rohs غyer amtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0041 6 ماضلب 32 كyelo -baiatt 25 ns Sram 4K × 8 مويزي 25ns
CY7C1041CV33-12BAXE Infineon Technologies CY7C1041CV33-12BAXE -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 Infineon Technologies - صyniة توفت -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 48-TFBGA CY7C1041 Sram - غyer mtزamn 3V ~ 3.6V 48-FBGA (7x8.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 3A991B2A 8542.32.0041 260 ماضلب 4mbit 12 ns Sram 256k × 16 مويزي 12ns
SST39VF800A-70-4C-B3KE-T Microchip Technology SST39VF800A-70-4C-B3KE-T 1.9350
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 Tقniة alrقaئق الهادي SST39 MPF ™ الهاريه والال نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) أبل السفلي 48-TFBGA SST39VF800 فlaش 2.7v ~ 3.6v 48-TFBGA (6x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال ear99 8542.32.0071 2500 غyer mtقlbة 8mbit 70 ns فlaش 512k × 16 مويزي 20µs
IS65WV1288FBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-55CTLA3 -
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 ISSI ، حل السيليكون مدفوع المسار ، AEC-Q100 صyniة نوز -40 دكر مويوي ~ 125 دري مويزي (تا) أبل السفلي 32-TFSOP (0.724 "، عد 18.40 ملم) IS65WV1288 SRAM - MTزAMN 2.2v ~ 3.6v 32-Tsop i تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) الإلهال 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3 ear99 8542.32.0041 156 ماضلب 1Mbit 55 NS Sram 128k × 8 مويزي 55ns
NDL86PFG-9MET Insignis Technology Corporation NDL86PFG-9MET 18.6200
RFQ
ECAD 1270 0.00000000 مؤسسة تقنية شارة آركة NDL86P صyniة نوز 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) أبل السفلي 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) 1982-NDL86PFG-9MET 180 933 Myiغaiheartز ماضلب 8gbit دريم 512M × 16 مويزي -
7008L35G Renesas Electronics America Inc 7008L35G -
RFQ
ECAD 6424 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة عى الله 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) منلال أب 84-BPGA 7008L35 Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 84-PGA (27.94x27.94) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 3A991B2B 8542.32.0041 3 ماضلب 512 كylo -biaitht 35 NS Sram 64k × 8 مويزي 35ns
GD25B32CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32CS2GR 0.9688
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 أشباه الموصلات (HK) مداودا GD25B الهاريه والال نوز -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) أبل السفلي 8-soic (0.209 "، ، ، 5.30 ملم) فlaش - alla 2.7v ~ 3.6v 8 - 1970-GD25B32CS2GRTR 2000 80 myiغaiheartز غyer mtقlbة 32 Myiجabt 7 ns فlaش 4M × 8 spi - رباكي i/o 60µs ، 4 مللي
7027S12G Renesas Electronics America Inc 7027S12G -
RFQ
ECAD 2853 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - صyniة مرر 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) منلال أب 108-BPGA Sram - Mnفذ Mamزdoج 4.5v ~ 5.5v 108-PGA (30.48 × 30.48) - 800-7027S12G 1 ماضلب 512 كylo -biaitht 12 ns Sram 32k × 16 مويزي 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون