- RFQ
- بوم
- اتصل بنا
Tel: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- التركية
- إيطالي
- دانماركي
- روماني
- إندونيسي
- التشيكية
- أفريكانيين
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- كاتالونية
- إسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- أمهرية
- أرمني
- أذربيجاني
- البيلاروسي
- البنغالية
- البوسني
- البلغارية
- سيبوانو
- تشيشيكا
- كورسيكان
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- فريسيان
- جاليكيان
- الجورجي
- غوجاراتية
- الهايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجري
- الأيسلندية
- الإغبو
- الجاوية
- الكانادا
- كازاخاخية
- الخمير
- كردي
- قيرغيز
- اللاتينية
- لاتفيان
- الليتواني
- لوكسمبو ..
- مقدوني
- الملغاشية
- الملايو
- الملايالام
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولي
- البورمي
- النيبالي
- النرويجية
- الباشتو
- فارسي
- البنجابية
- الصربي
- Sesotho
- سنهالية
- سلوفاك
- سلوفيني
- صومالي
- ساموا
- الاسكتلنديين الغيليك
- شونا
- السندي
- صنداني
- السواحيلية
- طاجيك
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- أوزبك
- الفيتنامي
- الويلزية
- Xhosa
- اليديشية
- يوروبا
- زولو
- كينيارواندا
- التتار
- أوريا
- تركمان
- أويغور
دوازر ماوتامال (ICS) (10403)
| حار | رحمم | التسرى (USD) | حمي | ECAD | الله الحمي | الظهر (كجm) | MFR | ملسول | ug ug | ح -almntج | درجة خاررة آلتهيل | نو عداد | حزmة / حalة | رحمم الحتات | Tكnoloجya | العلم - العرف | حزmة جhaز chalmodd | و chinat | حalة rohs | ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) | chozol إlى alحalة | أmaء أخrى | ECCN | Htsus | العلم | مردد السفكر | نو عداد | حجm alذazerة | و و " | تنسي إيهازرة | Tnظiem alذazerة | واههه | كtb و قd doroة - كlmة ، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G8SA-062E: R TR | 6.0000 |  | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT40A1G8SA-062E: RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 | 1.6 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | 19 NS | دريم | 1g × 8 | مويزي | 15ns | |
 | MT53E128M32D2FW-046 AAT: A TR | 8.7450 | | 3095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: ATR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AIT: C. | 29.0250 | | 8414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | - | أبل السفلي | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT: ج | 1 | 4.266 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | مويزي | - | ||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AUT: D. | - | | 4416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | حجm -pier | مرر | -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: د | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 3.5 ns | دريم | 512M × 32 | مويزي | 18ns | |||||||
| MT62F1G64D4ZV-023 بالوزن: ب | 37.2450 | | 7877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: ب | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29E256G08CMCDBJ5-6: D TR | - | | 9478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132 TBGA | MT29E256G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 132 TBGA (12x18) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 167 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 256 جyجabt | فlaش | 32g × 8 | مويزي | - | ||||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: ب | 102.0600 | | 1696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: ب | 1 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 96 جyجabt | دريم | 1.5g × 64 | - | - | ||||||||
 | MT53E256M32D2DS-053 BALOزN: ب | - | | 9091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-WFBGA (10x14.5) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | MT53E256M32D2DS-053WT: ب | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 8gbit | دريم | 256m × 32 | - | - | |||
 | M25P16-VMN6P | - | | 3255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | أnabob | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) | M25P16 | فlaش - و | 2.7v ~ 3.6v | 8-so | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0071 | 2000 | 75 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 16 Myiجabt | فlaش | 2M × 8 | spi | 15ms ، 5 مللي | |||
| MT29F8T08EULCHD5-M: C TR | 167.8050 | | 8851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-M: CTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 AIT: C. | 20.7300 | | 4641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT: C. | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT45W512KW16PEGA-70 WT TR | - | | 2698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -30 درج مويزي ~ 85 دري مويزي (TC) | أبل السفلي | 48-VFBGA | MT45W512KW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1.7v ~ 1.95v | 48-VFBGA (6x8) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | ماضلب | 8mbit | 70 ns | psram | 512k × 16 | مويزي | 70ns | |||
 | N25Q128A21BF840E | - | | 6945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صyniة | عى الله | -40 دكر مويوي ~ 85 دري مويزي (تا) | أبل السفلي | 8-Vdfn lloحة mكشoفة | N25Q128A21 | فlaش - و | 1.7v ~ 2v | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 Myiغaiheartز | غyer mtقlbة | 128mbit | فlaش | 32M × 4 | spi | 8ms ، 5 مللي | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: C. | 31.9350 | | 2429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | -40 دكر مويزي ~ 105 دري مويزي | أبل السفلي | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: C. | 1 | 3.2 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | مويزي | - | ||||||||
 | MT29F2G08ABAFAH4-S: F TR | - | | 5236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 63-VFBGA | MT29F2G08 | فlaش - nand | 2.7v ~ 3.6v | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | غyer mtقlbة | 2gbit | فlaش | 256m × 8 | مويزي | - | ||||
 | MT53E1G32D2FW-046 IT: A. | 27.1500 | | 7860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046it: أ | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 32Gbit | دريم | 1g × 32 | مويزي | 18ns | ||||||||
| MT62F768M32D2DS-026 WT: B TR | 17.6400 | | 5455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT: BTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR | 92.3100 | | 8633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR | 2000 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 128 جyجabt | 3.5 ns | دريم | 2G × 64 | مويزي | 18ns | |||||||
 | MT53E768M32D4DT-053 AAT: E. | 29.2650 | | 3286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صyniة | نوز | -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1v | 200-VBGA (10x14.5) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MT53E768M32D4DT-053AAT: E. | ear99 | 8542.32.0036 | 1،360 | 1.866 جyجa hertز | ماضلب | 24 جyجabt | دريم | 768m × 32 | - | - | ||
| MTFC4GLWDM-4M AAT A TR | 11.0850 | | 8067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | MTFC4 | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | MTFC4GLWDM-4MAATATR | 0000.00.0000 | 2000 | ||||||||||||||||
| MTFC256GAXAUEA-WT TR | 27.5700 | | 9228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | -25 Derجة MMئOYة ~ 85 DRجة MEئOYة | أبل السفلي | 153-WFBGA | فlaش - nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC256GAXAUEA-WTTR | 2000 | غyer mtقlbة | 2Tbit | فlaش | 256g × 8 | UFS | - | |||||||||
 | MT29F4T08GMLBEJ4: B TR | - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 132-VBGA | MT29F4T08 | فlaش - nand | 2.5v ~ 3.6v | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 سعع) | الإلهال | 557-MT29F4T08GMLBEJ4: BTR | عى الله | 2000 | غyer mtقlbة | 4tbit | فlaش | 512g × 8 | مويزي | - | |||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT: A TR | 47.4300 | | 9577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: ATR | 2000 | |||||||||||||||||||||
 | MT55L512L18FF-11 | 8.9300 | | 1825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | حجm -pier | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة (TA) | أبل السفلي | 165 TBGA | MT55L512L | SRAM - MTزAMN ، ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 165-FBGA (13x15) | تومويل | Rohs غyer amtoaفق | 1 (غyer mحdod) | الإلهال | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 myiغaiheartز | ماضلب | 8mbit | 8.5 ns | Sram | 512k × 18 | مويزي | - | ||
 | MT47H128M8CF-25E IT: H TR | - | | 1126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | عى الله | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7v ~ 1.9v | 60-FBGA (8x10) | تومويل | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 myiغaiheartز | ماضلب | 1Gbit | 400 ps | دريم | 128 م × 8 | مويزي | 15ns | ||
| MT60B2G8HB-48B: أ | 16.5750 | | 4524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | صnadoق | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 95 Derجة mئoyة (TC) | أبل السفلي | 82-VFBGA | SDRAM - DDR5 | - | 82-VFBGA (9x11) | - | 557-MT60B2G8HB-48B: أ | 1 | 2.4 جyجa hertز | ماضلب | 16 جyجabt | 16 ns | دريم | 2G × 8 | مويزي | - | |||||||
| MT53E1536M32D4DE-046 AIT: ب | 44.2350 | | 8780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 200 TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: ب | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 48Gbit | 3.5 ns | دريم | 1.5g × 32 | مويزي | 18ns | |||||||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT: ب | 44.2350 | | 9484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | المسار ، AEC-Q100 | صnadoق | نوز | -40 Derجة MMئOYة ~ 95 DRجة MEئOYة (TC) | أبل السفلي | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: ب | 1 | 2.133 جyجa hertز | ماضلب | 48Gbit | 3.5 ns | دريم | 768M × 64 | مويزي | 18ns | |||||||
 | MTFC8GAMALBH-AAT | 11.1750 | | 5264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | صyniة | نوز | -40 درج مويزي ~ 105 دري مويوي (تا) | أبل السفلي | 153-TFBGA | MTFC8 | فlaش - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 mtoaفق | 3 (168 سعع) | الإلهال | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1520 | غyer mtقlbة | 64 جyجa بت | فlaش | 8g × 8 | MMC | - | ||||
| MT29F8T08EWLEEM5-R: E TR | 171.6300 | | 1176 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | الهاريه والال | نوز | 0 Derجة Mmئoyة ~ 70 Derجة Mmئoyة | - | - | فlaش - nand (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R: ETR | 1500 | غyer mtقlbة | 8tbit | فlaش | 1T × 8 | مويزي | - |
2000+
متوسط حجم RFQ اليومي
30،000،000
وحدة المنتج القياسية
2800+
المصنعين في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الأمنيات (0 عناصر)