SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT العلم / الحبيد itlachفaus - حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك عزير
MCR50JZHFLR110 Rohm Semiconductor MCR50JZHFLR110 -
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 110 Mohms 200/ +600ppm/ ° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR006YZPJ205 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ205 -
RFQ
 ECAD 1815 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 2 Mohms ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
ESR10EZPJ825 Rohm Semiconductor ESR10EZPJ825 0.1300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 8.2 Mohms ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
MCR18EZPF1020 Rohm Semiconductor MCR18EZPF1020 -
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 102 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
LTR18EZPJLR33 Rohm Semiconductor LTR18EZPJLR33 0.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "LX 0.126" W (1.60 ملم × 3.20 ملم) 0.027 "(0.68 ملم) واوسف 1206 (3216 ماج) ، 0612 المسار AEC-Q200 ، 330 Mohms 0/ +150ppm/ ° C. - 0612 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 1.5W 2 فyalm سميه
MCR006YZPJ182 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ182 -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 1.8 kohms ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
MCR100JZHF95R3 Rohm Semiconductor MCR100JZHF95R3 -
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي AEC-Q200 0.248 "L X 0.126" W (6.30 ملم × 3.20 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2512 (6432 mقias) المسار AEC-Q200 95.3 ± 100ppm/° C. - 2512 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 1W 2 فyalm سميه
MCR50JZHFSR056 Rohm Semiconductor MCR50JZHFSR056 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 56 Mohms 200/ +800ppm/ ° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF2100 Rohm Semiconductor MCR18ERTF2100 -
RFQ
 ECAD 1679 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 210 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
TRR01MZPF1962 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1962 0.1400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat TRR الهاريه والال عى الله ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) مدا الفاتحت 19.6 kohms ± 100ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.063W ، 1/16W 2 فyalm سميه
MCR25JZHF8251 Rohm Semiconductor MCR25JZHF8251 -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 8.25 kohms ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
KTR03EZPJ1R6 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ1R6 0.0175
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) chaiaratat aec-q200 1.6 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
KTR03EZPJ245 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ245 0.0175
RFQ
 ECAD 9644 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) chaiaratat aec-q200 2.4 Mohms ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
MCR50JZHJLR27 Rohm Semiconductor MCR50JZHJLR27 -
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 270 Mohms ± 250ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
ESR25JZPF3902 Rohm Semiconductor ESR25JZPF3902 0.0700
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 39 kohms ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.667W ، 2/3W 2 فyalm سميه
MCR25JZHJ6R8 Rohm Semiconductor MCR25JZHJ6R8 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 6.8 أوم ± 200ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
KTR10EZPF7501 Rohm Semiconductor KTR10EZPF7501 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 7.5 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF8453 Rohm Semiconductor MCR10ERTF8453 0.1000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 845 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR18ERTJ910 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ910 -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 91 أوم ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR25JZHJ270 Rohm Semiconductor MCR25JZHJ270 -
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 27 ± 200ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
KTR10EZPF6192 Rohm Semiconductor KTR10EZPF6192 0.0270
RFQ
 ECAD 5532 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) chaiaratat aec-q200 61.9 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF7872 Rohm Semiconductor MCR18ERTF7872 -
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 78.7 Kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR10EZPF12R0 Rohm Semiconductor ESR10EZPF12R0 0.0239
RFQ
 ECAD 5594 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 12 أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF3570 Rohm Semiconductor ESR18EZPF3570 0.0207
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 357 أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF5103 Rohm Semiconductor MCR18ERTF5103 -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 510 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR10EZPJ511 Rohm Semiconductor ESR10EZPJ511 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 510 أوم ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
LTR18EZPJ302 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ302 0.0239
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "LX 0.126" W (1.60 ملم × 3.20 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) واوسف 1206 (3216 ماج) ، 0612 المسار AEC-Q200 3 kohms ± 200ppm/° C. - 0612 (1632 mقias) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.75W ، 3/4W 2 فyalm سميه
KTR03EZPF4R30 Rohm Semiconductor KTR03EZPF4R30 0.1600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) chaiaratat aec-q200 4.3 يا أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR18EZPJ621 Rohm Semiconductor ESR18EZPJ621 0.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 620 أوم ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR25JZHF97R6 Rohm Semiconductor MCR25JZHF97R6 -
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 97.6 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق