SIC
close
صورة رقم المنتج التسعير (بالدولار الأمريكي) كمية إكاد المتاحة الوزن (كجم) MFR مسلسل طَرد حالة المنتج درجة حرارة التشغيل نوع التركيب الحزمة / القضية رقم المنتج الأساسي تكنولوجيا الجهد - العرض حزمة جهاز المورد ورقة بيانات البيانات حالة بنفايات مستوى الرطوبة (MSL) الوصول إلى الحالة أسماء أخرى ECCN هتسسوس الحزمة القياسية تردد الساعة نوع الذاكرة حجم الذاكرة وقت الوصول تنسيق الذاكرة منظمة الذاكرة واجهة الذاكرة كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة
IS43TR16128A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBLI -
طلب عرض الأسعار
ECAD 1644 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا توقف في SIC -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) جبل السطح 96-تبجا IS43TR16128 سدرام - DDR3 1.425 فولت ~ 1.575 فولت 96-TWBGA (9x13) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0036 190 800 ميجا هرتز متقلب 2 جيجابت 20 نانو ثانية دير 128 م × 16 أبعادي 15ns
IS43R83200F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL-TR 2.6470
طلب عرض الأسعار
ECAD 6097 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) جبل السطح 66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3 فولت ~ 2.7 فولت 66-TSOP II تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0024 1500 166 ميجا هرتز متقلب 256 ميجابت 700 ريال دير 32 م × 8 أبعادي 15ns
IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR 116.5500
طلب عرض الأسعار
ECAD 4916 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) جبل السطح 100-LQFP IS64LF204818 SRAM - غير متزامن 3.135 فولت ~ 3.465 فولت 100-LQFP (14x20) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 ميجا هرتز متقلب 36 ميجابت 7.5 نانو ثانية سرام 2 م × 18 أبعادي -
IS42S32800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6B-TR -
طلب عرض الأسعار
ECAD 7302 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) عفا عليه الزمن 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) جبل السطح 90-تبجا IS42S32800 سدرام 3 فولت ~ 3.6 فولت 90-تفبغا (8x13) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0024 2500 166 ميجا هرتز متقلب 256 ميجابت 5.4 نانو ثانية دير 8 م × 32 أبعادي -
IS61LV632A-6TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV632A-6TQI-TR -
طلب عرض الأسعار
ECAD 9973 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) عفا عليه الزمن -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 100-LQFP IS61LV632 SRAM - غير متزامن 3.135 فولت ~ 3.6 فولت 100-LQFP (14x20) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2B 8542.32.0041 800 متقلب 1 ميجابت 6 نانو ثانية سرام 32 ك × 32 أبعادي -
IS46LD32128B-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA2-TR -
طلب عرض الأسعار
ECAD 6181 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة السيارة، AEC-Q100 الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) جبل السطح 168-ففبجا IS46LD32128 SDRAM - LPDDR2-S4 المحمول 1.14 فولت ~ 1.3 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت 168-VFBGA (12x12) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR إير99 8542.32.0036 1 400 ميجا هرتز متقلب 4 جيجابت 5.5 نانو ثانية دير 128 م × 32 HSUL_12 15ns
IS46LQ16256A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA2 15.4924
طلب عرض الأسعار
ECAD 9664 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة السيارة، AEC-Q100 حجم كبير نشيط -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) جبل السطح 200-ففبجا SDRAM-LPDDR4 المحمول 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت 200-VFBGA (10x14.5) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS46LQ16256A-062TBLA2 136 1.6 جيجا هرتز متقلب 4 جيجابت دير 256 م × 16 LVSTL -
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-55BLI-TR -
طلب عرض الأسعار
ECAD 7453 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 48-تبجا IS66WV51216 PSRAM (SRAM الزائفة) 2.5 فولت ~ 3.6 فولت 48-TFBGA (6x8) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 2500 متقلب 8 ميغا 55 نانو ثانية بسرام 512 كيلو × 16 أبعادي 55 نانو
IS61NLF25672-7.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-7.5B1I -
طلب عرض الأسعار
ECAD 8925 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا عفا عليه الزمن -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 209-بغا IS61NLF25672 SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة 3.135 فولت ~ 3.465 فولت 209-LFBGA (14x22) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 ميجا هرتز متقلب 18 ميغا 7.5 نانو ثانية سرام 256 كيلو × 72 أبعادي -
IS49NLC96400A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-18WBL 52.0065
طلب عرض الأسعار
