SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT العلم / الحبيد itlachفaus - حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك عزير
SDR10EZPF4R70 Rohm Semiconductor SDR10EZPF4R70 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 4.7 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
ESR01MZPJ432 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ432 0.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 4.3 kohms ± 200ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
SDR03EZPF6802 Rohm Semiconductor SDR03EZPF6802 0.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه - 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 68 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 511-SDR03EZPF6802CT ear99 8533.21.0030 5000 0.3W 2 فyalm سميه
MCR18EZHF3742 Rohm Semiconductor MCR18EZHF3742 -
RFQ
 ECAD 9736 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 37.4 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR03EZPJ220 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ220 -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 22 ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF3830 Rohm Semiconductor MCR18ERTF3830 -
RFQ
 ECAD 6396 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 383 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR03EZPFX5621 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX5621 -
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 5.62 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR10EZPF1203 Rohm Semiconductor ESR10EZPF1203 0.0239
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 120 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
MCR18ERTJ130 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ130 -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 13 أوم ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
KTR18EZPF6980 Rohm Semiconductor KTR18EZPF6980 0.0302
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) chaiaratat aec-q200 698 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10EZHF10R0 Rohm Semiconductor MCR10EZHF10R0 -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 10 أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR100JZHFLR910 Rohm Semiconductor MCR100JZHFLR910 -
RFQ
 ECAD 1708 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي AEC-Q200 0.248 "L X 0.126" W (6.30 ملم × 3.20 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2512 (6432 mقias) المسار AEC-Q200 910 Mohms ± 250ppm/° C. - 2512 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 1W 2 فyalm سميه
MCR18EZHF1370 Rohm Semiconductor MCR18EZHF1370 -
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 137 أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
UCR01MVPFLR330 Rohm Semiconductor UCR01MVPFLR330 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat UCR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.022" W (1.00 ملم × 0.55 ملم) 0.017 "(0.42 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 ، 330 Mohms 0/ +200ppm/ ° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 10000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF2202 Rohm Semiconductor MCR18ERTF2202 -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 22 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR100JZHF35R7 Rohm Semiconductor MCR100JZHF35R7 -
RFQ
 ECAD 4830 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي AEC-Q200 0.248 "L X 0.126" W (6.30 ملم × 3.20 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2512 (6432 mقias) المسار AEC-Q200 35.7 أوم ± 100ppm/° C. - 2512 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 1W 2 فyalm سميه
ESR18EZPJ512 Rohm Semiconductor ESR18EZPJ512 0.0239
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 5.1 kohms ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
SDR03EZPJ101 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ101 0.1000
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR03 الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) نيبع 100 أom ± 200ppm/° C. 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.3W 2 فyalm سميه
ESR03EZPF1503 Rohm Semiconductor ESR03EZPF1503 0.1400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 150 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR18EZPF7500 Rohm Semiconductor MCR18EZPF7500 -
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 750 أوم ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
KTR25JZPF4301 Rohm Semiconductor KTR25JZPF4301 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1210 (3225 mقaias) chaiaratat aec-q200 4.3 kohms ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.333W ، 1/3W 2 فyalm سميه
SDR03EZPF2R70 Rohm Semiconductor SDR03EZPF2R70 0.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SDR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 2.7 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.3W 2 فyalm سميه
MCR25JZHJLR13 Rohm Semiconductor MCR25JZHJLR13 -
RFQ
 ECAD 5340 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 1210 (3225 mقaias) المسار AEC-Q200 130 Mohms ± 200ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
ESR03EZPF3R90 Rohm Semiconductor ESR03EZPF3R90 0.0175
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 3.9 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
SFR18EZPF4701 Rohm Semiconductor SFR18EZPF4701 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) mكaفحة alكberyt 4.7 Kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR10EZPF3013 Rohm Semiconductor ESR10EZPF3013 0.0239
RFQ
 ECAD 7699 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 301 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
LTR100LJZPFSR062 Rohm Semiconductor LTR100LJZPFSR062 1.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -65 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.122 "L x 0.252" W (3.10mm × 6.40 ملم) 0.029 "(0.73 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 ، 62 Mohms 0/ +150ppm/ ° C. - 1225 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 4000 4W 2 فyalm سميه
MCR006YZPF39R0 Rohm Semiconductor MCR006YZPF39R0 -
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 39 يا أوم ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
LTR100JZPFLR130 Rohm Semiconductor LTR100JZPFLR130 0.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L X 0.252" W (3.20 ملم × 6.40 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) واوسف 2512 (6432 ماجياس) ، 1225 المسار AEC-Q200 ، 130 Mohms 0/ +150ppm/ ° C. - 1225 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 4000 2W 2 فyalm سميه
MCR03ERTF7322 Rohm Semiconductor MCR03ERTF7322 -
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) - 73.2 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق