- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الدائرة المتكاملة (ICs)(5782)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WP256E-JLLE | 4.0444 |  | 5161 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-WDFN لوحة مائية | فلاش - ولا (SLC) | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 8-دبليوسون (8×6) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS25WP256E-JLLE | 480 | 166 ميجا هرتز | غير متطايرة | 256 ميجابت | فلاش | 32 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 50 ثانية، 1 مللي ثانية | ||||||
 | IS42S32160F-7TLI | 15.0000 | | 1 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S32160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS46LD32128B-25BPLA2-TR | - | | 6181 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 168-ففبجا | IS46LD32128 | SDRAM - LPDDR2-S4 المحمول | 1.14 فولت ~ 1.3 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 168-VFBGA (12x12) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR | إير99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 32 | HSUL_12 | 15ns | |
| IS46LQ16256A-062TBLA2 | 15.4924 | | 9664 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-ففبجا | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-VFBGA (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA2 | 136 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | دير | 256 م × 16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS25LQ010B-JNLE | - | | 4301 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IS25LQ010 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-1322 | إير99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 ميجا هرتز | غير متطايرة | 1 ميجابت | فلاش | 128 كيلو × 8 | SPI-مدخل/مخرج رباعي | 800 ثانية | ||
| IS25WP128F-RHLA3 | 2.7864 | | 1408 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 24-TBGA | فلاش - ولا (SLC) | 1.65 فولت ~ 1.95 فولت | 24-TFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS25WP128F-RHLA3 | 480 | 166 ميجا هرتز | غير متطايرة | 128 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | فلاش | 16 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 40 ثانية، 800 ثانية | |||||
| IS42S32200L-5TL | 3.3234 | | 8405 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S32200 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 64 ميجابت | 4.8 نانو ثانية | دير | 2 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS42S16320B-6TL | - | | 2870 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S16320 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 32 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS62WV1288DBLL-45QLI-TR | - | | 4917 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 32-سويك (0.445 بوصة، عرض 11.30 ملم) | IS62WV1288 | SRAM - غير متزامن | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 32-SOP | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0041 | 1000 | متقلب | 1 ميجابت | 45 نانو ثانية | سرام | 128 كيلو × 8 | أبعادي | 45ns | |||
 | IS43LR32800F-6BL-TR | - | | 8135 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS43LR32800 | SDRAM - LPDDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | أبعادي | 15ns | ||
| IS42S32160F-6BLI-TR | 12.6600 | | 4218 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42S32160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 2500 | 167 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | - | ||
| IS43LR32800H-6BLI-TR | 4.9180 | | 8552 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | SDRAM - LPDDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS43LR32800H-6BLI-TR | 2500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | LVCMOS | 15ns | |||||
 | IS43TR85120A-15HBL-TR | 5.8612 | | 6065 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | ليس للتصاميم الجديدة | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | IS43TR85120 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 78-TWBGA (9x10.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0036 | 1500 | 667 ميجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 512 م × 8 | أبعادي | 15ns | ||
| IS45S32800J-7BLA1-TR | 7.5150 | | 7511 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS45S32800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 2500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 32 م × 8 | أبعادي | - | ||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | | 2364 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 48-ففبجا | IS62WV102416 | SRAM - غير متزامن | 2.2 فولت ~ 3.6 فولت | 48-VFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | متقلب | 16 ميغا | 55 نانو ثانية | سرام | 1 م × 16 | أبعادي | 55 نانو | |||
 | IS61WV2568EDBLL-10BLI | 4.5984 | | 1465 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 36-تبجا | IS61WV2568 | SRAM - غير متزامن | 2.4 فولت ~ 3.6 فولت | 36-TFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | متقلب | 2 ميغا | 10 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 8 | أبعادي | 10ns | |||
 | IS65WV25616BLL-70TLA3-TR | 8.0280 | | 5446 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS65WV25616 | SRAM - غير متزامن | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | متقلب | 4 ميجابت | 70 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 16 | أبعادي | 70 نانو | |||
 | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | - | | 9424 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-ففبجا | IS66WVC2M16 | PSRAM (SRAM الزائفة) | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 54-VFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0041 | 480 | متقلب | 32 ميجابت | 70 نانو ثانية | بسرام | 2 م × 16 | أبعادي | 70 نانو | |||
| IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | - | | 9472 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-ففبجا | SDRAM - LPDDR4X المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-VFBGA (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | 2500 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 256 م × 16 | LVSTL | 18 نانو | |||||
| IS42S32200C1-6T-TR | - | | 1902 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S32200 | سدرام | 3.15 فولت ~ 3.45 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 1500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 64 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 2 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS49NLC18160-33BL | - | | 9571 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 144-تبجا | IS49NLC18160 | رلدرام 2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 144-TWBGA (11x18.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | 20 نانو ثانية | دير | 16 م × 18 | أبعادي | - | ||
| IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR | 2.0460 | | 6274 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IS62WVS0648 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 2.2 فولت ~ 3.6 فولت | 8-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3000 | 20 ميجا هرتز | متقلب | 512 كيلوبت | سرام | 64 كيلو × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، SDI، DTR | - | |||
 | IS61QDPB42M18A-400M3L | 71.5551 | | 1268 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | IS61QDPB42 | SRAM - متزامن، QUADP | 1.71 فولت ~ 1.89 فولت | 165-LFBGA (15x17) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | 8.4 نانو ثانية | سرام | 2 م × 18 | أبعادي | - | ||
 | IS43TR16640B-15GBLI | - | | 6224 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | IS43TR16640 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
| IS61C6416AL-12TLI | 2.4500 | | 4 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS61C6416 | SRAM - غير متزامن | 4.5 فولت ~ 5.5 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | متقلب | 1 ميجابت | 12 نانو ثانية | سرام | 64 كيلو × 16 | أبعادي | 12ns | |||
| IS42S32160F-6BLI | 15.8300 | | 1 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42S32160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | - | ||
| IS42SM32400G-75BI | - | | 2457 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42SM32400 | سدرام - موبايل | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 6 نانو ثانية | دير | 4 م × 32 | أبعادي | - | ||
| IS42S32800D-6BLI-TR | - | | 1521 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42S32800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | أبعادي | - | ||
| IS61QDB42M18-250M3 | - | | 6649 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | توقف في SIC | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | IS61QDB42 | SRAM - متزامن، رباعي | 1.71 فولت ~ 1.89 فولت | 165-LFBGA (15x17) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | 7.5 نانو ثانية | سرام | 2 م × 18 | أبعادي | - | ||
 | IS25LP032D-JLLE | 1.4400 | | 1041 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-WDFN لوحة مائية | IS25LP032 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-دبليوسون (8×6) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 ميجا هرتز | غير متطايرة | 32 ميجابت | فلاش | 4 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 800 ثانية |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 عناصر)