ECAD 8723 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - حجم كبير نشيط 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) جبل السطح 144-تبجا رلدرام 2 1.7 فولت ~ 1.9 فولت 144-TWBGA (11x18.5) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 706-IS49NLC96400A-18WBL 104 533 ميجا هرتز متقلب 576 ميجابت 15 نانو ثانية دير 64 م × 9 HSTL -
IS29GL032-70BLED-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70BLED-TR 2.6208
طلب عرض الأسعار
ECAD 6804 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة السيارة، AEC-Q100 الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) جبل السطح 48-تبجا فلاش - ولا (SLC) 2.7 فولت ~ 3.6 فولت 48-TFBGA (6x8) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS29GL032-70BLED-TR 2500 غير متطايرة 32 ميجابت 70 نانو ثانية فلاش 2 م × 16 CFI 70 نانو
IS25WQ040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JVLE-TR -
طلب عرض الأسعار
ECAD 9785 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) جبل السطح 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) IS25WQ040 فلاش - ولا 1.65 فولت ~ 1.95 فولت 8- ففسوب تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0071 3500 104 ميجا هرتز غير متطايرة 4 ميجابت فلاش 512 كيلو × 8 SPI 1 مللي ثانية
IS64LPS102436B-166TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166TQLA3-TR 116.5500
طلب عرض الأسعار
ECAD 9650 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) جبل السطح 100-LQFP IS64LPS102436 SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة 3.135 فولت ~ 3.465 فولت 100-LQFP (14x20) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 ميجا هرتز متقلب 36 ميجابت 3.8 نانو ثانية سرام 1 م × 36 أبعادي -
IS62LV256AL-45ULI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45ULI 1.5200
طلب عرض الأسعار
ECAD 139 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 28-سويك (0.330 بوصة، عرض 8.38 ملم) IS62LV256 SRAM - غير متزامن 3 فولت ~ 3.6 فولت 28-SOP تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0041 120 متقلب 256 كيلوبت 45 نانو ثانية سرام 32 كيلو × 8 أبعادي 45ns
IS62WV1288BLL-55HI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55HI -
طلب عرض الأسعار
ECAD 2033 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 32-TFSOP (0.465 بوصة، عرض 11.80 ملم) IS62WV1288 SRAM - غير متزامن 2.5 فولت ~ 3.6 فولت 32-sTSOP I تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0041 234 متقلب 1 ميجابت 55 نانو ثانية سرام 128 كيلو × 8 أبعادي 55 نانو
IS46TR85120A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120A-125KBLA2 -
طلب عرض الأسعار
ECAD 7237 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة السيارة، AEC-Q100 سايا عفا عليه الزمن -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) جبل السطح 78-تبجا IS46TR85120 سدرام - DDR3 1.425 فولت ~ 1.575 فولت 78-TWBGA (9x10.5) - متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 706-IS46TR85120A-125KBLA2 إير99 8542.32.0036 136 800 ميجا هرتز متقلب 4 جيجابت 20 نانو ثانية دير 512 م × 8 أبعادي 15ns
IS43TR81280C-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280C-125JBLI 3.7208
طلب عرض الأسعار
ECAD 1086 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - حجم كبير نشيط -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) جبل السطح 78-تبجا سدرام - DDR3 1.425 فولت ~ 1.575 فولت 78-TWBGA (8x10.5) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS43TR81280C-125JBLI 242 800 ميجا هرتز متقلب 1 جيجابت 20 نانو ثانية دير 128 م × 8 أبعادي 15ns
IS61QDPB42M36A2-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500B4LI 117.1779
طلب عرض الأسعار
ECAD 1239 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 165-إل بي جي ايه IS61QDPB42 SRAM - متزامن، QUADP 1.71 فولت ~ 1.89 فولت 165-LFBGA (13x15) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 ميجا هرتز متقلب 72 ميجابت 8.4 نانو ثانية سرام 2 م × 36 أبعادي -
IS43R86400E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TL -
طلب عرض الأسعار
ECAD 3925 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - حجم كبير نشيط 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) جبل السطح 66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) SDRAM - DDR 2.3 فولت ~ 2.7 فولت 66-TSOP II تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS43R86400E-5TL 108 200 ميجا هرتز متقلب 512 ميجابت 700 ريال دير 64 م × 8 SSTL_2 15ns
IS42S32200L-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BLI-TR 4.1562
طلب عرض الأسعار
ECAD 3963 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 90-تبجا IS42S32200 سدرام 3 فولت ~ 3.6 فولت 90-تفبغا (8x13) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0002 2500 166 ميجا هرتز متقلب 64 ميجابت 5.4 نانو ثانية دير 2 م × 32 أبعادي -
IS62WV25616BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TLI-TR 4.4700
طلب عرض الأسعار
ECAD 45 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) IS62WV25616 SRAM - غير متزامن 2.5 فولت ~ 3.6 فولت 44-TSOP الثاني تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 1000 متقلب 4 ميجابت 55 نانو ثانية سرام 256 كيلو × 16 أبعادي 55 نانو
IS42S32400E-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BLI -
طلب عرض الأسعار
ECAD 2186 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا عفا عليه الزمن -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 90-تبجا IS42S32400 سدرام 3 فولت ~ 3.6 فولت 90-تفبغا (8x13) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0002 240 143 ميجا هرتز متقلب 128 ميجابت 5.4 نانو ثانية دير 4 م × 32 أبعادي -
IS62WV25616EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BLI-TR 4.1409
طلب عرض الأسعار
ECAD 1999 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 48-ففبجا IS62WV25616 SRAM - غير متزامن 1.65 فولت ~ 2.2 فولت 48-VFBGA (6x8) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 2500 متقلب 4 ميجابت 55 نانو ثانية سرام 256 كيلو × 16 أبعادي 55 نانو
IS61VPS51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200B3I -
طلب عرض الأسعار
ECAD 3299 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا عفا عليه الزمن -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة 2.375 فولت ~ 2.625 فولت 165-TFBGA (13x15) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 ميجا هرتز متقلب 18 ميغا 3.1 نانو ثانية سرام 512 كيلو × 36 أبعادي -
IS61WV51216EEALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20TLI 7.4957
طلب عرض الأسعار
ECAD 7133 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - حجم كبير نشيط -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) SRAM - غير متزامن 1.65 فولت ~ 2.2 فولت 44-TSOP الثاني تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS61WV51216EEALL-20TLI 135 متقلب 8 ميغا 20 نانو ثانية سرام 512 كيلو × 16 أبعادي 20ns
IS45S32800D-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800D-7BLA1 -
طلب عرض الأسعار
ECAD 1146 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا توقف في SIC -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 90-تبجا IS45S32400 سدرام 3 فولت ~ 3.6 فولت 90-تفبغا (8x13) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0024 240 143 ميجا هرتز متقلب 256 ميجابت 5.4 نانو ثانية دير 32 م × 8 أبعادي -
IS42S16320B-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETLI -
طلب عرض الأسعار
ECAD 9146 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - سايا عفا عليه الزمن -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) جبل السطح 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) IS42S16320 سدرام 3 فولت ~ 3.6 فولت 54-TSOP II تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0028 108 133 ميجا هرتز متقلب 512 ميجابت 5.5 نانو ثانية دير 32 م × 16 أبعادي -
IS46TR81024B-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-107MBLA1 26.8521
طلب عرض الأسعار
ECAD 5267 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة السيارة، AEC-Q100 حجم كبير نشيط -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) جبل السطح 78-تبجا سدرام - DDR3 1.425 فولت ~ 1.575 فولت 78-TWBGA (10x14) - متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS46TR81024B-107MBLA1 136 933 ميجا هرتز متقلب 8 جيجابت 20 نانو ثانية دير 1 جرام × 8 أبعادي 15ns
IS42S32160F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TL-TR 10.9500
طلب عرض الأسعار
ECAD 7971 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) جبل السطح 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) IS42S32160 سدرام 3 فولت ~ 3.6 فولت 86-TSOP II تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) الوصول إلى غير متأثر إير99 8542.32.0028 1500 143 ميجا هرتز متقلب 512 ميجابت 5.4 نانو ثانية دير 16 م × 32 أبعادي -
IS43LQ16128AL-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062BLI-TR -
طلب عرض الأسعار
ECAD 6849 0.00000000 ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة - الشريط والبكرة (TR) نشيط -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) جبل السطح 200-ففبجا SDRAM - LPDDR4X المحمول 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت 200-VFBGA (10x14.5) تحميل متوافق مع ROHS3 3 (168 ساعة) 706-IS43LQ16128AL-062BLI-TR 2500 1.6 جيجا هرتز متقلب 2 جيجابت 3.5 نانو ثانية دير 128 م × 16 LVSTL 18 نانو
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    المتوسط ​​اليومي لحجم طلب عرض الأسعار

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون