SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT الإثبايت العلم / الحبيد itlachفaus - نو عداد حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك المراهق (يا أوم) عزير نو عداد عداد نسوب ماعب المفارق Mقaom-raraato-serrier عداد المسيكر قoة لال
MNR34J5ABJ473 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ473 -
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي المسار AEC-Q200 0.205 "L x 0.122" W (5.20mm × 3.10 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) أبل السفلي 2012 ، mحdeb ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 4000 47K عوزول 4 - - 8 125 مميتاوت
ESR01MZPJ751 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ751 0.2800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 750 أوم ± 200ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 511-ESR01MZPJ751CT ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
KTR18EZPF3240 Rohm Semiconductor KTR18EZPF3240 0.0302
RFQ
 ECAD 6972 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) chaiaratat aec-q200 324 أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR25JZHF3920 Rohm Semiconductor MCR25JZHF3920 0.1300
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 392 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
PSR400ITQFF0L50 Rohm Semiconductor PSR400ITQFF0L50 1.9200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat PSR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 170 دكر مسيه AEC-Q200 0.394 "LX 0.205" W (10.00 ملم × 5.20 ملم) - غyer قaiasy المسار AEC-Q200 ، 0.5 Mohms ± 175ppm/° C. - 3921 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 3000 4W 2 لعنرعني
KTR10EZPJ101 Rohm Semiconductor KTR10EZPJ101 0.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 100 أom ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR006YRTJ271 Rohm Semiconductor MCR006IRTJ271 0.1000
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 270 يا أوم ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
MCR03EZPFX1303 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1303 -
RFQ
 ECAD 4436 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 130 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR10EZPF5620 Rohm Semiconductor ESR10EZPF5620 0.0239
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 562 أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
MCR10EZPF8453 Rohm Semiconductor MCR10EZPF8453 -
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 845 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF2741 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2741 0.0207
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 2.74 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR18EZPJ434 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ434 -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 430 kohms ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10EZHF68R1 Rohm Semiconductor MCR10EZHF68R1 -
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 68.1 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
KTR10EZPF2213 Rohm Semiconductor KTR10EZPF2213 0.2200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 221 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF1374 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1374 -
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 1.37 Mohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR006YZPJ200 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ200 -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 20 أom ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
SFR01MZPJ100 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ100 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) mكaفحة alكberyt 10 أوم ± 200ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 10000 0.063W ، 1/16W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF4640 Rohm Semiconductor MCR10ERTF4640 0.1000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 464 أوم ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR18EZPF5621 Rohm Semiconductor MCR18EZPF5621 -
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 5.62 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR006YZPJ222 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ222 -
RFQ
 ECAD 6526 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 2.2 kohms ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
KTR10EZPF2941 Rohm Semiconductor KTR10EZPF2941 0.0270
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 2.94 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
PMR10EZPJU5L0 Rohm Semiconductor PMR10EZPJU5L0 0.5700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat PMR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "L X 0.047" W (2.00 ملم × 1.20 ملم) 0.019 "(0.47 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 ، 5 مومام ± 150ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 لعنرعني
MCR10EZPF3831 Rohm Semiconductor MCR10EZPF3831 -
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 3.83 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
KTR18EZPJ620 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ620 0.0191
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) chaiaratat aec-q200 62 يا أوم ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF1271 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1271 -
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 1.27 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
KTR25JZPF3004 Rohm Semiconductor KTR25JZPF3004 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1210 (3225 mقaias) chaiaratat aec-q200 3 مهام ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.333W ، 1/3W 2 فyalm سميه
LTR100JZPF4702 Rohm Semiconductor LTR100JZPF4702 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 47 kohms ± 100ppm/° C. - 1225 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
MNR14E0APJ181 Rohm Semiconductor MNR14E0APJ181 -
RFQ
 ECAD 4715 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat mnr الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه المسار AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.024 "(0.60 ملم) أبل السفلي 1206 (3216 mقaias) ± 200ppm/° C. - تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0020 5000 180 عوزول 4 - - 8 62.5 ماميت
ESR25JZPJ6R8 Rohm Semiconductor ESR25JZPJ6R8 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 6.8 أوم ± 200ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.667W ، 2/3W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF12R1 Rohm Semiconductor ESR18EZPF12R1 0.0207
RFQ
 ECAD 2644 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 12.1 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق