SIC
close

المركز (18799)

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل TقiamaT العلم / الحبيد itlachفauat - حزmة / حalة مساهات ماجو مامل درض الهارفرة مدال العلم حزmة جhaز chalmodd و chinat شهاء روهس ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم الظهر (واتس) عداد الينهاك عزير
MCR50JZHJ202 Rohm Semiconductor MCR50JZHJ202 -
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.197 "L x 0.098" W (5.00 ملم × 2.50 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2010 (5025 ماجياس) المسار AEC-Q200 2 kohms ± 200ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
MCR03ERTJ822 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ822 -
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) - 8.2 kohms ± 200ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR03EZPD68R0 Rohm Semiconductor ESR03EZPD68R0 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 0.5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 68 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0603 - 1 (غyer mحdod) ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF1804 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1804 -
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 1.8 Mohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
KTR18EZPJ1R1 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ1R1 0.0191
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) chaiaratat aec-q200 1.1 يا أوم ± 200ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF5362 Rohm Semiconductor ESR18EZPF5362 0.0207
RFQ
 ECAD 5838 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 53.6 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
LTR18EZPJ620 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ620 0.0239
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "LX 0.126" W (1.60 ملم × 3.20 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) واوسف 1206 (3216 ماج) ، 0612 المسار AEC-Q200 62 يا أوم ± 200ppm/° C. - 0612 (1632 mقias) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.75W ، 3/4W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF5103 Rohm Semiconductor ESR18EZPF5103 0.0207
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 510 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
ESR01MZPF1000 Rohm Semiconductor ESR01MZPF1000 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 100 أom ± 100ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.2W ، 1/5W 2 فyalm سميه
ESR10EZPJ105 Rohm Semiconductor ESR10EZPJ105 0.1300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 1 Mohms ± 200ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.4W ، 2/5W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF4302 Rohm Semiconductor MCR18ERTF4302 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 43 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR10EZPF2490 Rohm Semiconductor MCR10EZPF2490 -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) المسار AEC-Q200 249 يا أوم ± 100ppm/° C. - 0805 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
TRR01MZPF3300 Rohm Semiconductor TRR01MZPF3300 -
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat TRR الهاريه والال عى الله ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) مدا الفاتحت 330 أوم ± 100ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.063W ، 1/16W 2 فyalm سميه
ESR03EZPF6803 Rohm Semiconductor ESR03EZPF6803 0.0175
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 680 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR01MZPF51R0 Rohm Semiconductor MCR01MZPF51R0 -
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.039 "LX 0.020" W (1.00 ملم × 0.50 ملم) 0.016 "(0.40 ملم) 0402 (1005 mقias) المسار AEC-Q200 51 أوم ± 100ppm/° C. - 0402 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 10000 0.063W ، 1/16W 2 فyalm سميه
MCR100JZHF4640 Rohm Semiconductor MCR100JZHF4640 -
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي AEC-Q200 0.248 "L X 0.126" W (6.30 ملم × 3.20 ملم) 0.028 "(0.70 ملم) 2512 (6432 mقias) المسار AEC-Q200 464 أوم ± 100ppm/° C. - 2512 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 1W 2 فyalm سميه
LTR50UZPJ220 Rohm Semiconductor LTR50UZPJ220 0.5800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.098 "L x 0.197" W (2.50 ملم × 5.00 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 2010 و WASASة (5025 MقAAS) ، 1020 المسار AEC-Q200 22 ± 200ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 1W 2 فyalm سميه
KTR25JZPF56R0 Rohm Semiconductor KTR25JZPF56R0 0.3800
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat KTR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.098" W (3.20 ملم × 2.50 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1210 (3225 mقaias) chaiaratat aec-q200 56 يا أوم ± 100ppm/° C. - 1210 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 4000 0.333W ، 1/3W 2 فyalm سميه
MCR10ERTF6653 Rohm Semiconductor MCR10ERTF6653 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.079 "LX 0.049" W (2.00 ملم × 1.25 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 0805 (ماجياس 2012) - 665 kohms ± 100ppm/° C. - 0805 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.125W ، 1/8W 2 فyalm سميه
SFR03EZPF1133 Rohm Semiconductor SFR03EZPF1133 0.0162
RFQ
 ECAD 3396 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat SFR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) mكaفحة alكberyt 113 kohms ± 100ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 511-SFR03EZPF1133TR ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
MCR03EZPJ100 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ100 -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 10 أوم ± 200ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
MCR006YRTF3301 Rohm Semiconductor MCR006IRTF3301 -
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 125 دري مويزي 0.024 "L X 0.012" W (0.60 ملم × 0.30 ملم) 0.010 "(0.26 ملم) 0201 (0603 mقias) - 3.3 kohms ± 250ppm/° C. - 0201 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 15000 0.05W ، 1/20W 2 فyalm سميه
MCR03ERTJ271 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ271 -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) - 270 يا أوم ± 200ppm/° C. - 0603 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
ESR18EZPF1503 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1503 0.1700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat ESR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 150 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
LTR50UZPJ120 Rohm Semiconductor LTR50UZPJ120 0.0916
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.098 "L x 0.197" W (2.50 ملم × 5.00 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 2010 و WASASة (5025 MقAAS) ، 1020 المسار AEC-Q200 12 أوم ± 200ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 1W 2 فyalm سميه
MCR18ERTF2942 Rohm Semiconductor MCR18ERTF2942 0.1000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه 0.120 "L x 0.061" W (3.05mm × 1.55 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) - 29.4 kohms ± 100ppm/° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.25W ، 1/4W 2 فyalm سميه
MCR03EZPJ5R1 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ5R1 -
RFQ
 ECAD 9910 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat MCR الهاريه والال توفت ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.063 "L x 0.031" W (1.60 ملم × 0.80 ملم) 0.022 "(0.55 ملم) 0603 (1608 mقias) المسار AEC-Q200 5.1 يا أوم ± 400ppm/° C. - 0603 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.1W ، 1/10W 2 فyalm سميه
PSR400ITQFH1L00 Rohm Semiconductor PSR400ITQFH1L00 1.9200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat PSR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 170 دكر مسيه AEC-Q200 0.394 "LX 0.205" W (10.00 ملم × 5.20 ملم) - غyer قaiasy المسار AEC-Q200 ، 1 Mohms ± 75ppm/° C. - 3921 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 3000 4W 2 لعنرعني
UCR18EVHFLR100 Rohm Semiconductor UCR18EVHFLR100 0.8500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat UCR الهاريه والال نوز ± 1 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.126 "L x 0.063" W (3.20 ملم × 1.60 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 1206 (3216 mقias) المسار AEC-Q200 ، 100 Mohms 0/ +150ppm/ ° C. - 1206 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 0.5W ، 1/2W 2 فyalm سميه
LTR50UZPJ2R7 Rohm Semiconductor LTR50UZPJ2R7 0.0916
RFQ
 ECAD 8958 0.00000000 روم أشbahh adlmoصlat LTR الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 155 دكر مويه AEC-Q200 0.098 "L x 0.197" W (2.50 ملم × 5.00 ملم) 0.026 "(0.65 ملم) 2010 و WASASة (5025 MقAAS) ، 1020 المسار AEC-Q200 2.7 أوم ± 200ppm/° C. - 2010 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8533.21.0030 5000 1W 2 فyalm سميه
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق