SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT العلم / الحبيد itlachفauat - حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك عزير
UCR10EVHFSR012 Rohm Semiconductor UCR10EVHFSR012 0.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat UCR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 ، 12 موم - - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.333W ، 1/3W 2 فyalm سميه
MCR50JZHF6982 Rohm Semiconductor MCR50JZHF6982 0.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 69.8 kohms ± 100ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR18EZPJ162 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ162 -
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 1.6 kohms ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR03EZPD2701 Rohm Semiconductor ESR03EZPD2701 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 2.7 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
LTR10LEZPDLR100 Rohm Semiconductor LTR10LEZPDLR100 0.7700
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.049 "LX 0.079" W (1.25 ملم × 2.00 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) Wide 0805 (2012 Metric) ، 0508 المسار AEC-Q200 ، 100 Mohms 0/ +150ppm/ ° C. - 0508 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 1W 2 فyalm سميه
ESR10EZPD6191 Rohm Semiconductor ESR10EZPD6191 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 6.19 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
ESR03EZPF61R9 Rohm Semiconductor ESR03EZPF61R9 0.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 61.9 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0603 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR10EZPD5112 Rohm Semiconductor ESR10EZPD5112 0.2800
RFQ
 ECAD 6686 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 51.1 Kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
ESR03EZPD4700 Rohm Semiconductor ESR03EZPD4700 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 470 أوم ± 100ppm/° C. - 0603 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR03EZPD2102 Rohm Semiconductor ESR03EZPD2102 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 21 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
LTR10LEZPFLR240 Rohm Semiconductor ltr10lezpflr240 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.047 "L x 0.079" W (1.20 ملم × 2.00 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) Wide 0805 (2012 Metric) ، 0508 المسار AEC-Q200 ، 240 Mohms 0/ +100ppm/ ° C. - 0508 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 1W 2 فyalm سميه
LTR100JZPF6202 Rohm Semiconductor LTR100JZPF6202 0.7000
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 62 kohms ± 100ppm/° C. - 1225 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
SFR03EZPF16R0 Rohm Semiconductor SFR03EZPF16R0 0.1300
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) mكaفحة alكberyt 16 أوم ± 100ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
LTR100JZPJ914 Rohm Semiconductor LTR100JZPJ914 0.6400
RFQ
 ECAD 9950 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 910 kohms ± 200ppm/° C. - 1225 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
ESR01MZPJ120 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ120 0.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 12 أوم ± 200ppm/° C. - 0402 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
SFR03EZPF6804 Rohm Semiconductor SFR03EZPF6804 0.1300
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) mكaفحة alكberyt 6.8 Mohms ± 100ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR01MZPJ1R6 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ1R6 0.2800
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 1.6 أوم -250/ +500ppm/ ° C. - 0402 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
ESR01MZPJ915 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ915 0.2800
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 9.1 Mohms ± 200ppm/° C. - 0402 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
SDR10EZPF1103 Rohm Semiconductor SDR10EZPF1103 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 110 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
LTR100JZPF3602 Rohm Semiconductor LTR100JZPF3602 0.7000
RFQ
 ECAD 9674 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 36 kohms ± 100ppm/° C. - 1225 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
SDR10EZPF4303 Rohm Semiconductor SDR10EZPF4303 0.2900
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 430 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
SDR10EZPJ110 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ110 0.2200
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 11 أوم ± 200ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
ESR01MZPJ1R3 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ1R3 0.2800
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 1.3 يا أوم -250/ +500ppm/ ° C. - 0402 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
SDR10EZPF6204 Rohm Semiconductor SDR10EZPF6204 0.2900
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 6.2 Mohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
ESR01MZPF3902 Rohm Semiconductor ESR01MZPF3902 0.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 39 kohms ± 100ppm/° C. - 0402 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
SDR10EZPF5604 Rohm Semiconductor SDR10EZPF5604 0.2900
RFQ
 ECAD 9589 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 5.6 Mohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
SDR10EZPF1503 Rohm Semiconductor SDR10EZPF1503 0.2900
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 150 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
LTR100JZPJ513 Rohm Semiconductor LTR100JZPJ513 0.6400
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 51 kohms ± 200ppm/° C. - 1225 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
SDR10EZPJ204 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ204 0.2200
RFQ
 ECAD 1938 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 200 Kohms ± 200ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
SDR10EZPJ910 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ910 0.2200
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 91 أوم ± 200ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق