SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT الإثبايت العلم / الحبيد itlachفaus - نو عداد حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك المراهق (يا أوم) عزير نو عداد عداد نسوب ماعب المفارق Mقaom-raraato-serrier عداد المسيكر قoة لال
ESR10EZPF40R2 Rohm Semiconductor ESR10EZPF40R2 0.0239
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 40.2 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
LTR18EZPFSR011 Rohm Semiconductor LTR18EZPFSR011 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "LX 0.126" W (1.60 ملم × 3.20 ملم) 0.027 "(0.68 ملم) واوسف 1206 (3216 ماج) ، 0612 المسار AEC-Q200 ، 11 موم 0/ +300ppm/ ° C. - 0612 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 1.5W 2 فyalm سميه
MNR14ERAPJ754 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ754 -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه - 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 750K عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
ESR18EZPF4320 Rohm Semiconductor ESR18EZPF4320 0.0207
RFQ
 ECAD 9250 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 432 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MNR14E0ABJ304 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ304 -
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 300K عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
MCR10EZPJ364 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ364 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 360 kohms ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MNR15E0RPJ332 Rohm Semiconductor MNR15E0RPJ332 -
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي المسار AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 3.3k حaفlat 8 - - 10 31 مميتاوت
MCR100JZHF16R2 Rohm Semiconductor MCR100JZHF16R2 -
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي AEC-Q200 0.248 "L X 0.126" W (6.30 ملم × 3.20 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2512 (6432 mقias) المسار AEC-Q200 16.2 أوم ± 100ppm/° C. - 2512 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 1W 2 فyalm سميه
MNR18ERAPJ510 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ510 -
RFQ
 ECAD 3248 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.157 "L X 0.063" W (4.00 ملم × 1.60 ملم) 0.020 "(0.50 ملم) أبل السفلي 1606 ، mmحdeb ± 250ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 51 عوزول 8 - - 16 62.5 ماميت
KTR10EZPF4321 Rohm Semiconductor KTR10EZPF4321 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 4.32 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
PMR10EZPFU10L0 Rohm Semiconductor PMR10EZPFU10L0 0.6600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat PMR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "L X 0.047" W (2.00 ملم × 1.20 ملم) 0.019 "(0.47 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 ، 10 مهاام ± 150ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 لعنرعني
MNR14E0ABJ511 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ511 -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 510 عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
LTR100JZPJ130 Rohm Semiconductor LTR100JZPJ130 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 13 أوم ± 200ppm/° C. - 1225 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
MNR15ERRPJ332 Rohm Semiconductor MNR15ERRPJ332 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 3.3k حaفlat 8 - - 10 31 مميتاوت
MNR04M0ABJ241 Rohm Semiconductor MNR04M0ABJ241 -
RFQ
 ECAD 1878 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.079 "L x 0.039" W (2.00 ملم × 1.00 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) أبل السفلي 0804 ، mmحdeb ، أطraف ± 300ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 10000 240 عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
MNR18ERAPJ270 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ270 -
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.157 "L X 0.063" W (4.00 ملم × 1.60 ملم) 0.020 "(0.50 ملم) أبل السفلي 1606 ، mmحdeb ± 250ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 27 عوزول 8 - - 16 62.5 ماميت
MNR14E0ABJ391 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ391 -
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 390 عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
MNR14E0ABJ181 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ181 -
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 180 عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
MCR50JZHF5231 Rohm Semiconductor MCR50JZHF5231 -
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 5.23 kohms ± 100ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MNR12E0ABJ151 Rohm Semiconductor MNR12E0ABJ151 -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.063 "L X 0.063" W (1.60 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 0606 ، mحdb ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 150 عوزول 2 - - 4 62.5 ماميت
MNR15E0RPJ203 Rohm Semiconductor MNR15E0RPJ203 -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي المسار AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 20k حaفlat 8 - - 10 31 مميتاوت
MNR04M0ABJ122 Rohm Semiconductor MNR04M0ABJ122 -
RFQ
 ECAD 5060 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.079 "L x 0.039" W (2.00 ملم × 1.00 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) أبل السفلي 0804 ، mmحdeb ، أطraف ± 300ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 10000 1.2k عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
MNR04MRAPJ430 Rohm Semiconductor MNR04MRAPJ430 -
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه - 0.079 "L x 0.039" W (2.00 ملم × 1.00 ملم) 0.020 "(0.50 ملم) أبل السفلي 0804 ، mmحdeb ، أطraف ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 10000 43 عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
MNR15E0RPJ151 Rohm Semiconductor MNR15E0RPJ151 -
RFQ
 ECAD 6425 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي المسار AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 150 حaفlat 8 - - 10 31 مميتاوت
MNR18E0APJ680 Rohm Semiconductor MNR18E0APJ680 -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي المسار AEC-Q200 0.150 "L x 0.063" W (3.80 ملم × 1.60 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) أبل السفلي 1506 ، mmحdeb ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 68 عوزول 8 - - 16 62.5 ماميت
KTR25JZPJ361 Rohm Semiconductor KTR25JZPJ361 0.0568
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1210 (3225 mقaias) chaiaratat aec-q200 360 أوم ± 200ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.333W ، 1/3W 2 فyalm سميه
ESR03EZPF3R48 Rohm Semiconductor ESR03EZPF3R48 0.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 3.48 يا أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF47R5 Rohm Semiconductor MCR10ERTF47R5 -
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 47.5 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MNR18ERAPJ330 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ330 -
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي - 0.157 "L X 0.063" W (4.00 ملم × 1.60 ملم) 0.020 "(0.50 ملم) أبل السفلي 1606 ، mmحdeb ± 250ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 33 عوزول 8 - - 16 62.5 ماميت
KTR03EZPJ331 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ331 0.0175
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) chaiaratat aec-q200 330 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق