SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT العلم / الحبيد itlachفaus - حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك عزير
SFR01MZPJ432 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ432 0.1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) mكaفحة alكberyt 4.3 kohms ± 200ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 10000 0.063W ، 1/16W 2 فyalm سميه
KTR03EZPJ1R8 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ1R8 0.0175
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) chaiaratat aec-q200 1.8 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
MCR50JZHFLR220 Rohm Semiconductor MCR50JZHFLR220 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 220 Mohms ± 250ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF4992 Rohm Semiconductor MCR18ERTF4992 -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 49.9 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF1782 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1782 -
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 17.8 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR18EZHF1782 Rohm Semiconductor MCR18EZHF1782 -
RFQ
 ECAD 7732 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 17.8 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR03ERTF2670 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2670 0.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) - 267 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
SFR03EZPJ152 Rohm Semiconductor SFR03EZPJ152 0.0126
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) mكaفحة alكberyt 1.5 kohms ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 511-SFR03EZPJ152TR ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF3920 Rohm Semiconductor ESR18EZPF3920 0.0207
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 392 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR18EZHF6043 Rohm Semiconductor MCR18EZHF6043 -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 604 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10EZHF9311 Rohm Semiconductor MCR10EZHF9311 -
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 9.31 Kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
LTR100JZPF10R0 Rohm Semiconductor LTR100JZPF10R0 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 10 أوم ± 100ppm/° C. - 1225 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF6192 Rohm Semiconductor MCR18ERTF6192 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 61.9 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10EZPF2104 Rohm Semiconductor MCR10EZPF2104 -
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 2.1 Mohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR03ERTJ474 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ474 -
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) - 470 kohms ± 200ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
SFR01MZPF5110 Rohm Semiconductor SFR01MZPF5110 0.0146
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) mكaفحة alكberyt 511 أوم ± 100ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 511-SFR01MZPF5110TR ear99 8533.21.0030 10000 0.063W ، 1/16W 2 فyalm سميه
MCR25JZHF2492 Rohm Semiconductor MCR25JZHF2492 0.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 24.9 kohms ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
SFR10EZPJ911 Rohm Semiconductor SFR10EZPJ911 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) mكaفحة alكberyt 910 أوم ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
SFR03EZPJ131 Rohm Semiconductor SFR03EZPJ131 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) mكaفحة alكberyt 130 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
KTR10EZPJ4R7 Rohm Semiconductor KTR10EZPJ4R7 0.0191
RFQ
 ECAD 1883 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 4.7 يا أوم ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
TRR03EZPF3570 Rohm Semiconductor TRR03EZPF3570 -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat TRR الهاريه والال عى الله ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) مدا الفاتحت 357 أوم ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR10EZPJ621 Rohm Semiconductor ESR10EZPJ621 0.1300
RFQ
 ECAD 5347 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 620 أوم ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
MCR006YZPJ224 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ224 -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 220 kohms ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
ESR03EZPD1743 Rohm Semiconductor ESR03EZPD1743 0.2500
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 174 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
LTR18EZPJ680 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ680 0.0239
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "LX 0.126" W (1.60 ملم × 3.20 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) واوسف 1206 (3216 ماج) ، 0612 المسار AEC-Q200 68 يا أوم ± 200ppm/° C. - 0612 (1632 mقias) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.75W ، 3/4W 2 فyalm سميه
KTR18EZPF1053 Rohm Semiconductor KTR18EZPF1053 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) chaiaratat aec-q200 105 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF3003 Rohm Semiconductor MCR10ERTF3003 -
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 300 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR10EZPF1404 Rohm Semiconductor MCR10EZPF1404 -
RFQ
 ECAD 9593 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 1.4 Mohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
KTR18EZPF39R2 Rohm Semiconductor KTR18EZPF39R2 0.0302
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) chaiaratat aec-q200 39.2 أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
LTR100JZPJLR22 Rohm Semiconductor LTR100JZPJLR22 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 ، 220 Mohms ± 200ppm/° C. - 1225 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق